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Prodotti a semiconduttore discreti(5680)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Td (acceso/spento) @ 25°C	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
NP179N04TUK-E1-AY	6.9400	Richiesta di offerta	2736	Renesas Electronics America Inc	Automobilistico, AEC-Q101	Striscia	Attivo		175°C	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		TO-263-7	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800	CanaleN			40 V	180A(Tc)	10 V	1,25 mOhm a 90 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	13350 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 288 W (Tc)
RD12ES-T4-AZ	0,0500	Richiesta di offerta	863	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
NP70N10KUF-E2-AY	-	Richiesta di offerta	2226	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto										-	Conformità ROHS3	Venditore non definito			OBSOLETO	0000.00.0000	3.000					70A (Tc)
HZ2A2-E	1.0000	Richiesta di offerta	4482	Renesas Electronics America Inc	HZ	Massa	Attivo	±5%	175°C (TJ)	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale				500 mW	DO-35	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1														25 µA a 500 mV								2 V	100 ohm
HZC6.2Z4JTRF-E	0,2400	Richiesta di offerta	96	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	4.000
HZ5A2TA-E	0,1100	Richiesta di offerta	10	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1
HZS33-2LTD-E	0,1000	Richiesta di offerta	17	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1
RJK0352DSP-00#J0	0,5700	Richiesta di offerta	182	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN			30 V	18A (Ta)		5,6 mOhm a 9 A, 10 V	-	16 nC a 4,5 V		2440 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
1SS119-14TA-E	0,1100	Richiesta di offerta	200	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	1
RD2.0ES-T4-AZ	0,0600	Richiesta di offerta	50	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
RJK03M4DPA-WS#J5A	-	Richiesta di offerta	8508	Renesas Electronics America Inc	*	Vassoio	Obsoleto										-				559-RJK03M4DPA-WS#J5A	OBSOLETO		1
RJK0452DPB-WS#J5	-	Richiesta di offerta	2633	Renesas Electronics America Inc	*	Vassoio	Obsoleto										-				559-RJK0452DPB-WS#J5	OBSOLETO		1
RJP4055DPP-91#T2	1.0000	Richiesta di offerta	9297	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
2SC3357-T1-A	1.0000	Richiesta di offerta	6366	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA				1,2 W	SOT-89	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	0000.00.0000	1			10dB													12V	100mA							NPN	50 a 20 mA, 10 V	6,5GHz	1,8 dB a 1 GHz
HZ6B1L2TA-E	0,1000	Richiesta di offerta	10	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
RJK0351DPA-03#J0B	0,8500	Richiesta di offerta	7	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	2.500
RJK1002DPP-A0#T2	4.4700	Richiesta di offerta	1710	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo		150°C	Foro passante	TO-220-3	RJK1002		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220ABA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25	CanaleN			100 V	70A (Ta)	10 V	7,6 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 1 mA	94 nC a 10 V	±20 V	6450 pF a 10 V	-	30 W (Ta)
RD100E-T1-AZ	0,0700	Richiesta di offerta	3	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
HZK12A-JTR	0,1500	Richiesta di offerta	282	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	2.500
UPA2814T1S-E2-AT	0,5837	Richiesta di offerta	3707	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	UPA2814		MOSFET (ossido di metallo)		8-HWSON (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	-1161-UPA2814T1S-E2-ATCT	EAR99	8541.29.0095	5.000	Canale P			30 V	24A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,8 mOhm a 24 A, 5 V	-	74 nC a 10 V	±20 V	2800 pF a 10 V	-	1,5 W(Ta)
HZS36-3LTD-E	0,1100	Richiesta di offerta	12	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1
UPD3747AD-A	44.2500	Richiesta di offerta	12	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8473.30.1180	1
HZM12NB2JTR	0,1700	Richiesta di offerta	35	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	3.000
RJP5001APP-M0#T2	-	Richiesta di offerta	6375	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	RJP5001	Standard		45 W	TO-220FL	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1		300 V, 300 A, 30 Ohm, 12 V													-	500 V		300 A	10 V a 12 V, 300 A	-	100ns/200ns
RJK0456DPB-WS#J5	-	Richiesta di offerta	8779	Renesas Electronics America Inc	*	Vassoio	Obsoleto										scaricamento				559-RJK0456DPB-WS#J5	OBSOLETO		1
HZ33-3-E	0,1100	Richiesta di offerta	15	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
HZK36-3-90TR	0,1100	Richiesta di offerta	77	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	2.500
UPA2376T1P-E1-A#YK1	-	Richiesta di offerta	2050	Renesas Electronics America Inc	*	Vassoio	Obsoleto					UPA2376		-			-				559-UPA2376T1P-E1-A#YK1	OBSOLETO		1												-
RQA0005QXDQS#H1	-	Richiesta di offerta	9280	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C	Montaggio superficiale	TO-243AA			MOSFET (ossido di metallo)		UPAK	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN			16 V	800mA (Ta)	-	-	750 mV a 1 mA		±5 V	22 pF a 0 V	-	9 W (Tc)
HZS3BLLTA-E	0,1000	Richiesta di offerta	15	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo										scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1