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Prodotti a semiconduttore discreti(32)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tecnologia Pacchetto dispositivo del fornitore Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F
SDS065J004D3 Sanan Semiconductor SDS065J004D3 1.6100
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 ECAD 7809 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-252-2L Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8541.10.0000 2.500 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,5 V a 4 A 0 ns 12 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 14A 213pF a 0 V, 1 MHz
SDS120J010H3 Sanan Semiconductor SDS120J010H3 5.0100
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 ECAD 5247 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS120J010H3 EAR99 8541.10.0000 300 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 1,5 V a 10 A 0 ns 30 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 36A 780pF a 0 V, 1 MHz
SDS120J002D3 Sanan Semiconductor SDS120J002D3 1.4200
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 ECAD 4074 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-252-2L Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8541.10.0000 2.500 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 1,5 V a 2 A 0 ns 8 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 11A 165 pF a 0 V, 1 MHz
SDS120J020G3 Sanan Semiconductor SDS120J020G3 8.0400
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 ECAD 2728 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS120J020G3 EAR99 8541.10.0000 300 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1 paio di catodo comune 1200 V 36A 1,5 V a 10 A 0 ns 30 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
SDS065J020H3 Sanan Semiconductor SDS065J020H3 6.3000
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 ECAD 2667 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS065J020H3 EAR99 8541.10.0000 300 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,5 V a 20 A 0 ns 40 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 51A 1018pF a 0 V, 1 MHz
SDS120J005D3 Sanan Semiconductor SDS120J005D3 2.8000
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 ECAD 1989 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-252-2L Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8541.10.0000 2.500 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 1,5 V a 5 A 0 ns 20 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 22A 400pF a 0 V, 1 MHz
SDS120J030H3 Sanan Semiconductor SDS120J030H3 10.8300
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 ECAD 9338 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS120J030H3 EAR99 8541.10.0000 300 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 1,5 V a 30 A 0 ns 72 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 95A 2546pF a 0 V, 1 MHz
SDS120J010C3 Sanan Semiconductor SDS120J010C3 5.2700
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 ECAD 5757 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS120J010C3 EAR99 8541.10.0000 1.000 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 1,5 V a 10 A 0 ns 30 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 37A 780pF a 0 V, 1 MHz
SDS120J005C3 Sanan Semiconductor SDS120J005C3 2.9500
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 ECAD 1507 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS120J005C3 EAR99 8541.10.0000 1.000 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 1,5 V a 5 A 0 ns 20 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 22A 400 pF a 0 V, 1 MHz
SDS065J016H3 Sanan Semiconductor SDS065J016H3 5.9300
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 ECAD 5280 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS065J016H3 EAR99 8541.10.0000 300 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,5 V a 16 A 0 ns 48 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 44A 837pF a 0 V, 1 MHz
SDS065J006E3 Sanan Semiconductor SDS065J006E3 2.4600
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 ECAD 7074 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263-2L Conformità ROHS3 3 (168 ore) 5023-SDS065J006E3 EAR99 8541.10.0000 800 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,5 V a 6 A 0 ns 20 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 20A 310 pF a 0 V, 1 MHz
SDS120J002C3 Sanan Semiconductor SDS120J002C3 1.7000
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 ECAD 1625 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS120J002C3 EAR99 8541.10.0000 1.000 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 1,5 V a 2 A 0 ns 8 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 11A 165 pF a 0 V, 1 MHz
SDS065J012C3 Sanan Semiconductor SDS065J012C3 3.6800
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 ECAD 4729 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS065J012C3 EAR99 8541.10.0000 1.000 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,5 V a 12 A 0 ns 36 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 37A 651pF a 0 V, 1 MHz
SDS065J016C3 Sanan Semiconductor SDS065J016C3 5.2700
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 ECAD 6166 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS065J016C3 EAR99 8541.10.0000 1.000 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,5 V a 16 A 0 ns 48 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 44A 837pF a 0 V, 1 MHz
SDS065J020G3 Sanan Semiconductor SDS065J020G3 6.3000
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 ECAD 3807 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS065J020G3 EAR99 8541.10.0000 300 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1 paio di catodo comune 650 V 30A 1,5 V a 10 A 0 ns 30 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
SDS065J016G3 Sanan Semiconductor SDS065J016G3 5.5300
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 ECAD 9398 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS065J016G3 EAR99 8541.10.0000 300 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 650 V 25A 1,5 V a 8 A 24 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
SDS120J027H3 Sanan Semiconductor SDS120J027H3 10.8900
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 ECAD 5197 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS120J027H3 EAR99 8541.10.0000 300 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 1,8 V a 27 A 0 ns 80 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 77A 1761pF a 0 V, 1 MHz
SDS065J010E3 Sanan Semiconductor SDS065J010E3 2.8000
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 ECAD 1387 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263-2L Conformità ROHS3 3 (168 ore) 5023-SDS065J010E3 EAR99 8541.10.0000 800 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,5 V a 10 A 0 ns 30 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 30A 556pF a 0 V, 1 MHz
SDS120J010D3 Sanan Semiconductor SDS120J010D3 5.1200
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 ECAD 9659 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-252-2L Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8541.10.0000 2.500 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 1,5 V a 10 A 0 ns 30 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 37A 780pF a 0 V, 1 MHz
SDS065J040G3 Sanan Semiconductor SDS065J040G3 10.6200
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 ECAD 7453 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS065J040G3 EAR99 8541.10.0000 300 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1 paio di catodo comune 650 V 51A 1,5 V a 20 A 0 ns 40 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
SDS065J004C3 Sanan Semiconductor SDS065J004C3 1.1000
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 ECAD 6146 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS065J004C3 EAR99 8541.10.0000 1.000 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,5 V a 4 A 0 ns 12 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 14A 213pF a 0 V, 1 MHz
SDS065J006C3 Sanan Semiconductor SDS065J006C3 2.4200
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 ECAD 6272 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS065J006C3 EAR99 8541.10.0000 1.000 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,5 V a 6 A 0 ns 20 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 20A 310 pF a 0 V, 1 MHz
SDS065J030G3 Sanan Semiconductor SDS065J030G3 8.5100
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 ECAD 1351 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS065J030G3 EAR99 8541.10.0000 300 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1 paio di catodo comune 650 V 44A 1,5 V a 15 A 0 ns 48 µA a 650 V -55°C ~ 175°C
SDS065J006S3 Sanan Semiconductor SDS065J006S3 2.3000
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 ECAD 1961 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-PotenzaVSFN SiC (carburo di silicio) Schottky 4-DFN (8x8) Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8541.10.0000 3.000 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,5 V a 6 A 0 ns 18 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 23A 310 pF a 0 V, 1 MHz
SDS120J010G3 Sanan Semiconductor SDS120J010G3 5.7900
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 ECAD 8702 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-3 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS120J010G3 EAR99 8541.10.0000 300 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1 paio di catodo comune 1200 V 20A 1,5 V a 5 A 0 ns 20 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
SDS065J020C3 Sanan Semiconductor SDS065J020C3 5.7900
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 ECAD 3621 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220-2L Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS065J020C3 EAR99 8541.10.0000 1.000 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,5 V a 20 A 0 ns 40 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 51A 1018pF a 0 V, 1 MHz
SDS120J010E3 Sanan Semiconductor SDS120J010E3 5.2700
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 ECAD 4536 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SiC (carburo di silicio) Schottky TO-263-2L Conformità ROHS3 3 (168 ore) 5023-SDS120J010E3 EAR99 8541.10.0000 800 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1200 V 1,5 V a 10 A 0 ns 30 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C 37A 780pF a 0 V, 1 MHz
SDS065J010N3 Sanan Semiconductor SDS065J010N3 3.0600
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 ECAD 4699 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Tubo Attivo Conformità ROHS3 Non applicabile 5023-SDS065J010N3 EAR99 8541.10.0000 1.000
SDS065J002D3 Sanan Semiconductor SDS065J002D3 1.1000
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 ECAD 9845 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-252-2L Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8541.10.0000 2.500 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 650 V 1,5 V a 2 A 0 ns 8 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 9A 113pF a 0 V, 1 MHz
SDS065J008S3 Sanan Semiconductor SDS065J008S3 2.8300
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 ECAD 8248 0.00000000 Semiconduttore Sanan - Nastro e bobina (TR) Attivo Conformità ROHS3 3 (168 ore) EAR99 8541.10.0000 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

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    Produttori mondiali

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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