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Prodotti a semiconduttore discreti(885)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
DB151	0,3800	Richiesta di offerta	7779	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-EDIP (0,321", 8,15 mm)		Standard		DB-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-DB151	EAR99	8541.10.0080	15.000															1 V a 1,5 A		1 µA a 50 V		1,5 A				Monofase	50 V
RM8N700T2	0,6800	Richiesta di offerta	4384	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM8N700T2		8541.10.0080	5.000		CanaleN	700 V	8A (Tc)	10 V	600 mOhm a 4 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	±30 V	680 pF a 50 V	-	80 W (Tc)
RS607M	0,9800	Richiesta di offerta	7372	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RS-6M		Standard		RS-6M	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RS607M	EAR99	8541.10.0080	2.400															1,1 V a 6 A		5 µA a 1000 V		6A				Monofase	1 kV
MMSZ5232BS	0,0400	Richiesta di offerta	8079	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-30°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323			500 mW	SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-MMSZ5232BSTR	EAR99	8541.10.0080	3.000															900 mV a 10 mA		5 µA a 3 V									5,6 V	11 Ohm
FMD5S	0,3300	Richiesta di offerta	4510	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		Standard		MD-S	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-FMD5STR	EAR99	8541.10.0080	24.000															1,3 V a 400 mA		10 µA a 600 V		500 mA				Monofase	600 V
DTC123JUA	0,0410	Richiesta di offerta	9963	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	DTC123		200 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-DTC123JUATR	EAR99	8541.10.0080	24.000																					50 V	100 mA			500nA			NPN - Prepolarizzato + Diodo	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	2,2 kOhm	46,2 kOhm
MSB407S	0,4100	Richiesta di offerta	8820	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, cavo piatto		Standard		MSBS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-MSB407STR	EAR99	8541.10.0080	24.000															1,1 V a 4 A		1μA a 1000 V		4A				Monofase	1 kV
BAV70	0,0300	Richiesta di offerta	6307	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAV70	Standard		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-BAV70TR	EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)											1 paio di catodo comune	100 V	215 mA (CC)	1,25 V a 150 mA	4nn	500 nA a 70 V	-55°C ~ 150°C
RM2301	0,0420	Richiesta di offerta	2341	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM2301TR		8541.10.0080	30.000		Canale P	20 V	3A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	110 mOhm a 3 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	±12V	405 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
RM150N60HD	0,6700	Richiesta di offerta	5813	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM150N60HDTR		8541.10.0080	8.000		CanaleN	60 V	150A (Tc)	10 V	4,5 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	±20 V	6500 pF a 25 V	-	220 W (Tc)
RM6N800TI	0,8200	Richiesta di offerta	7478	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM6N800TI		8541.10.0080	5.000		CanaleN	800 V	6A(Tj)	10 V	900 mOhm a 4 A, 10 V	4 V a 250 µA	±30 V	1320 pF a 50 V	-	32,4 W(Tc)
RBU805M	0,7900	Richiesta di offerta	8489	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RBU		Standard		RBU	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RBU805M	EAR99	8541.10.0080	2.000															1 V a 8 A		500 nA a 600 V		8A				Monofase	600 V
FM340-W	0,1200	Richiesta di offerta	8285	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-FM340-WTR	EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)														550 mV a 3 A	6 ns	60 µA a 40 V	-55°C ~ 150°C	3A	200 pF a 4 V, 1 MHz
RM6005S4	0,1550	Richiesta di offerta	1297	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM6005S4TR		8541.10.0080	30.000		CanaleN	60 V	5A (Ta)	4,5 V, 10 V	55 mOhm a 4,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	±20 V	450 pF a 25 V	-	2 W (Ta)
2RS101M	0,3600	Richiesta di offerta	1601	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RS-1M		Standard		RS-1M	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-2RS101M	EAR99	8541.10.0080	5.280															1,1 V a 2 A		2 µA a 50 V		2A				Monofase	50 V
KMD80S	0,3800	Richiesta di offerta	4725	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		Schottky		MD-S	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-KMD80STR	EAR99	8541.10.0080	24.000															850 mV a 1 A		200 µA a 80 V		1A				Monofase	80 V
DB153LS	0,3900	Richiesta di offerta	5630	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		Standard		DBLS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-DB153LSTR	EAR99	8541.10.0080	8.000															1 V a 1,5 A		1 µA a 200 V		1,5 A				Monofase	200 V
DB1012	0,3200	Richiesta di offerta	3430	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-EDIP (0,321", 8,15 mm)		Standard		DB-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-DB1012	EAR99	8541.10.0080	15.000															1 V a 1 A		1μA a 1300 V		1A				Monofase	1,3 kV
DB157S	0,3900	Richiesta di offerta	2837	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		Standard		DB-S	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-DB157STR	EAR99	8541.10.0080	8.000															1 V a 1,5 A		1μA a 1000 V		1,5 A				Monofase	1 kV
RS602M	0,9800	Richiesta di offerta	5259	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RS-6M		Standard		RS-6M	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RS602M	EAR99	8541.10.0080	2.400															1,1 V a 6 A		5 µA a 100 V		6A				Monofase	100 V
UMB8F	0,3800	Richiesta di offerta	5746	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, cavo piatto		Standard		4-SOF2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-UMB8FTR	EAR99	8541.10.0080	48.000															1,1 V a 400 mA		5 µA a 800 V		500 mA				Monofase	800 V
RS3504M	2.4800	Richiesta di offerta	6123	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RS-35M		Standard		RS-35M	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RS3504M	EAR99	8541.10.0080	1.200															1 V a 17,5 A		500 nA a 400 V		35A				Monofase	400 V
RS1506M	1.0000	Richiesta di offerta	6511	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RS-15M		Standard		RS-15M	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RS1506M	EAR99	8541.10.0080	1.200															1,05 V a 7,5 A		500 nA a 800 V		15A				Monofase	800 V
RS1006MLS	0,7800	Richiesta di offerta	7174	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 SIP, RS-10MLS		Standard		RS-10MLS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RS1006MLS	EAR99	8541.10.0080	2.000															1,1 V a 5 A		200 nA a 800 V		10A				Monofase	800 V
1F12	0,0550	Richiesta di offerta	1183	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Foro passante	R-1, assiale		Standard		R-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-1F12TR	EAR99	8541.10.0080	20.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1200 V		1,8 V a 500 mA	300 n	5 µA a 1200 V	-55°C ~ 150°C	500mA	15 pF a 4 V, 1 MHz
RM35P30LDV	0,1980	Richiesta di offerta	8698	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252-2	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM35P30LDVTR		8541.10.0080	25.000		Canale P	30 V	35A (Tc)	4,5 V, 10 V	20 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	±20 V	1345 pF a 15 V	-	40 W (Tc)
MDA200G	0,5500	Richiesta di offerta	5940	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RS-1		Standard		RS-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-MDA200G	EAR99	8541.10.0080	4.800															1,1 V a 3,14 A		5 µA a 50 V		2A				Monofase	50 V
RS207M	0,5500	Richiesta di offerta	2	Rectron USA	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RS-2M		Standard		RS-2M	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RS207M	EAR99	8541.10.0080	2.700															1,05 V a 2 A		200 nA a 1000 V		2A				Monofase	1 kV
RM35N30DF	0,2700	Richiesta di offerta	1960	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM35N30DFTR		8541.10.0080	40.000		CanaleN	30 V	35A (Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	±20 V	2330 pF a 15 V	-	40 W (Tc)
FM4006-W	0,0350	Richiesta di offerta	5285	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA		Standard		DO-214AC (SMA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-FM4006-WTR	EAR99	8541.10.0080	7.500	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)														1 V a 1 A		500 nA a 800 V	-55°C ~ 175°C	1A	15 pF a 4 V, 1 MHz