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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSFCP0212 | 0,6300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, senza piombo | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W (Ta) | 6-CSP (2,15x1,66) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 5.000 | - | 20 V | 12A (Ta) | 6,8 mOhm a 3 A, 4,5 V | 1,2 V a 250 µA | 34,7 nC a 6 V | 2609pF @ 10V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFK3420 | 0,3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (ossido di metallo) | 275 mW(Tc) | SOT-363 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canali N e P complementari | 30 V | 800 mA (Tc), 400 mA (Tc) | 450 mOhm a 300 mA, 4,5 V, 1 Ohm a 300 mA, 4,5 V | 1,2 V a 250 µA | 5,2 nC a 4,5 V, 6,2 nC a 4,5 V | 146 pF a 15 V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK14E | 0,2800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 500 mV a 1 A | 200 µA a 40 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 110 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMDT3904 | 0,2100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 mW | SC-88 (SC-70-6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 40 V | 200mA | 50nA | 2PNP | 300 mV a 5 mA, 50 mA | 100 a 10 mA, 1 V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HS2DA | 0,3700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1 V a 1,5 A | 50 n | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1,5 A | 50 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFD0460 | 0,7300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | CanaleN | 40 V | 60A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 6,7 mOhm a 10 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 32 nC a 4,5 V | ±20 V | 2500 pF a 25 V | - | 62 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5245B | 0,1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | MMSZ52xxB | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123 | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 11 V | 15 V | 16 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SL310B | 0,4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | Schottky | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 750 mV a 3 A | 150 nA a 100 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 220 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP3944 | 0,4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (3,1x3,05) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 45A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 7,9 mOhm a 15 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 23 nC a 10 V | ±20 V | 1350 pF a 15 V | - | 30 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFU6522 | 2.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4786-GSFU6522 | EAR99 | 8541.21.0080 | 50 | CanaleN | 650 V | 20A (Tc) | 10 V | 190 mOhm a 10 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 70 nC a 10 V | ±30 V | 2100 pF a 100 V | - | 45 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFB3910L | 0,4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 6-DFN (2x2) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 10A | 4,5 V, 10 V | 13 mOhm a 6 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 7,4 nC a 4,5 V | ±20 V | 620 pF a 25 V | - | 2,01 W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54A | 0,1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 1 paio di anodo comune | 30 V | 200mA | 1 V a 100 mA | 5 nn | 2 µA a 25 V | -65°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBC857CW | 0,1700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | 150 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | PNP | 650 mV a 5 mA, 100 mA | 420 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SL34B | 0,4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | Schottky | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 420 mV a 3 A | 200 nA a 40 V | -55°C ~ 125°C | 3A | 220 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX784B10 | 0,2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-723 | 100 mW | SOD-723 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 8.000 | 900 mV a 10 mA | 200 nA a 7 V | 10 V | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B9V1 | 0,1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | BZX84Bx | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 500 nA a 6 V | 9,1 V | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FSL24 | 0,3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123F | Schottky | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 430 mV a 2 A | 1 µA a 40 V | -55°C ~ 125°C | 2A | 120 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB2S | 0,4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-269AA, 4-BESOP | Standard | TO-269AA (MBS) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1 V a 400 mA | 5 µA a 200 V | 500 mA | Monofase | 200 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B10 | 0,1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | BZX84Bx | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 200 nA a 7 V | 10 V | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB10M | 0,4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 DIP (0,200", 5,08 mm) | Standard | MBM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4786-MB10M | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1 V a 400 mA | 5 µA a 1000 V | 500 mA | Monofase | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40 | 0,1100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 40 V | 1 V a 40 mA | 5 nn | 200 nA a 30 V | -55°C ~ 125°C | 200mA | 4pF a 0 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5551 | 0,1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 160 V | 600 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 200 mV a 5 mA, 50 mA | 100 a 10 mA, 5 V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFN0982 | 0,8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerWDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 100 V | 48A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 13,6 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 55 nC a 10 V | ±20 V | 3280 pF a 50 V | - | 61 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1J | 0,2200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 1 A | 35 ns | 5 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 8 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT589 | 0,3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 310 mW | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 30 V | 1A | 100 nA | PNP | 650 mV a 200 mA, 2 A | 100 a 500 mA, 2 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMA4744A | 0,2900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | 1 W | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | 5 µA a 11,4 V | 15 V | 14 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS12 | 0,2200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123F | Schottky | SOD-123FL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 500 mV a 1 A | 200 nA a 20 V | -55°C ~ 175°C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF7320 | 0,3400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOT-723 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-723 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 8.000 | CanaleN | 20 V | 800mA (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 300 mOhm a 500 mA, 4,5 V | 1,2 V a 250 µA | 1 nC a 4,5 V | ±12V | 75 pF a 10 V | - | 450 mW | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP0255 | 0,5400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (3,1x3,05) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canale P | 20 V | 55A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 8,3 mOhm a 12 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 45 nC a 4,5 V | ±10 V | 5000 pF a 10 V | - | 51 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT619 | 0,3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 50 V | 2A | 100nA (ICBO) | NPN | 220 mV a 100 mA, 2 A | 300 a 200 mA, 2 V | 100 MHz |

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