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Prodotti a semiconduttore discreti(26937)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - CC inversa (Vr) (Max) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tensione - Rottura (V(BR)GSS) Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0) Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id Corrente - Interruzione collettore (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
NTMFS4851NT3G onsemi NTMFS4851NT3G -
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 ECAD 6646 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NTMFS4 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 30 V 9,5 A (Ta), 66 A (Tc) 4,5 V, 11,5 V 5,9 mOhm a 30 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 20 nC a 4,5 V ±16V 1850 pF a 12 V - 870 mW (Ta), 41,7 W (Tc)
VEC2616-TL-W-Z onsemi VEC2616-TL-WZ -
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 ECAD 6876 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SMD, cavo piatto VEC2616 MOSFET (ossido di metallo) 1 W SOT-28FL/VEC8 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canali N e P 60 V 3A, 2,5A 80 mOhm a 1,5 A, 10 V 2,6 V a 1 mA 10nC a 10V 505 pF a 20 V Porta a livello logico, azionamento a 4 V
NTD65N03RT4 onsemi NTD65N03RT4 -
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 ECAD 5191 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 NTD65 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 25 V 9,5 A (Ta), 32 A (Tc) 4,5 V, 10 V 8,4 mOhm a 30 A, 10 V 2 V a 250 µA 16 nC a 5 V ±20 V 1400 pF a 20 V - 1,3 W (Ta), 50 W (Tc)
2N5457_D27Z onsemi 2N5457_D27Z -
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 ECAD 1572 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead 2N5457 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 CanaleN 7 pF a 15 V 25 V 1 mA a 15 V 500 mV a 10 nA
NTD65N03R-35G onsemi NTD65N03R-35G 0,1400
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 ECAD 524 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto Foro passante TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak NTD65 MOSFET (ossido di metallo) I-Pak scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 25 V 65A (Tc) 8,4 mOhm a 30 A, 10 V 2 V a 250 µA 16 nC a 5 V 1400 pF a 20 V -
NTLUS3A40PZTAG onsemi NTLUS3A40PZTAG 0,8300
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi µCool™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN NTLUS3 MOSFET (ossido di metallo) 6-UDFN (2x2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 4A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 29 mOhm a 6,4 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 29 nC a 4,5 V ±8 V 2600 pF a 15 V - 700mW (Ta)
1N5224B_T50A onsemi 1N5224B_T50A -
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 ECAD 2892 0.00000000 onsemi - Nastro e scatola (TB) Obsoleto ±5% -65°C ~ 200°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5224 500 mW DO-35 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 75 µA a 1 V 2,8 V 30 Ohm
FQD7N10TM onsemi FQD7N10TM -
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 ECAD 6517 0.00000000 onsemi QFET® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 FQD7 MOSFET (ossido di metallo) TO-252AA scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 100 V 5,8 A(Tc) 10 V 350 mOhm a 2,9 A, 10 V 4 V a 250 µA 7,5 nC a 10 V ±25 V 250 pF a 25 V - 2,5 W (Ta), 25 W (Tc)
SURA8105T3G-VF01 onsemi SURA8105T3G-VF01 0,2600
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 ECAD 5 0.00000000 onsemi * Massa Attivo SURA8105 - Venditore non definito REACH Inalterato 1
1N5236B onsemi 1N5236B 0,1600
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 ECAD 17 0.00000000 onsemi - Massa Attivo ±5% -65°C ~ 200°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale 1N5236 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1,2 V a 200 mA 3 µA a 6 V 7,5 V 6 Ohm
MCH6336-TL-E-ON onsemi MCH6336-TL-E-ON 0,1600
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 ECAD 14 0.00000000 onsemi - Massa Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-SMD, conduttori piatti MOSFET (ossido di metallo) SC-88FL/MCPH6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 0000.00.0000 3.000 Canale P 12 V 5A (Ta) 43 mOhm a 3 A, 4,5 V 1,4 V a 1 mA 6,9 nC a 4,5 V ±10 V 660 pF a 6 V - 1,5 W(Ta)
MUR2100ERLG onsemi MUR2100ERLG 0,5900
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 ECAD 8020 0.00000000 onsemi SWITCHMODE™ Nastro e bobina (TR) Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale MUR2100 Standard Assiale scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1000 V 2,2 V a 2 A 100 n 10 µA a 1000 V -65°C ~ 175°C 2A -
NZT751 onsemi NZT751 1.1200
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA NZT751 1,2 W SOT-223-4 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 4.000 60 V 4A 100nA (ICBO) PNP 500 mV a 200 mA, 2 A 40 a 2A, 2V 75 MHz
BZX79C12_T50R onsemi BZX79C12_T50R -
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 ECAD 1387 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -65°C ~ 200°C Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX79C12 500 mW DO-35 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,5 V a 100 mA 100 nA a 8 V 12 V 25 Ohm
DSK10C-BT onsemi DSK10C-BT -
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 ECAD 6643 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Foro passante R-1, assiale DSK10 Standard - scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1,1 V a 1 A 10 µA a 200 V 150°C (massimo) 1A -
MMSZ4689T1G onsemi MMSZ4689T1G 0,2300
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 ECAD 5564 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C Montaggio superficiale SOD-123 MMSZ4689 500 mW SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 10 µA a 3 V 5,1 V
NTS1245MFST3G onsemi NTS1245MFST3G -
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 ECAD 7928 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NTS1245 Schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 45 V 570 mV a 12 A 120 µA a 45 V -55°C ~ 150°C 12A -
SJE6429 onsemi SJE6429 0,3700
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 ECAD 7 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1
ISL9N303AS3 onsemi ISL9N303AS3 -
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 ECAD 1227 0.00000000 onsemi UltraFET™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA ISL9 MOSFET (ossido di metallo) I2PAK (TO-262) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 400 CanaleN 30 V 75A (Tc) 4,5 V, 10 V 3,2 mOhm a 75 A, 10 V 3 V a 250 µA 172 nC a 10 V ±20 V 7000 pF a 15 V - 215 W(Tc)
BC548C_J35Z onsemi BC548C_J35Z -
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 ECAD 6027 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead BC548 500 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 30 V 100 mA 15nA (ICBO) NPN 600mV a 5mA, 100mA 420 a 2 mA, 5 V 300 MHz
SMSZ1600-32T1 onsemi SMSZ1600-32T1 0,0200
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 ECAD 96 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.10.0050 3.000
NVBG020N090SC1 onsemi NVBG020N090SC1 52.8300
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA NVBG020 SiCFET (carburo di silicio) D2PAK-7 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 900 V 9,8 A (Ta), 112 A (Tc) 15 V 28 mOhm a 60 A, 15 V 4,3 V a 20 mA 200 nC a 15 V +19 V, -10 V 4415 pF a 450 V - 3,7 W (Ta), 477 W (Tc)
MBRS330PT3G onsemi MBRS330PT3G -
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 ECAD 6266 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale DO-214AB, SMC MBRS330 Schottky SMC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 2.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 500 mV a 3 A 2 mA a 30 V -65°C ~ 150°C 3A -
NRTS6100TFSTXG onsemi NRTS6100TFSTXG 0,2249
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 ECAD 2898 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 8-PowerWDFN Schottky 8-WDFN (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NRTS6100TFSTXGTR EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 680 mV a 6 A 50 µA a 100 V -55°C ~ 175°C 6A 782pF @ 1V, 1MHz
FDS6892AZ onsemi FDS6892AZ -
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 ECAD 7342 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) FDS68 MOSFET (ossido di metallo) 900 mW 8-SOIC scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.500 2 canali N (doppio) 20 V 7,5 A 18 mOhm a 7,5 A, 4,5 V 1,5 V a 250 µA 17nC a 4,5 V 1286 pF a 10 V Porta a livello logico
FDB8442-F085 onsemi FDB8442-F085 -
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 ECAD 6736 0.00000000 onsemi Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB FDB844 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 40 V 28A (Ta) 10 V 5 mOhm a 80 A, 10 V 4 V a 250 µA 235 nC a 10 V ±20 V 12200 pF a 25 V - 254 W(Tc)
BZX84C47LT1 onsemi BZX84C47LT1 -
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 ECAD 6463 0.00000000 onsemi BZX84CxxxLT1G Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±6% -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C47 225 mW SOT-23-3 (TO-236) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 900 mV a 10 mA 50 nA a 32,9 V 47 V 170 Ohm
DTA143ZM3T5G onsemi DTA143ZM3T5G 0,3300
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 ECAD 23 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-723 DTA143 260 mW SOT-723 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 250 mV a 300 µA, 10 mA 80 a 5 mA, 10 V 4,7 kOhm 47 kOhm
GFA00KB-L09X-SPBPRD onsemi GFA00KB-L09X-SPBPRD -
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 ECAD 6660 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 488-GFA00KB-L09X-SPBPRD OBSOLETO 1
BZX85C4V3 onsemi BZX85C4V3 -
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 ECAD 6616 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto ±7% -65°C ~ 200°C Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale BZX85C4 1 W DO-41 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 3 µA a 1 V 4,3 V 13 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

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    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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