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Prodotti a semiconduttore discreti(5680)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HZ36-1TD-E | 0,1000 |  | 8 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | HZ | Massa | Attivo | ±2,08% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 500 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA a 27 V | 36 V | 140 Ohm | |||||||||||||||
 | HZM22NB1TL-E | 0,1100 | | 58 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
 | NP88N055KUG-E1-AY | - | | 7875 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 55 V | 88A(Tc) | 10 V | 3,9 mOhm a 44 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 250 nC a 10 V | ±20 V | 14.400 pF a 25 V | - | 1,8 W (Ta), 200 W (Tc) | ||||||||
 | BCR12CM-12LA-1#B00 | 1.2800 | | 614 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| RD39E | 0,1500 | | 130 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| UPA2561T1H-T1-AT | 0,3800 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | 8-SMD, cavo piatto | UPA2561 | MOSFET (ossido di metallo) | 2,2 W | 8-VSOF | - | Non applicabile | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canali N (doppio) | 20 V | 4,5 A | 50 mOhm a 2 A, 4,5 V | 1,5 V a 1 mA | 5,4 nC a 4,5 V | 455 pF a 10 V | Porta a livello logico | ||||||||||||
| HZM4.7NB2TL-E | 0,1100 | | 16 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
| AC03FGM(8)-S13-AZ | 0,8300 | | 18 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| HZ6A2TD-E | 0,1000 | | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | RJK0851DPB-00#J5 | 0,8586 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | RJK0851 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 80 V | 20A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 23 mOhm a 10 A, 10 V | 2,5 V a 1 mA | 14 nC a 4,5 V | ±20 V | 2050 pF a 10 V | - | 45 W (Tc) | |||||||
 | FS100VSJ-03F-T11X5 | 2.9000 | | 18 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||
 | HZS2C2TD-E | 0,1100 | | 52 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| 2P6M(DB)-AZ | 1.7900 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| 2SD1209KTZ | - | | 8877 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | RJK6018DPM-00#T1 | - | | 1550 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | RJK6018 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-3PFM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 600 V | 30A (Ta) | 10 V | 235 mOhm a 15 A, 10 V | - | 92 nC a 10 V | ±30 V | 4100 pF a 25 V | - | 60 W (Tc) | |||||||
| HZK11BLTL-SE | 0,1000 | | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||
| NP89N04PDK-E1-AY | 2.1700 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 175°C | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | NP89N04 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 40 V | 90A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,95 mOhm a 45 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 102 nC a 10 V | ±20 V | 5850 pF a 25 V | - | 1,8 W (Ta), 147 W (Tc) | |||||||
| HZS24-3LTD-E | 0,1300 | | 20 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| 4:17-91 | 15.8900 | | 38 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| HZ7B1LTD-E | 0,1100 | | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Attivo | ±2,11% | 175°C (TJ) | Foro passante | DO-204AH, DO-35, assiale | 400 mW | DO-35 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA a 3,5 V | 7,1 V | 60 Ohm | |||||||||||||||
 | HZU6C3LTRF-E | 0,1100 | | 123 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
| 1S2074H | 0,1000 | | 8 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | 1S2074 | scaricamento | Non applicabile | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | 2SK1582-T1B-A | 0,2200 | | 226 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
 | NP160N055TUK-E1-AY | 3.7200 | | 740 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta) | NP160N055 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 55 V | 160A(Tc) | 10 V | 2,1 mOhm a 80 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 189 nC a 10 V | ±20 V | 11250 pF a 25 V | - | 1,8 W (Ta), 250 W (Tc) | |||||||
 | HZU11B2TRF-E | 0,1400 | | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
| 2SK2225-80-E#T2 | 6.6800 | | 235 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Attivo | 150°C | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | MOSFET (ossido di metallo) | TO-3PFM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | CanaleN | 1500 V | 2A (Ta) | 15 V | 12 Ohm a 1 A, 15 V | 4 V a 1 mA | ±20 V | 990 pF a 10 V | - | 50 W (Tc) | |||||||||
 | H7N0308CF-E | 1.0000 | | 1740 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| HZU4.7B3TRF-E | 0,1300 | | 138 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Obsoleto | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
| HZ12BP-JTK | 0,3800 | | 65 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| 03P5J-AZ | - | | 8189 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
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