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Prodotti a semiconduttore discreti(26937)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
ECH8320-TL-H	-	Richiesta di offerta	3245	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	ECH8320	MOSFET (ossido di metallo)		8-CE	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P	20 V	9,5A(Ta)	1,8 V, 4,5 V	14,5 mOhm a 5 A, 4,5 V	-	25 nC a 10 V	±10 V	2300 pF a 10 V	-	1,6 W(Ta)
SBAS16HT1G	0,3500	Richiesta di offerta	85	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	SBAS16	Standard		SOD-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità												100 V	1,25 V a 150 mA	6 ns	1 µA a 75 V	-55°C ~ 150°C	200mA	2pF @ 0V, 1MHz
BC182_D27Z	-	Richiesta di offerta	6535	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	BC182		350 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	2.000																					50 V	100 mA	15nA (ICBO)			NPN	600mV a 5mA, 100mA	120 a 2 mA, 5 V	150 MHz
NTR4003NT3G	0,3600	Richiesta di offerta	6124	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	NTR4003	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000			CanaleN	30 V	500mA (Ta)	2,5 V, 4 V	1,5 Ohm a 10 mA, 4 V	1,4 V a 250 µA	1,15 nC a 5 V	±20 V	21 pF a 5 V	-	690 mW (Ta)
NVB150N65S3F	4.2100	Richiesta di offerta	7952	onsemi	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	NVB150	MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK-3 (TO-263-3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN	650 V	24A (Tc)	10 V	150 mOhm a 12 A, 10 V	5 V a 540 µA	43 nC a 10 V	±30 V	1999 pF a 400 V		192 W
NTP2955	-	Richiesta di offerta	3987	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	NTP295	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			Canale P	60 V	2,4A(Ta)	10 V	196 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±20 V	700 pF a 25 V	-	2,4 W (Ta), 62,5 W (Tc)
SS9011HBU	-	Richiesta di offerta	4841	onsemi	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	SS9011		400 mW	TO-92-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1.000																					30 V	30 mA	100nA (ICBO)			NPN	300 mV a 1 mA, 10 mA	97 a 1 mA, 5 V	2 MHz
MMBZ5242BLT3	-	Richiesta di offerta	4043	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		225 mW	SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000															900 mV a 10 mA		1 µA a 9,1 V							12 V	30 Ohm
MM3Z18VST1	-	Richiesta di offerta	4127	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±2%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SC-76, SOD-323	MM3Z1		200 mW	SOD-323	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000															900 mV a 10 mA		50 nA a 12,6 V							18 V	45 Ohm
2SC3917	0,0900	Richiesta di offerta	21	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1
MJE15035	-	Richiesta di offerta	1918	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MJE15		2 W	TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	MJE15035OS	EAR99	8541.29.0075	50																					350 V	4A	10 µA (ICBO)			PNP	500 mV a 100 mA, 1 A	10 a 2 A, 5 V	30 MHz
NTMFS5C670NT1G	0,9025	Richiesta di offerta	4673	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NTMFS5	MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-NTMFS5C670NT1GTR	EAR99	8541.29.0095	1.500			CanaleN	60 V	17A (Ta), 71A (Tc)	10 V	7 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 53 µA	14,4 nC a 10 V	±20 V	1035 pF a 30 V	-	3,6 W (Ta), 61 W (Tc)
FDD6796	-	Richiesta di offerta	6501	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FDD679	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN	25 V	20A (Ta), 40A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,7 mOhm a 20 A, 10 V	3 V a 250 µA	41 nC a 10 V	±20 V	2315 pF a 13 V	-	3,7 W (Ta), 42 W (Tc)
NRVBM120ET3G	-	Richiesta di offerta	4714	onsemi	POWERMITE®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	DO-216AA	NRVBM120	Schottky		Powermite	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	12.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												20 V	595 mV a 2 A		500 nA a 5 V	-65°C ~ 150°C	1A	-
2SK3820-DL-1E	-	Richiesta di offerta	9462	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	2SK3820	MOSFET (ossido di metallo)		TO-263-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN	100 V	26A (Ta)	4 V, 10 V	60 mOhm a 13 A, 10 V	-	44 nC a 10 V	±20 V	2150 pF a 20 V	-	1,65 W (Ta), 50 W (Tc)
FDMD8240L	3.6600	Richiesta di offerta	6	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	12-PowerWDFN	FDMD8240	MOSFET (ossido di metallo)	2,1 W	12-Potenza3.3x5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			40 V	23A		2,6 mOhm a 23 A, 10 V	3 V a 250 µA	56nC a 10V		4230 pF a 20 V	-
MTB16N25ET4	0,6500	Richiesta di offerta	184	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1
1N5346BRLG	0,4900	Richiesta di offerta	7474	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5346		5 W	Assiale	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	4.000															1,2 V a 1 A		7,5 µA a 6,9 V							9,1 V	2 Ohm
FLZ30VD	-	Richiesta di offerta	4879	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±3%	-65°C ~ 175°C	Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80	FLZ30		500 mW	SOD-80	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	2.500															1,2 V a 200 mA		133 nA a 23 V							29,8 V	46 Ohm
1N5383B	-	Richiesta di offerta	5958	onsemi	-	Massa	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	T-18, assiale	1N5383		5 W	Assiale	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	1.000															1,2 V a 1 A		500 nA a 114 V							150 V	330 Ohm
MRA4005T1G	0,4100	Richiesta di offerta	600	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	MRA4005	Standard		SMA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1.500		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)												600 V	1,1 V a 1 A		10 µA a 600 V	-55°C ~ 175°C	1A	-
1N5248DRL	-	Richiesta di offerta	7285	onsemi	*	Massa	Attivo									scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.10.0050	1
NTMFS4834NT3G	-	Richiesta di offerta	2194	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NTMFS4	MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN	30 V	13A (Ta), 130A (Tc)	4,5 V, 11,5 V	3 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	48 nC a 4,5 V	±20 V	4500 pF a 12 V	-	900 mW (Ta), 86,2 W (Tc)
MMBZ5244B_D87Z	-	Richiesta di offerta	2254	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ52		350 mW	SOT-23-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000															900 mV a 10 mA		100 nA a 10 V							14 V	15 Ohm
BDV65B	-	Richiesta di offerta	4410	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-218-3	BDV65		125 W	SOT-93	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																					100 V	10A	1mA			NPN-Darlington	2 V a 20 mA, 5 A	1000 a 5 A, 4 V	-
FMBS5551	-	Richiesta di offerta	7112	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	FMBS5		700 mW	SuperSOT™-6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																					160 V	600 mA	50nA (ICBO)			NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	80 a 10 mA, 5 V	300 MHz
BD1386S	-	Richiesta di offerta	9143	onsemi	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BD138		1,25 W	TO-126-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	250																					60 V	1,5 A	100nA (ICBO)			PNP	500mV a 50mA, 500mA	40 a 150 mA, 2 V	-
FDMC6890NZ	0,4155	Richiesta di offerta	3695	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	FDMC6890	MOSFET (ossido di metallo)	1,92 W, 1,78 W	MicroFET 3x3mm	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)			20 V	4A		68 mOhm a 4 A, 4,5 V	2 V a 250 µA	3,4 nC a 4,5 V		270 pF a 10 V	Porta a livello logico
MBT3906DW1T2G	-	Richiesta di offerta	4843	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MBT3906		150 mW	SC-88/SC70-6/SOT-363	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																					40 V	200mA	-			2 PNP (doppio)	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	250 MHz
2N3904RLRA	-	Richiesta di offerta	3586	onsemi	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo lungo (conduttori formati)	2N3904		625 mW	TO-92 (TO-226)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2N3904RLRAOSTR	EAR99	8541.21.0075	2.000																					40 V	200mA	50nA			NPN	200 mV a 1 mA, 10 mA	40 a 100 µA, 1 V	300 MHz