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Prodotti a semiconduttore discreti(4)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Funzionalità FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CGD65B130S2-T13 | 6.7400 |  | 4 | 0.00000000 | Dispositivi GaN Cambridge | ICeGaN™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | GaNFET (nitruro di gallio) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | - | 650 V | 12A (Tc) | 9 V, 20 V | 182 mOhm a 900 mA, 12 V | 4,2 V a 4,2 mA | 2,3 nC a 12 V | +20 V, -1 V | Rilevamento corrente | |
 | CGD65A130S2-T13 | 6.5600 | | 3 | 0.00000000 | Dispositivi GaN Cambridge | ICeGaN™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 16-PotenzaVDFN | GaNFET (nitruro di gallio) | 16-DFN (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.500 | - | 650 V | 12A (Tc) | 12V | 182 mOhm a 900 mA, 12 V | 4,2 V a 4,2 mA | 2,3 nC a 12 V | +20 V, -1 V | Rilevamento corrente | |
 | CGD65A055S2-T07 | 15.8000 | | 967 | 0.00000000 | Dispositivi GaN Cambridge | ICeGaN™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 16-PotenzaVDFN | GaNFET (nitruro di gallio) | 16-DFN (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 650 V | 27A(Tc) | 12V | 77 mOhm a 2,2 A, 12 V | 4,2 V a 10 mA | 6 nC a 12 V | +20 V, -1 V | Rilevamento corrente | ||
 | CGD65B200S2-T13 | 4.7800 | | 4 | 0.00000000 | Dispositivi GaN Cambridge | ICeGaN™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | GaNFET (nitruro di gallio) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | - | 650 V | 8,5 A(Tc) | 9 V, 20 V | 280 mOhm a 600 mA, 12 V | 4,2 V a 2,75 mA | 1,4 nC a 12 V | +20 V, -1 V | Rilevamento corrente |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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