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Prodotti a semiconduttore discreti(5680)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
2SA1008-AZ	1.0500	Richiesta di offerta	25	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1
HAT2173N-EL-E	-	Richiesta di offerta	8022	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		MOSFET (ossido di metallo)		8-LFPAK-iV	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	100 V	25A (Ta)		15,3 mOhm a 12,5 A, 10 V	6 V a 20 mA	61 nC a 10 V		4350 pF a 10 V	-	30 W (Tc)
2SK3385(0)-Z-E1-AZ	-	Richiesta di offerta	4874	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									scaricamento	Conformità ROHS3	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	3.000					30A (Tc)
CA3083M96	-	Richiesta di offerta	9841	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	CA3083		500 mW	16-SOIC	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	2.500																										15 V	100mA	10 µA			5PNP	700 mV a 5 mA, 50 mA	40 a 50 mA, 3 V	450 MHz
HZ6B2TD-E	0,1500	Richiesta di offerta	27	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1
BCR20AM-12LBA6#B01	1.6200	Richiesta di offerta	765	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.30.0080	1
2SC2612	2.0900	Richiesta di offerta	1	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1
BCR5AM-12LB#B01	0,7700	Richiesta di offerta	785	Renesas Electronics America Inc	-	Borsa	Obsoleto			Foro passante	TO-220-3				TO-220-3	-	Non applicabile			EAR99	8541.30.0080	1	Separare													Standard	600 V	5A	1,5 V	50A a 60Hz	20 mA
HZ30-1L-E	0,0500	Richiesta di offerta	12	Renesas Electronics America Inc	HZ-L	Massa	Attivo	±2,33%	175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale			400 mW	DO-35	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.10.0050	1																						1 µA a 27 V							30 V	200 ohm
RD8.2E-T4	0,0600	Richiesta di offerta	25	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito			1
RD4.3F-T7-AZ	0,2200	Richiesta di offerta	77	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.10.0050	1
2SC4783-T1-A	-	Richiesta di offerta	4222	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.21.0075	3.000
RKR0303AKJ#R6	0,1200	Richiesta di offerta	656	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Obsoleto			Montaggio superficiale	SC-79, SOD-523	RKR0303	Schottky		2-UFP	-	Non applicabile			EAR99	8541.10.0070	8.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																		30 V	420 mV a 300 mA	200 µA a 30 V	125°C (massimo)	300mA	-
2SC2979-03-E	-	Richiesta di offerta	4438	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	1
HZ12BPTK-E	0,3600	Richiesta di offerta	205	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.10.0050	1
NP40N10YDF-E1-AY	-	Richiesta di offerta	7762	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerLDFN		MOSFET (ossido di metallo)		8-HSSON	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	100 V	40A (Tc)	4,5 V, 10 V	25 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	71 nC a 10 V	±20 V	3150 pF a 25 V	-	1 W (Ta), 120 W (Tc)
RD8.2E(N)-T2	0,1100	Richiesta di offerta	15	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.10.0050	5.000
RD9.1MW-A	-	Richiesta di offerta	7761	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.10.0050	1
RJP4006AGE-00#P5	0,9200	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	3.000
HZS10NB1TA-E	0,1100	Richiesta di offerta	4	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.10.0050	1
NP75P03YDG-E1-AY	2.0600	Richiesta di offerta	6	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, piazzola esposta conduttore piatto	NP75P03	MOSFET (ossido di metallo)		8-HSSON	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	2.500			Canale P	30 V	75A (Tc)	5 V, 10 V	6,2 mOhm a 37,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	141 nC a 10 V	±20 V	4800 pF a 25 V	-	1 W (Ta), 138 W (Tc)
FS50KM-06#B00	2.1100	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo					FS50KM	-			-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8542.39.0001	1												-
N413	0,1800	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.30.0080	1
HZ5B3TD-E	0,1000	Richiesta di offerta	41	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0050	1
2SK1318-90-E	2.9000	Richiesta di offerta	6942	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.29.0095	102
2SK1527-E	-	Richiesta di offerta	4254	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	6
HZ3CLLTD-E	0,1700	Richiesta di offerta	4	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.10.0050	1
2SK3984-ZK-E1-AY	0,8700	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (MP-3ZK)	scaricamento	Conformità ROHS3			EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	100 V	18A (Tc)		85 mOhm a 9 A, 10 V	-	13 nC a 10 V		750 pF a 10 V	-	1W (Ta), 20W (Tc)
2SK2737-E	-	Richiesta di offerta	8701	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1
NP90N04VUK-E1-AY	1.7700	Richiesta di offerta	4	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NP90N04	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	40 V	90A (Tc)	10 V	2,8 mOhm a 45 A, 10 V	4 V a 250 µA	102 nC a 10 V	±20 V	5850 pF a 25 V	-	1,2 W (Ta), 147 W (Tc)