Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Prodotti a semiconduttore discreti(26937)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Rapporto di capacità	Condizione del rapporto di capacità	D@Vr, F
GBPC1201	5.0100	Richiesta di offerta	94	onsemi	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Terminale CQ	4 quadrati, GBPC	GBPC12	Standard		GBPC	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	GBPC1201FS	EAR99	8541.10.0080	50														1,1 V a 6 A		5 µA a 100 V		12A				Monofase	100 V
KBL02	-	Richiesta di offerta	7487	onsemi	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBL	KBL0	Standard		KBL	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	KBL02FS	EAR99	8541.10.0080	200														1,1 V a 4 A		5 µA a 200 V		4A				Monofase	200 V
NXH160T120L2Q2F2SG	-	Richiesta di offerta	1000	onsemi	*	Vassoio	Obsoleto					NXH160				scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	12
SZMMSZ15ET1G	0,3500	Richiesta di offerta	4	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-123	SZMMSZ15		500 mW	SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000														900 mV a 10 mA		50 nA a 10,5 V												15 V	30 Ohm
SBE802-TL-E	0,1900	Richiesta di offerta	45	onsemi	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	3 (168 ore)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	3.000
MMBV109LT3	-	Richiesta di offerta	6260	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBV10			SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	10.000																			32 pF a 3 V, 1 MHz			Separare	30 V											6.5	C3/C25	200 a 3 V, 50 MHz
1SMB5947BT3G	0,3800	Richiesta di offerta	9338	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	1SMB5947		3 W	PMI	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	2.500														1,5 V a 200 mA		1 µA a 62,2 V												82 V	160 Ohm
1PMT5939BT1G	-	Richiesta di offerta	2050	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-216AA	1PMT5939		3,2 W	Powermite	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000														1,25 V a 200 mA		1 µA a 29,7 V												39 V	45 Ohm
MV1403	4.4700	Richiesta di offerta	3	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0070	1
NVD5802NT4G-VF01	-	Richiesta di offerta	4739	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NVD5802	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	40 V	16,4 A(Ta), 101 A(Tc)	5 V, 10 V	4,4 mOhm a 50 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±20 V	5300 pF a 12 V	-	2,5 W (Ta), 93,75 W (Tc)
NVD5890NLT4G-VF01	-	Richiesta di offerta	6667	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-NVD5890NLT4G-VF01TR	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	40 V	24A (Ta), 123A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,7 mOhm a 50 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	84 nC a 10 V	±20 V	4760 pF a 25 V	-	4 W (Ta), 107 W (Tc)
NTB30N06T4G	-	Richiesta di offerta	2340	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	NTB30	MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	60 V	27A (Ta)	10 V	42 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 250 µA	46 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 25 V	-	88,2 W(Tc)
1SMA5938BT3G	0,5100	Richiesta di offerta	1	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	1SMA5938		1,5 W	SMA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	5.000														1,5 V a 200 mA		500 nA a 27,4 V												36 V	38 Ohm
SMBZ1477LT1	0,0200	Richiesta di offerta	57	onsemi	*	Massa	Attivo									-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0050	3.000
SURD107T4G-VF01	-	Richiesta di offerta	3878	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto					SURD107				-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	488-SURD107T4G-VF01TR	EAR99	8541.10.0080	3.000
SVC389-TL-E	0,5300	Richiesta di offerta	112	onsemi	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-96				3-CPH	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.10.0080	3.000																			24 pF a 8 V, 1 MHz			1 paio di catodo comune	16 V											19.5	C1/C8	200 a 1 V, 1 MHz
SMBZ1493LT1	1.0000	Richiesta di offerta	2856	onsemi	*	Massa	Attivo									-						0000.00.0000	1
MMBF4119	-	Richiesta di offerta	6803	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBF41		225 mW	SOT-23-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN								3 pF a 10 V														40 V	200 µA a 10 V	2 V a 1 nA
MPS6428RLRA	0,0200	Richiesta di offerta	80	onsemi	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 mW	TO-92	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.21.0075	2.000																				50 V	200 mA						25nA			NPN	600mV a 5mA, 100mA	250 a 10 mA, 5 V	700 MHz
FDMS86263P-23507X	-	Richiesta di offerta	5939	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN		MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN (5x6)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-FDMS86263P-23507XTR	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	150 V	4,4 A (Ta), 22 A (Tc)	6 V, 10 V	53 mOhm a 4,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	63 nC a 10 V	±25 V	3905 pF a 75 V	-	2,5 W (Ta), 104 W (Tc)
1N4740A-T50A	0,0887	Richiesta di offerta	4764	onsemi	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	1N4740		1 W	DO-41	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																10 µA a 7,6 V												10 V	7 Ohm
US1KFA	0,5000	Richiesta di offerta	6	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SOD-123W	US1K	Standard		SOD-123FA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												800 V	1,7 V a 1 A	75 ns	5 µA a 800 V	-55°C ~ 150°C	1A	15 pF a 4 V, 1 MHz
MV104RLRAG	-	Richiesta di offerta	2998	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		125°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati)	MV104			TO-92 (TO-226)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	2.000																			42 pF a 3 V, 1 MHz			1 paio di catodo comune	32 V											2.8	C3/C30	140 a 3 V, 100 MHz
DZB18C	0,1800	Richiesta di offerta	2	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0050	1
FXS09	-	Richiesta di offerta	2405	onsemi	*	Tubo	Obsoleto									-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-FXS09	EAR99	8541.10.0050	1
FQD17P06TM	1.0400	Richiesta di offerta	7300	onsemi	QFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FQD17P06	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P	60 V	12A (Tc)	10 V	135 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±25 V	900 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 44 W (Tc)
MMSZ3V0ET1	-	Richiesta di offerta	2070	onsemi	*		Obsoleto					MMSZ3V				-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	3.000
FQA13N50CF_F109	-	Richiesta di offerta	2080	onsemi	FRFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	FQA1	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PN	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	450		CanaleN	500 V	15A (Tc)	10 V	480 mOhm a 7,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	56 nC a 10 V	±30 V	2055 pF a 25 V	-	218 W(Tc)
1N5384BG	0,4600	Richiesta di offerta	1	onsemi	-	Massa	Attivo	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5384		5 W	Assiale	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.000														1,2 V a 1 A		500 nA a 122 V												160 V	350 Ohm
SVC707-AL	-	Richiesta di offerta	8854	onsemi	*	Alla rinfusa	Obsoleto									-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-SVC707-AL-488			1