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Prodotti a semiconduttore discreti(885)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (Max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
DTC123JKA	0,0410	Richiesta di offerta	8984	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC123		200 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-DTC123JKATR	EAR99	8541.10.0080	30.000																			50 V	100 mA			500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	2,2 kOhm	46,2 kOhm
4RS103M	0,4000	Richiesta di offerta	4041	Rectron USA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RS-1M		Standard		RS-1M	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-4RS103M	EAR99	8541.10.0080	5.280													1,1 V a 4 A		2 µA a 200 V		4A				Monofase	200 V
RC202	0,4400	Richiesta di offerta	3273	Rectron USA	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-Circolare, RC-2		Standard		RC-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RC202	EAR99	8541.10.0080	6.000													1,05 V a 2 A		200 nA a 100 V		2A				Monofase	100 V
DB107	0,3400	Richiesta di offerta	2279	Rectron USA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-EDIP (0,321", 8,15 mm)		Standard		DB-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-DB107	EAR99	8541.10.0080	2.500													1 V a 1 A		1μA a 1000 V		1A				Monofase	1 kV
RS1001M-C-LV	1.3500	Richiesta di offerta	4927	Rectron USA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RS-10M		Standard		RS-10M	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RS1001M-C-LV	EAR99	8541.10.0080	1.800													900 mV a 5 A		5 µA a 50 V		10A				Monofase	50 V
R2500F	0,1800	Richiesta di offerta	8637	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Foro passante	DO-204AC, DO-15, assiale		Standard		DO-15	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-R2500FTR	EAR99	8541.10.0080	20.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità											2500 V	4 V a 200 mA	500 n	5 µA a 2500 V	-55°C ~ 150°C	200mA	30 pF a 4 V, 1 MHz
DB156LS	0,3900	Richiesta di offerta	7792	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		Standard		DBLS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-DB156LSTR	EAR99	8541.10.0080	8.000													1 V a 1,5 A		1 µA a 800 V		1,5 A				Monofase	800 V
MP251W	1.8500	Richiesta di offerta	7267	Rectron USA	-	Vassoio	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 quadrati, MP-25W		Standard		MP-25W	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-MP251W	EAR99	8541.10.0080	1.000													1,1 V a 12,5 A		5 µA a 100 V		25A				Monofase	100 V
DRS204K	0,4200	Richiesta di offerta	9767	Rectron USA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-ESIP		Standard		D3K	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-DRS204K	EAR99	8541.10.0080	9.000													1,1 V a 2 A		1 µA a 400 V		2A				Monofase	400 V
RM21N700T2	1.3300	Richiesta di offerta	4395	Rectron USA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM21N700T2		8541.10.0080	5.000		CanaleN	700 V	21A(Tc)	10 V	190 mOhm a 10,5 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	±30 V	1950 pF a 50 V	-	200 W (Tc)
RM3N700S4	0,2900	Richiesta di offerta	2302	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM3N700S4TR		8541.10.0080	30.000		CanaleN	700 V	3A (Tc)	10 V	1,5 Ohm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	±20 V	225 pF a 100 V	-	6,2 W (TC)
RS807M	0,9100	Richiesta di offerta	9826	Rectron USA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RS-8M		Standard		RS-8M	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RS807M	EAR99	8541.10.0080	2.400													1,05 V a 8 A		500 nA a 1000 V		8A				Monofase	1 kV
1N5406-F	0,0900	Richiesta di offerta	2711	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Foro passante	DO-201AD, assiale		Standard		DO-201AD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-1N5406-FTR	EAR99	8541.10.0080	1.250	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)												1 V a 3 A		200 nA a 1000 V	-55°C ~ 150°C	3A	30 pF a 4 V, 1 MHz
MP252W	1.8500	Richiesta di offerta	5064	Rectron USA	-	Vassoio	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4 quadrati, MP-25W		Standard		MP-25W	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-MP252W	EAR99	8541.10.0080	1.000													1,1 V a 12,5 A		5 µA a 200 V		25A				Monofase	200 V
RM80N30DN	0,2900	Richiesta di offerta	6630	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN		MOSFET (ossido di metallo)		8-PPAK (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM80N30DNTR		8541.10.0080	25.000		CanaleN	30 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,8 mOhm a 24 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	±20 V	3190 pF a 25 V	-	66 W (Tc)
FR605-T	0,1950	Richiesta di offerta	5673	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Foro passante	R-6, assiale		Standard		R-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-FR605-TTR	EAR99	8541.10.0080	800	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)											600 V	1,3 V a 6 A	250 n	10 µA a 600 V	-55°C ~ 150°C	6A	150 pF a 4 V, 1 MHz
RM35P100T2	0,4700	Richiesta di offerta	6451	Rectron USA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM35P100T2		8541.10.0080	5.000		Canale P	100 V	35A (Tc)	4,5 V, 10 V	50 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	±20 V	6516 pF a 25 V	-	104 W(Tc)
R4000	0,1200	Richiesta di offerta	9761	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Foro passante	DO-204AC, DO-15, assiale		Standard		DO-15	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-R4000TR	EAR99	8541.10.0080	20.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità											4000 V	5 V a 200 mA		5 µA a 4000 V	-55°C ~ 150°C	200mA	30 pF a 4 V, 1 MHz
FM5822A-W	0,0650	Richiesta di offerta	8229	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA		Schottky		DO-214AC (SMA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-FM5822A-WTR	EAR99	8541.10.0080	7.500	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)											40 V	460 mV a 3 A		80 µA a 40 V	150°C	3A	200 pF a 4 V, 1 MHz
RM25P30S8	0,3500	Richiesta di offerta	8986	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM25P30S8TR		8541.10.0080	40.000		Canale P	30 V	25A (Ta)	4,5 V, 10 V	9 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	±20 V	3960 pF a 15 V	-	3,5 W(Ta)
RS607	0,9800	Richiesta di offerta	4664	Rectron USA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RS-6		Standard		RS-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RS607	EAR99	8541.10.0080	1.600													1,05 V a 6 A		200 nA a 1000 V		6A				Monofase	1 kV
RM2A3P60S4	0,1000	Richiesta di offerta	2753	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM2A3P60S4TR		8541.10.0080	30.000		Canale P	60 V	2,3A(Ta)	4,5 V, 10 V	180 mOhm a 2 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	±20 V	600 pF a 15 V	-	1,5 W(Ta)
R2000F-T	0,0550	Richiesta di offerta	9459	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale		Standard		DO-41	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-R2000F-TTR	EAR99	8541.10.0080	5.000	Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												4 V a 200 mA	500 n	5 µA a 2000 V	-65°C ~ 175°C	200mA	-
FFM1400W	0,0420	Richiesta di offerta	3157	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA		Standard		SMX	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-FFM1400WTR	EAR99	8541.10.0080	60.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)											1400 V	1,8 V a 500 mA	300 n	5 µA a 1400 V	-55°C ~ 150°C	500mA	15 pF a 4 V, 1 MHz
BR805	0,8500	Richiesta di offerta	9772	Rectron USA	-	Vassoio	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	4 quadrati, BR-8		Standard		BR-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-BR805	EAR99	8541.10.0080	1.600													1,1 V a 4 A		5 µA a 50 V		8A				Monofase	50 V
RM27P30LDV	0,1600	Richiesta di offerta	2318	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252-2	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM27P30LDVTR		8541.10.0080	25.000		Canale P	30 V	27A(Tc)	4,5 V, 10 V	30 mOhm a 12 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	±20 V	930 pF a 15 V	-	40 W (Tc)
RBU2002M	0,8900	Richiesta di offerta	7560	Rectron USA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, RBU		Standard		RBU	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RBU2002M	EAR99	8541.10.0080	2.000													1,1 V a 10 A		5 µA a 100 V		20A				Monofase	100 V
UMB6F	0,3800	Richiesta di offerta	6295	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, cavo piatto		Standard		4-SOF2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-UMB6FTR	EAR99	8541.10.0080	48.000													1,1 V a 400 mA		5 µA a 600 V		500 mA				Monofase	600 V
RM140N150T2	1.5100	Richiesta di offerta	2150	Rectron USA	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-RM140N150T2		8541.10.0080	5.000		CanaleN	150 V	140A (Tc)	10 V	6,2 mOhm a 70 A, 10 V	4 V a 250 µA	±20 V	5900 pF a 75 V	-	320 W(Tc)
SLDB101S	0,3500	Richiesta di offerta	7345	Rectron USA	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		Standard		SLDBS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	2516-SLDB101STR	EAR99	8541.10.0080	40.000													1 V a 1 A		1 µA a 50 V		1A				Monofase	50 V