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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tensione - Rottura (V(BR)GSS) | Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Resistenza - RDS(On) | Assorbimento di corrente (Id) -Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UF3SC065040B7S | 12.9200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Qorvo | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA | SiCFET (Cascode SiCJFET) | D2PAK-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 650 V | 43A(Tc) | 12V | 52 mOhm a 30 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 43 nC a 12 V | ±25 V | 1500 pF a 100 V | - | 195 W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | UJ4SC075011B7S | 30.5600 | ![]() | 9059 | 0.00000000 | Qorvo | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA | UJ4SC075 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | D2PAK-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 750 V | 104A(Tc) | 12V | 14,2 mOhm a 60 A, 12 V | 5,5 V a 10 mA | 75 nC a 15 V | ±20 V | 3245 pF a 400 V | - | 357 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | UJ3D1210TS | 6.0900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | UJ3D1210 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UJ3D1210TS | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,6 V a 10 A | 0 ns | 110 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 510pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | UF3N170400B7S | 9.0500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Qorvo | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA | 68 W | D2PAK-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 1700 V | 225 pF a 100 V | 1700 V | 2,2 µA a 1700 V | 500 mOhm | 6,8 A | ||||||||||||||||||||
![]() | UJ3N120065K3S | 16.4900 | ![]() | 805 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | UJ3N120065 | 254 W | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UJ3N120065K3S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1200 V | 1008 pF a 100 V | 1200 V | 5 µA a 1200 V | 55 mOhm | 34A | ||||||||||||||||||
![]() | UJ4SC075008L8S | 51.4400 | ![]() | 200 | 0.00000000 | Qorvo | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSFN | UJ4SC075 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | PEDAGGIO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | CanaleN | 750 V | 106A(Tc) | 12V | 11,4 mOhm a 70 A, 12 V | 5,5 V a 10 mA | 75 nC a 15 V | ±20 V | 3340 pF a 400 V | - | 600 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | UJ3C065030B3 | 18.6700 | ![]() | 7595 | 0.00000000 | Qorvo | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | UJ3C065030 | TO-263 (D2Pak) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 650 V | 65A (Tc) | 12V | 35 mOhm a 50 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 51 nC a 15 V | ±25 V | 1500 pF a 100 V | - | 242 W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | UJ4C075018K3S | 18.4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | UJ4C075 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UJ4C075018K3S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 750 V | 81A(Tc) | 23 mOhm a 20 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 37,8 nC a 15 V | ±20 V | 1422 pF a 100 V | - | 385 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | UJ3D06506TS | 2.7300 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Qorvo | Gen-III | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | UJ3D06506 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UJ3D06506TS | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 6 A | 0 ns | 40 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 6A | 196 pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | UJ4C075033K4S | 11.4000 | ![]() | 9250 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-4 | UJ4C075 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | TO-247-4 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2312-UJ4C075033K4S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 750 V | 47A(Tc) | 12V | 41 mOhm a 30 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 37,8 nC a 15 V | ±20 V | 1400 pF a 400 V | - | 242 W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | UF3C065030B3 | 18.6700 | ![]() | 1948 | 0.00000000 | Qorvo | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | UF3C065030 | TO-263 (D2Pak) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 650 V | 65A (Tc) | 12V | 35 mOhm a 40 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 51 nC a 15 V | ±25 V | 1500 pF a 100 V | - | 242 W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | UJ4C075023B7S | 15.8300 | ![]() | 568 | 0.00000000 | Qorvo | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA | UJ4C075 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | D2PAK-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 750 V | 64A(Tc) | 12V | 29 mOhm a 40 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 37,8 nC a 15 V | ±20 V | 1400 pF a 400 V | - | 278 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | UF4SC120023K4S | 30.2800 | ![]() | 106 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-4 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | TO-247-4 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2312-UF4SC120023K4S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1200 V | 53A(Tc) | 12V | 29 mOhm a 40 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 37,8 nC a 15 V | ±20 V | 1430 pF a 800 V | - | 385 W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | UJ4C075060K4S | 10.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-4 | UJ4C075 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | TO-247-4 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UJ4C075060K4S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 750 V | 28A (Tc) | 74 mOhm a 20 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 37,8 nC a 15 V | ±20 V | 1422 pF a 100 V | - | 155 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | UF3C120080K3S | 15.1900 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | UF3C120080 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UF3C120080K3S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1200 V | 33A(Tc) | 12V | 100 mOhm a 20 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 51 nC a 15 V | ±25 V | 1500 pF a 100 V | - | 254,2 W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | UF3C065040K4S | 13.8200 | ![]() | 5167 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-4 | UF3C065040 | TO-247-4 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UF3C065040K4S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 650 V | 54A(Tc) | 12V | 52 mOhm a 40 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 43 nC a 12 V | ±25 V | 1500 pF a 100 V | - | 326 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | UJ3N120035K3S | 27.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | UJ3N120035 | 429 W | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UJ3N120035K3S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1200 V | 2145 pF a 100 V | 1200 V | 45 mOhm | 63A | |||||||||||||||||||
![]() | UJ3D06510TS | 3.2800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Qorvo | Gen-III | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | UJ3D06510 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UJ3D06510TS | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 10 A | 0 ns | 60 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 327pF a 1 V, 1 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | UJ4C075023K3S | 14.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C | Foro passante | TO-247-3 | UJ4C075 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2312-UJ4C075023K3S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 750 V | 66A(Tc) | 12V | 29 mOhm a 40 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 37,8 nC a 15 V | ±20 V | 1400 pF a 400 V | - | 306 W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | UF3C120150B7S | 8.5200 | ![]() | 786 | 0.00000000 | Qorvo | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA | SiCFET (Cascode SiCJFET) | D2PAK-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 1200 V | 17A(Tc) | 12V | 180 mOhm a 5 A, 12 V | 5,5 V a 10 mA | 25,7 nC a 12 V | ±25 V | 738 pF a 100 V | - | 136 W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | UF3SC120016K3S | 50.6000 | ![]() | 247 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | UF3SC120016 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UF3SC120016K3S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1200 V | 107A(Tc) | 12V | 21 mOhm a 50 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 218 nC a 15 V | ±20 V | 7824 pF a 800 V | - | 517 W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | UF3C120080K4S | 15.2100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-4 | UF3C120080 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | TO-247-4 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UF3C120080K4S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1200 V | 33A(Tc) | 12V | 100 mOhm a 20 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 43 nC a 12 V | ±25 V | 1500 pF a 100 V | - | 254,2 W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | UJ3D06512TS | 4.3200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-220-2 | UJ3D06512 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-220-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UJ3D06512TS | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 12 A | 0 ns | 80 µA a 650 V | -55°C ~ 175°C | 12A | 392pF @ 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | UJ3C065080K3S | 8.1900 | ![]() | 8069 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | UJ3C065080 | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UJ3C065080K3S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 650 V | 31A(Tc) | 12V | 111 mOhm a 20 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 51 nC a 15 V | ±25 V | 1500 pF a 100 V | - | 190 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | UJ4SC075009B7S | 39.7200 | ![]() | 392 | 0.00000000 | Qorvo | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA | UJ4SC075 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | D2PAK-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 750 V | 106A(Tc) | 12V | 11,5 mOhm a 70 A, 12 V | 5,5 V a 10 mA | 75 nC a 15 V | ±20 V | 3340 pF a 400 V | - | 375 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | UF4SC120030K4S | 25.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-4 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | TO-247-4 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2312-UF4SC120030K4S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1200 V | 53A(Tc) | 12V | 39 mOhm a 20 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 37,8 nC a 800 V | ±20 V | 1450 pF a 15 V | - | 341 W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | UJ4C075060B7S | 8.3700 | ![]() | 676 | 0.00000000 | Qorvo | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA | UJ4C075 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | D2PAK-7 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 750 V | 25,8 A(Tc) | 12V | 74 mOhm a 20 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 37,8 nC a 15 V | ±20 V | 1420 pF a 400 V | - | 128 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | UJ3C120080K3S | 15.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | UJ3C120080 | SiCFET (Cascode SiCJFET) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UJ3C120080K3S | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1200 V | 33A(Tc) | 12V | 100 mOhm a 20 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 51 nC a 15 V | ±25 V | 1500 pF a 100 V | - | 254,2 W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | UJ3D1220KSD | 11.5100 | ![]() | 83 | 0.00000000 | Qorvo | - | Tubo | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | UJ3D1220 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2312-UJ3D1220KSD | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,6 V a 10 A | 0 ns | 220 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 10A | 1020pF a 1V, 1MHz | ||||||||||||||||||
![]() | UF3C065040B3 | 13.1900 | ![]() | 668 | 0.00000000 | Qorvo | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | UF3C065040 | TO-263 (D2Pak) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 650 V | 41A(Tc) | 12V | 52 mOhm a 30 A, 12 V | 6 V a 10 mA | 51 nC a 15 V | ±25 V | 1500 pF a 100 V | - | 176 W(Tc) |

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