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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CBR06P65HL | 1.9900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Bruckewell | - | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-PowerTSFN | SiC (carburo di silicio) Schottky | 4-DFN (8x8) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 10 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 20 µA a 650 V | -55°C ~ 150°C | 18A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSHM30N46 | 0,4500 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Bruckewell | DFN3X3 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | MOSFET (ossido di metallo) | DFN3333 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | RAGGIUNGERE Interessato | 4727-MSHM30N46TR | EAR99 | 1 | CanaleN | 30 V | 46A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 9 mOhm a 15 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | ±20 V | Standard | - | ||||||||||||||
![]() | CBR20120PC | 12.0100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Bruckewell | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220-3L | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 10 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 1200 V | 20A | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 100 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||
![]() | MS23P05 | 0,1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Bruckewell | SOT-23 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | RAGGIUNGERE Interessato | 4727-MS23P05TR | EAR99 | 1 | Canale P | 20 V | 3.1A (Ta) | 1,8 V, 10 V | 55 mOhm a 3 A, 10 V | 1,2 V a 250 µA | 9,7 nC a 4,5 V | ±12V | 686 pF a 15 V | - | 1 W (Ta) | ||||||||||||
![]() | MS40N05 | 0,1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Bruckewell | SOT-23 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | RAGGIUNGERE Interessato | 4727-MS40N05TR | EAR99 | 1 | CanaleN | 40 V | 5A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 32 mOhm a 4 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 5,5 nC a 4,5 V | ±20 V | 593 pF a 15 V | - | 1,25 W(Ta) | ||||||||||||
![]() | CBR10P65HL | 2.7300 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | Bruckewell | - | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-PowerTSFN | SiC (carburo di silicio) Schottky | 4-DFN (8x8) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 10 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 25 µA a 650 V | -55°C ~ 150°C | 30A | - | ||||||||||||||||||
![]() | CBR08P65D | 2.2500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Bruckewell | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro tagliato (CT) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252-2L | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 10 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 8 A | 0 ns | 25 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 29A | - | ||||||||||||||||||
![]() | US1M | 0,3600 | ![]() | 81 | 0.00000000 | Bruckewell | SMA | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | RAGGIUNGERE Interessato | 4727-US1MTR | EAR99 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,7 V a 2 A | 75 ns | -55°C ~ 150°C | 1A | ||||||||||||||||||
![]() | CBR10P65 | 2.7300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Bruckewell | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220-2L | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 10 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 25 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 29A | - | ||||||||||||||||||
![]() | CBR20P65PC | 5.1900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Bruckewell | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220-3L | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 10 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 650 V | 21A | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 25 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C |

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