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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSFW0501 | 0,2200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-101, SOT-883 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-883 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 10.000 | Canale P | 50 V | 130mA (Ta) | 5 V, 10 V | 6 Ohm a 130 mA, 10 V | 3 V a 250 µA | ±20 V | 32 pF a 20 V | - | 150mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20100CT | 0,5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata | Schottky | ITO-220-AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4786-MBR20100CT | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 1 paio di catodo comune | 100 V | 10A | 200 nA a 100 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX784B5V1 | 0,2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±1,96% | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-723 | 100 mW | SOD-723 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 8.000 | 900 mV a 10 mA | 2 µA a 2 V | 5,1 V | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSF7002DW | 0,2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (ossido di metallo) | 150mW (Ta) | SC-88 (SC-70-6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 canali N | 60 V | 340mA (Ta) | 5 Ohm a 500 mA, 10 V | 2,5 V a 1 mA | - | 40 pF a 10 V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFP4806 | 0,8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 46 W (Tc) | 8-PPAK (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 canali N | 40 V | 30A (Tc) | 9 mOhm a 8 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 24nC a 4,5 V | 2200 pF a 25 V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFD3906 | 0,4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 80A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 6 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 11,1 nC a 4,5 V | ±20 V | 1160 pF a 25 V | - | 54 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5258B | 0,1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | MMSZ52xxB | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123 | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 27 V | 36 V | 70 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF8309S | 0,3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canale P | 30 V | 3,8A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 75 mOhm a 3 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 6 nC a 4,5 V | ±25 V | 665 pF a 15 V | - | 1,56 W(Ta) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GSF2315 | 0,4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Canale P | 20 V | 1,5 A(Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 90 mOhm a 1 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 8 nC a 4,5 V | ±10 V | 510 pF a 15 V | - | 312 mW (Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD7000 | 0,1400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Standard | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 100 V | 500mA | 1,1 V a 100 mA | 4nn | 3 µA a 100 V | 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBC817-40W | 0,1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | 200 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100nA (ICBO) | NPN | 700mV a 50mA, 500mA | 250 a 100 mA, 1 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSTP0240S | 0,3400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-90, SOD-323F | Schottky | SOD-323HS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 15.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 600 mV a 2 A | 250 µA a 40 V | -55°C ~ 150°C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGC1045S | 0,5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-277, 3-PowerDFN | Schottky | TO-277 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 45 V | 550 mV a 10 A | 350 µA a 40 V | -55°C ~ 150°C | 10A | 950 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSF3400 | 0,3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 5,6A(Ta) | 2,5 V, 10 V | 27 mOhm a 5,6 A, 10 V | 1,5 V a 250 µA | 4,8 nC a 4,5 V | ±12V | 535 pF a 15 V | - | 1,2 W (Ta) |

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