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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tolleranza | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) | Impedenza (max) (Zzt) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ5250B | 0,1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | MMSZ52xxB | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOD-123 | 500 mW | SOD-123 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 15 V | 20 V | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU4A | 0,8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBU | Standard | GBU | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4786-GBU4A | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V a 2 A | 5 µA a 50 V | 3A | Monofase | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1D | 0,2200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Standard | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 950 mV a 1 A | 35 ns | 5 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 1A | 10 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B5V1 | 0,1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | BZX84Bx | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 2 µA a 2 V | 5,1 V | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFF0308 | 0,3500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-723 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-723 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 8.000 | CanaleN | 30 V | 780mA (Ta) | 2,5 V, 4,5 V | 450 mOhm a 300 mA, 4,5 V | 1,2 V a 250 µA | 5,2 nC a 4,5 V | ±12V | 146 pF a 15 V | - | 446 mW (Ta) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S3134K | 0,2200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-723 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-723 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 8.000 | CanaleN | 20 V | 750mA (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 380 mOhm a 650 mA, 4,5 V | 1,1 V a 250 µA | ±12V | 120 pF a 16 V | - | 150mW (Ta) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84 | 0,1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canale P | 50 V | 130mA (Ta) | 5 V, 10 V | 10 Ohm a 100 mA, 5 V | 2 V a 250 µA | ±20 V | 30 pF a 5 V | - | 225 mW | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS516 | 0,1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-79, SOD-523 | Standard | SOD-523 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 75 V | 1,25 V a 150 mA | 4nn | 1 µA a 75 V | -55°C ~ 150°C | 250 mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSPSL33 | 0,4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123H | Schottky | SOD-123HS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 450 mV a 2 A | 150 µA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 210 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSPS23 | 0,3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SOD-123H | Schottky | SOD-123HS | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 510 mV a 2 A | 50 µA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 120 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS138 | 0,1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 50 V | 220mA(Tj) | 4,5 V, 10 V | 3,5 Ohm a 220 mA, 10 V | 1,5 V a 250 µA | 2,4 nC a 10 V | ±20 V | 30 pF a 25 V | - | 430 mW | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF3402 | 0,3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 5A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 30 mOhm a 5 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 15 nC a 4,5 V | ±20 V | 1050 pF a 25 V | - | 1,38 W(Ta) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBCP54-16 | 0,4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | 1,5 W | SOT-223 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | 45 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV a 50mA, 500mA | 63 a 150 mA, 2 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK2C0A | 0,3700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 7.500 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 850 mV a 2 A | 30 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 200 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSF0304 | 0,3500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canale P | 30 V | 4.1A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 65 mOhm a 4,1 A, 10 V | 2,1 V a 250 µA | 13 nC a 10 V | ±20 V | 650 pF a 15 V | - | 1,4 W(Ta) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFN4903 | 0,5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canale P | 40 V | 38A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 14 mOhm a 15 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 40 nC a 10 V | ±20 V | 4000 pF a 25 V | - | 52 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54 | 0,1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Schottky | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità | 30 V | 1 V a 100 mA | 5 nn | 2 µA a 25 V | -65°C ~ 150°C | 200mA | 10 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFQ3910 | 0,4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 10A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 12 mOhm a 10 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 12 nC a 4,5 V | ±20 V | 900 pF a 25 V | - | 2,1 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFC0603 | 0,4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canale P | 60 V | 3A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 95 mOhm a 2 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 15 nC a 10 V | ±20 V | 1178 pF a 30 V | - | 1,56 W(Ta) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP03101 | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (5,1x5,71) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canale P | 30 V | 100A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,3 mOhm a 30 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 210 nC a 10 V | ±20 V | 12.000 pF a 25 V | - | 138 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP1040 | 0,6600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (5,1x5,71) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 100 V | 40A (Tc) | 10 V | 18 mOhm a 15 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 18 nC a 10 V | ±20 V | 1300 pF a 50 V | - | 83 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84B8V2 | 0,1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | BZX84Bx | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±2% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 700 nA a 5 V | 8,2 V | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3J | 0,3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AB, SMC | Standard | DO-214AB (SMC) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,7 V a 3 A | 35 ns | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 3A | 40 pF a 4 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SL23B | 0,4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | DO-214AA, PMI | Schottky | DO-214AA (PMI) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 400 mV a 2 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 2A | 175 pF a 4 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSFU6511 | 1.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4786-SSFU6511 | EAR99 | 8541.21.0080 | 50 | CanaleN | 650 V | 11,5 A(Tc) | 10 V | 360 mOhm a 7 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 19 nC a 10 V | ±30 V | 870 pF a 50 V | - | 32,6 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2320Y | 0,2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | SOT-523 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-523 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 800 mA(Tc) | 1,2 V, 4,5 V | 300 mOhm a 500 mA, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 1 nC a 4,5 V | ±8 V | 75 pF a 10 V | - | 312 mW (Tc) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C10 | 0,1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | BZX84Cx | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±6% | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 200 nA a 7 V | 10 V | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2341E | 0,4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canale P | 20 V | 4A(Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 43 mOhm a 4 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 10 nC a 4,5 V | ±8 V | 939 pF a 10 V | - | 1,4 W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MURB1620CT | 0,7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | Standard | TO-263 (D2Pak) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 8A | 1 V a 8 A | 35 ns | 10 µA a 200 V | -65°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5244BS | 0,1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | ±5% | - | Montaggio superficiale | SC-76, SOD-323 | 200 mW | SOD-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 mV a 10 mA | 100 nA a 10 V | 14 V | 600 Ohm |

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