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Prodotti a semiconduttore discreti(5680)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - Stato attivo (Vtm) (max)	Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max)	Corrente - Stato spento (max)	Tipo SCR	Figura di rumore	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
RD39F-T7-AZ	0,2200	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento					EAR99	8541.10.0050	1
RD9.1F	0,1700	Richiesta di offerta	55	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
2SA1743-AZ	1.7100	Richiesta di offerta	22	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	1
HVM14SRTL-E	0,3500	Richiesta di offerta	8	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000
2SD1376KV	1.3700	Richiesta di offerta	7	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
RKZ16TWAQE#H1	0,1100	Richiesta di offerta	3	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	3.000
NP80N06PLG-E1B-AY	-	Richiesta di offerta	2066	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		TO-263	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						60 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	8,3 mOhm a 40 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	128 nC a 10 V	±20 V	6900 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 115 W (Tc)
HFA3135IHZ96	8.1997	Richiesta di offerta	5994	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	HFA3135			-	6-SOT	scaricamento	Conformità ROHS3	2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	3.000							-																					9V	26 mA		2 PNP (doppio)	15 a 10 mA, 2 V	7GHz	5,2 dB a 900 MHz
NP82N04PUG(1)-E1B-AY	-	Richiesta di offerta	5380	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto										-	Conformità ROHS3	Venditore non definito			OBSOLETO	0000.00.0000	3.000									82A(Tc)
RD13E	0,1000	Richiesta di offerta	4967	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1.780
HZ4C3J-E	0,1100	Richiesta di offerta	10	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Obsoleto										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
HZU12B1TRF-EQ	0,1000	Richiesta di offerta	66	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	3.000
RJK03M4DPA-00#J5A	0,7598	Richiesta di offerta	3	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-WFDFN Tampone esposto	RJK03M4		MOSFET (ossido di metallo)		8-WPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	-1161-RJK03M4DPA-00#J5ACT	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						30 V	35A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,6 mOhm a 17,5 A, 10 V	-	12 nC a 4,5 V	±20 V	2170 pF a 10 V	-	30 W (Tc)
2SK1636STR-E	4.7300	Richiesta di offerta	940	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000
NE3517S03-T1D-A	1.3600	Richiesta di offerta	117	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Obsoleto	4 V			4-SMD, conduttori piatti		20GHz	HFET		S03	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.21.0075	221			70 mA		10 mA	-	13,5dB																				0,7dB			2 V
RKZ12B2KL#R1	0,0700	Richiesta di offerta	70	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	10.000
RKZ3.3BKU#P6	0,1100	Richiesta di offerta	40	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	4.000
RJL6020DPK-00#T0	-	Richiesta di offerta	2862	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	RJL6020		MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						600 V	30A (Ta)	10 V	210 mOhm a 15 A, 10 V	-	130 nC a 10 V	±30 V	4750 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
HZK27TR-SE	0,1100	Richiesta di offerta	4	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	2.500
2SK1590(0)-T1B-AT	0,1500	Richiesta di offerta	17	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
2SK2364(1)-AZ	4.0500	Richiesta di offerta	253	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
RD10F(2)-AZ	0,2000	Richiesta di offerta	4119	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	100
2SJ143(6)-S6-AZ	2.0200	Richiesta di offerta	1	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
NP89N04PUK-E1-AY	2.3100	Richiesta di offerta	3	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	NP89N04		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN						40 V	90A (Tc)	10 V	2,95 mOhm a 45 A, 5 V	4 V a 250 µA	102 nC a 10 V	±20 V	5850 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 147 W (Tc)
UPA2380T1P-E4-A	-	Richiesta di offerta	7543	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	4-XFLGA	UPA2380		MOSFET (ossido di metallo)	1,15 W(Ta)	4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)	-		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	5.000	Scarico comune a 2 canali N (doppio).							12V	4A (Ta)		32,5 mOhm a 2 A, 4,5 V	1,5 V a 1 mA	6,3 nC a 4 V		615 pF a 10 V	Porta a livello logico, azionamento da 2,5 V
CR04AM-12-A#F00	-	Richiesta di offerta	6288	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)					TO-92	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		559-CR04AM-12-A#F00	EAR99	8541.30.0080	1				3 mA														600 V	630 mA	800 mV	10 A a 60 Hz	100 µA	1,2 V	400 mA	500 µA	Norma di recupero
RD15ES-AZ	0,0500	Richiesta di offerta	7	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
RD7.5JS-T1-AZ	0,0900	Richiesta di offerta	14	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
2SJ197-D-T2-AZ	1.0000	Richiesta di offerta	3993	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1.000
NP100P04PDG-E1-AY	4.5000	Richiesta di offerta	1301	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	NP100P04		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		Canale P						40 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,5 mOhm a 50 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	320 nC a 10 V	±20 V	15.100 pF a 10 V	-	1,8 W (Ta), 200 W (Tc)