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Prodotti a semiconduttore discreti(5680)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SK2225-E | 4.9926 |  | 7630 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-3PFM, SC-93-3 | 2SK2225 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-3PFM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1500 V | 2A (Ta) | 15 V | 12 Ohm a 1 A, 15 V | - | ±20 V | 984,7 pF a 30 V | - | 50 W (Tc) | ||||||||||||
| HZ12A3TD-E | 1.0000 | | 3100 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK1157-E | 5.0300 | | 339 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RD20F-T8-AZ | 0,2200 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | HAT2088R-EL-E | - | | 9069 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HAT2088 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 200 V | 2A (Ta) | 10 V | 440 mOhm a 1 A, 10 V | - | 13 nC a 10 V | ±30 V | 450 pF a 25 V | - | 2,5 W(Ta) | |||||||||||
| HZ9B1LTD-E | 0,1000 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK1835-E | 9.6400 | | 13 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | 2SK1835 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-3P | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | -1161-2SK1835-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1500 V | 4A (Ta) | 15 V | 7 Ohm a 2 A, 15 V | - | ±20 V | 1700 pF a 10 V | - | 125 W (Tc) | |||||||||||
 | 2SK2110-T1-AZ | - | | 4674 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | 2SK2110 | - | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||
 | HZS18-2TD-E | 0,1000 | | 70 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| HAT2197R-EL-E | - | | 9694 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HAT2197 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 16A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 6,7 mOhm a 8 A, 10 V | - | 18 nC a 4,5 V | ±20 V | 2650 pF a 10 V | - | 2,5 W(Ta) | |||||||||||
 | RJP30H1DPP-M1#T2 | 1.8500 | | 9 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA503T-T2-A | 0,2900 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | SC-74A, SOT-753 | UPA503 | MOSFET (ossido di metallo) | 300 mW | SC-59-5, Mini stampo | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canali P (doppio) | 50 V | 100mA | 60 Ohm a 10 mA, 10 V | 2,5 V a 1 µA | - | 17 pF a 5 V | - | ||||||||||||||||
| HZK4CLLTR-SE | 0,2400 | | 30 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||
| HZS16-3LTD-E | 0,1100 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.704 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1611(0)-T2-A | - | | 2102 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | 150 mW | SC-70 | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100nA (ICBO) | PNP | 300 mV a 10 mA, 100 mA | 90 a 1 mA, 6 V | 180 MHz | ||||||||||||||||||
| 3P6MH-AZ | 2.0700 | | 11 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA952-A | 0,2400 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| AC05FJM-AZ | 0,9800 | | 384 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3984-ZK-E1-AZ | 0,8000 | | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||
| GWS4618L | - | | 4697 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2690-AZ | 0,5900 | | 27 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0075 | 508 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | RJK0856DPB-00#J5 | 1.4915 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | RJK0856 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 80 V | 35A (Ta) | 10 V | 8,9 mOhm a 17,5 A, 10 V | - | 40 nC a 10 V | ±20 V | 3000 pF a 10 V | - | 65 W (Tc) | |||||||||||
| RJK4518DPK-00#T0 | - | | 6397 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | RJK4518 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-3P | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 450 V | 39A (Ta) | 10 V | 130 mOhm a 19,5 A, 10 V | - | 93 nC a 10 V | ±30 V | 4100 pF a 25 V | - | 200 W (Tc) | |||||||||||
| 8P4J-Z-AZ | 1.1200 | | 8029 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.30.0080 | 191 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2371(1)-A | - | | 2260 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA2701GR-E1-AT | 1.7200 | | 20 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 14A (Ta) | 7,5 mOhm a 7 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 12 nC a 5 V | 1200 pF a 10 V | - | ||||||||||||||||||
| HZS6C2RX-E | 0,1100 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| KGF12N05-400-SP | - | | 8429 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-SMD, senza piombo | MOSFET (ossido di metallo) | 6-WLCSP (1,47x1,47) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 5,5 V | 12A (Ta) | 3,5 V, 4,5 V | 2,4 mOhm a 12 A, 4,5 V | 800mV a 250μA | 6 nC a 3,5 V | ±5,5 V | 940 pF a 5,5 V | - | 2,5 W(Ta) | |||||||||||||
 | HSM123JTR | 0,1800 | | 26 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2P4M(02)-AZ | 1.7100 | | 45 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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