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Prodotti a semiconduttore discreti(26937)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Tolleranza	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max)	Tipo SCR	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Voltaggio - Zener (Nom) (Vz)	Impedenza (max) (Zzt)	Resistenza - RDS(On)
1SMB5952BT3G	0,3800	Richiesta di offerta	1643	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AA, PMI	1SMB5952			3 W	PMI	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	2.500																											1,5 V a 200 mA		1 µA a 98,8 V															130 V	450 Ohm
NTMYS8D0N04CTWG	2.9000	Richiesta di offerta	4	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1023, 4-LFPAK	NTMYS8		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK4 (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN			40 V	16A (Ta), 49A (Tc)	10 V	8,1 mOhm a 15 A, 10 V	3,5 V a 30 µA	10 nC a 10 V	±20 V	625 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 38 W (Tc)
SZNZ8F8V2MX2WT5G	0,0456	Richiesta di offerta	3097	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101, NZ8F	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	2-XDFN				250 mW	2-X2DFNW (1x0,6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-SZNZ8F8V2MX2WT5GTR	EAR99	8541.10.0050	8.000																											900 mV a 10 mA		500 nA a 5 V															8,2 V	30 Ohm
MCR69-003	0,3400	Richiesta di offerta	1	onsemi	-	Massa	Obsoleto			Foro passante	TO-220-3	MCR69				TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	500				50 mA													100 V	25A	1,5 V	300A a 60Hz	30 mA	16A	Norma di recupero
BZX84C10LT3G	-	Richiesta di offerta	2492	onsemi	BZX84CxxxLT1G	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±6%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C10			225 mW	SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000																											900 mV a 10 mA		200 nA a 7 V															10 V	20 Ohm
SMMBFJ177LT1G	0,4600	Richiesta di offerta	1	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMMBFJ177			225 mW	SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			Canale P										11 pF a 10 V (VGS)																												30 V	1,5 mA a 15 V	800 mV a 10 nA			300 ohm
MURF1620CT	-	Richiesta di offerta	3389	onsemi	SWITCHMODE™	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	MURF16		Standard		TO-220FP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																						1 paio di catodo comune	200 V	8A	975 mV a 8 A	35 ns	5 µA a 200 V	-65°C ~ 150°C
2SA1527-AA	0,1000	Richiesta di offerta	33	onsemi	*	Massa	Attivo										scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1
SB1003M3-TL-W	0,4100	Richiesta di offerta	216	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	SB1003		Schottky		3-MCPH	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																							30 V		530 mV a 1 A	10 ns	15 µA a 16 V	-55°C ~ 125°C	1A	27 pF a 10 V, 1 MHz
MBRD1045T4G	0,9300	Richiesta di offerta	9389	onsemi	SWITCHMODE™	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	MBRD1045		Schottky		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	2.500		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																							45 V		840 mV a 20 A		100 µA a 45 V	-65°C ~ 175°C	10A	-
MBR1650	-	Richiesta di offerta	8950	onsemi	-	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-220-2	MBR1650		Schottky		TO-220-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																							50 V		750 mV a 16 A		1 mA a 50 V	-65°C ~ 150°C	16A	-
FQAF17P10	-	Richiesta di offerta	4462	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	FQAF1		MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PF	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			Canale P			100 V	12,4 A(Tc)	10 V	190 mOhm a 6,2 A, 10 V	4 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±30 V	1100 pF a 25 V	-	56 W (Tc)
LL4148	0,1200	Richiesta di offerta	323	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80	LL414		Standard		SOD-80	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	2.500		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																							100 V		1 V a 10 mA	4nn	25 nA a 20 V	-55°C ~ 175°C	200mA	4pF a 0 V, 1 MHz
FQI9N15TU	-	Richiesta di offerta	2015	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	FQI9		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK (TO-262)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			150 V	9A (Tc)	10 V	400 mOhm a 4,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	13 nC a 10 V	±25 V	410 pF a 25 V	-	3,75 W (Ta), 75 W (Tc)
HGT1S3N60A4DS9A	-	Richiesta di offerta	6906	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	HGT1S3N60	Standard		70 W	D²PAK (TO-263)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50					390 V, 3 A, 50 Ohm, 15 V																							29 ns					-	600 V	17A	40A	2,7 V a 15 V, 3 A	37μJ (acceso), 25μJ (spento)	21 nC	6ns/73ns
MMDF2N05ZR2	0,2900	Richiesta di offerta	87	onsemi	*	Massa	Attivo										scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.21.0095	2.500
SZMMSZ4705T1G	0,3700	Richiesta di offerta	15	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-123	SZMMSZ4705			500 mW	SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																											900 mV a 10 mA		50 nA a 13,67 V															18 V
DSA12TL	0,9100	Richiesta di offerta	46	onsemi	*	Massa	Attivo										scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	1
NTMYS010N04CLTWG	3.1100	Richiesta di offerta	8014	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1023, 4-LFPAK	NTMYS010		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK4 (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN			40 V	14A (Ta), 38A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,3 mOhm a 20 A, 10 V	2 V a 20 µA	7,3 nC a 10 V	±20 V	570 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 28 W (Tc)
NTD20N03L27-001	-	Richiesta di offerta	1038	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	NTD20		MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75			CanaleN			30 V	20A (Ta)	4V, 5V	27 mOhm a 10 A, 5 V	2 V a 250 µA	18,9 nC a 10 V	±20 V	1260 pF a 25 V	-	1,75 W (Ta), 74 W (Tc)
1N5282TR	0,2200	Richiesta di offerta	9	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5282		Standard		DO-35	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	10.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																							80 V		900 mV a 100 mA	4nn	100 nA a 55 V	175°C (massimo)	200mA	2,5 pF a 0 V, 1 MHz
CPH6434-TL-E	0,2300	Richiesta di offerta	168	onsemi	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6			MOSFET (ossido di metallo)		6-CPH	-	Non applicabile				EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN			30 V	6A (Ta)		41 mOhm a 3 A, 4 V	-	7 nC a 4 V		790 pF a 10 V	-	1,6 W(Ta)
SZMMSZ33ET1G	0,3500	Richiesta di offerta	10	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOD-123	SZMMSZ33			500 mW	SOD-123	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	3.000																											900 mV a 10 mA		50 nA a 23,1 V															33 V	80 Ohm
FFSM0465A	3.8100	Richiesta di offerta	6900	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	4-PowerTSFN	FFSM0465		SiC (carburo di silicio) Schottky		4-PQFN (8x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)																							650 V		1,75 V a 4 A	0 ns	200 µA a 650 V	-55°C ~ 175°C	4A	247 pF a 1 V, 100 kHz
SZNZ8F4V7MX2WT5G	0,0456	Richiesta di offerta	5967	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101, NZ8F	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	2-XDFN				250 mW	2-X2DFNW (1x0,6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-SZNZ8F4V7MX2WT5GTR	EAR99	8541.10.0050	8.000																											900 mV a 10 mA		2 µA a 1 V															4,7 V	100 ohm
BTB16-800BW3G	1.0000	Richiesta di offerta	2737	onsemi	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3					TO-220AB	scaricamento					EAR99	8541.30.0080	1	Separare			60 mA												Standard	800 V	16A	1,1 V	170A a 60Hz	50 mA
BZX84C20LT3G	-	Richiesta di offerta	5237	onsemi	BZX84CxxxLT1G	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	±6%	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C20			225 mW	SOT-23-3 (TO-236)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	10.000																											900 mV a 10 mA		50 nA a 14 V															20 V	55 Ohm
1SMA5930BT3G	0,4700	Richiesta di offerta	4542	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	±5%	-65°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	DO-214AC, SMA	1SMA5930			1,5 W	SMA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	5.000																											1,5 V a 200 mA		500 nA a 12,2 V															16 V	10 Ohm
FQB3N30TM	-	Richiesta di offerta	8904	onsemi	QFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	FQB3		MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN			300 V	3,2 A(Tc)	10 V	2,2 Ohm a 1,6 A, 10 V	5 V a 250 µA	7 nC a 10 V	±30 V	230 pF a 25 V	-	3,13 W (Ta), 55 W (Tc)
1N5237B_T26A	-	Richiesta di offerta	2428	onsemi	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto	±5%	-65°C ~ 200°C	Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale	1N5237			500 mW	DO-35	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0050	5.000																											1,2 V a 200 mA		3 µA a 6,5 V															8,2 V	8 Ohm