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Prodotti a semiconduttore discreti(26937)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza - RDS(On)	Assorbimento di corrente (Id) -Max	Rapporto di capacità	Condizione del rapporto di capacità	D@Vr, F
MMVL3102T1G	-	Richiesta di offerta	3835	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	MMVL31			SOD-323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000																				25 pF a 3 V, 1 MHz	Separare	30 V								4.8	C3/C25	200 a 3 V, 50 MHz
PN4392_D26Z	-	Richiesta di offerta	6300	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	PN439		625 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000			CanaleN								14 pF a 20 V												30 V	25 mA a 20 V	2 V a 1 nA			60 Ohm
MV104RLRAG	-	Richiesta di offerta	2998	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		125°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati)	MV104			TO-92 (TO-226)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	2.000																				42 pF a 3 V, 1 MHz	1 paio di catodo comune	32 V								2.8	C3/C30	140 a 3 V, 100 MHz
PCFF50S65MF	-	Richiesta di offerta	5066	onsemi	-	Massa	Obsoleto									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-PCFF50S65MF	EAR99	8541.10.0080	1
MMBF4119	-	Richiesta di offerta	6803	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBF41		225 mW	SOT-23-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN								3 pF a 10 V												40 V	200 µA a 10 V	2 V a 1 nA
SMBZ1493LT1	1.0000	Richiesta di offerta	2856	onsemi	*	Massa	Attivo									-						0000.00.0000	1
SMBZ2606-21LT3	0,0200	Richiesta di offerta	30	onsemi	*	Massa	Attivo									-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0050	10.000
FLZ8V2A	-	Richiesta di offerta	4837	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±3%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80	FLZ8		500 mW	SOD-80	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	2.500															1,2 V a 200 mA		300 nA a 5 V									7,7 V	6,6 Ohm
MV1403	4.4700	Richiesta di offerta	3	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	1
NVD5802NT4G-VF01	-	Richiesta di offerta	4739	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NVD5802	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	40 V	16,4 A(Ta), 101 A(Tc)	5 V, 10 V	4,4 mOhm a 50 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±20 V	5300 pF a 12 V	-	2,5 W (Ta), 93,75 W (Tc)
NVD5890NLT4G-VF01	-	Richiesta di offerta	6667	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-NVD5890NLT4G-VF01TR	EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	40 V	24A (Ta), 123A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,7 mOhm a 50 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	84 nC a 10 V	±20 V	4760 pF a 25 V	-	4 W (Ta), 107 W (Tc)
NTB30N06T4G	-	Richiesta di offerta	2340	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	NTB30	MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN	60 V	27A (Ta)	10 V	42 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 250 µA	46 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 25 V	-	88,2 W(Tc)
MM3Z33VB	0,2300	Richiesta di offerta	8	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-90, SOD-323F	MM3Z33		200 mW	SOD-323F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000															1 V a 10 mA		45 nA a 23 V									33 V	75 Ohm
3N259	-	Richiesta di offerta	9622	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBPM	3N25	Standard		KBPM	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	30															1,1 V a 3,14 A		5 µA a 1000 V		2A		Monofase	1 kV
FQD17P06TM	1.0400	Richiesta di offerta	7300	onsemi	QFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FQD17P06	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canale P	60 V	12A (Tc)	10 V	135 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±25 V	900 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 44 W (Tc)
FLZ10VB	-	Richiesta di offerta	1956	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±3%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80	FLZ10		500 mW	SOD-80	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	2.500															1,2 V a 200 mA		110 nA a 7 V									9,7 V	6,6 Ohm
SMBZ2606-8LT3G	0,0200	Richiesta di offerta	30	onsemi	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	15.000
NVMJS2D5N06CLTWG	2.7500	Richiesta di offerta	8333	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56	NVMJS2	MOSFET (ossido di metallo)		8-LFPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN	60 V	31A (Ta), 164A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,4 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 135 µA	52 nC a 10 V	±20 V	3600 pF a 25 V	-	3,9 W (Ta), 113 W (Tc)
DF08S1	0,6500	Richiesta di offerta	9711	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	DF08	Standard		4-SDIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1.500															1,1 V a 1 A		3 µA a 800 V		1A		Monofase	800 V
NSVJ6904DSB6T1G	1.5400	Richiesta di offerta	858	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	NSVJ6904		700 mW	6-CPH	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			2 canali N (doppio)	25 V							6 pF a 5 V												25 V	20 mA a 5 V	600 mV a 100 µA			25 Ohm	50 mA
SURD109-4T4	0,3400	Richiesta di offerta	12	onsemi	*	Massa	Attivo					SURD109				-	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	8542.39.0001	2.500
SZNZ9F2V4T5G	0,3900	Richiesta di offerta	7	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOD-923	SZNZ9		250 mW	SOD-923	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	8.000															900 mV a 10 mA		50 µA a 1 V									2,4 V	100 ohm
P1086	-	Richiesta di offerta	4662	onsemi	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	P1086		350 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000			Canale P								45 pF a 15 V												30 V	10 mA a 20 V	10 V a 1 µA			75 Ohm
1N5223B	0,1800	Richiesta di offerta	19	onsemi	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5223		500 mW	DO-35	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	5.000															1,2 V a 200 mA		75 µA a 1 V									2,7 V	30 Ohm
2SC4487T	0,1900	Richiesta di offerta	4746	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	15
MTA2N60E	0,8800	Richiesta di offerta	18	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8542.39.0001	1
NRVS1JHE	0,4900	Richiesta di offerta	5415	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	2-SMD, cavo piatto		Standard		SOD-323HE	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)												600 V	1,1 V a 1 A	782 ns	1 µA a 600 V	-55°C ~ 175°C	1A	3pF a 4V, 1MHz
NRVBSS24T3G	-	Richiesta di offerta	9955	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	NRVBSS2	Schottky		PMI	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	2.500		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												40 V	500 mV a 2 A		400 µA a 40 V	-55°C ~ 150°C	2A	-
NVMFD6H846NLT1G	2.0600	Richiesta di offerta	1828	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	NVMFD6	MOSFET (ossido di metallo)	3,2 W (Ta), 34 W (Tc)	Doppia bandiera 8-DFN (5x6) (SO8FL-doppia)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-NVMFD6H846NLT1GTR	EAR99	8541.29.0095	1.500	2 canali N (doppio)			80 V	9,4 A (Ta), 31 A (Tc)		15 mOhm a 5 A, 10 V	2 V a 21 µA	17nC a 10V		900 pF a 40 V	-
MMVL535T1	0,1100	Richiesta di offerta	29	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0070	3.000