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Prodotti a semiconduttore discreti(6390)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - Stato attivo (Vtm) (max)	Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max)	Corrente - Stato spento (max)	TipoSCR	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
RF5L0912750CB4	217.8000	Richiesta di offerta	9387	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	110 V		Montaggio su telaio	D4E	RF5L0912750		960 MHz ~ 1.215 GHz	LDMOS		D4E	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-RF5L0912750CB4			100	-			1μA			150 mA	750 W	15dB																					-																		50 V
STTH1002CT	1.4800	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3	STTH1002			Standard		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																													1 paio di catodo comune	200 V	8A	1,1 V a 5 A	25 ns	5 µA a 200 V	175°C (massimo)
STS6NF20V	0,8300	Richiesta di offerta	14	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS6NF20			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN							20 V	6A (Tc)	1,95 V, 4,5 V	40 mOhm a 3 A, 4,5 V	600 mV a 250 µA (min)	11,5 nC a 4,5 V	±12V	460 pF a 15 V	-	2,5 W(Tc)
STW37N60DM2AG	6.8000	Richiesta di offerta	8690	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW37			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN							600 V	28A (Tc)	10 V	110 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 250 µA	54 nC a 10 V	±25 V	2400 pF a 100 V	-	210 W(Tc)
PD85025STR-E	-	Richiesta di offerta	4019	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	40 V			Pannello inferiore esposto PowerSO-10RF (2 conduttori diritti)	PD85025		870 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (cavo dritto)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600				7A			300 mA	10 W	17,3dB																					-																		13,6 V
STGB30H65FB	-	Richiesta di offerta	4521	STMicroelettronica	HB	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGB30	Standard			260 W	D²PAK (TO-263)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000						400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V																																		Sosta sul campo di trincea	650 V	60A	120A	2 V a 15 V, 30 A	151μJ (acceso), 293μJ (spento)	149 nC	37ns/146ns
STPSC10H065DY	3.6400	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2	Tubo	Acquisto per l'ultima volta			Foro passante	TO-220-2	STPSC10			SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-220AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																														650 V		1,75 V a 10 A		100 µA a 650 V	-40°C ~ 175°C	10A	480pF a 0 V, 1 MHz
STB25NF06LAG	1.2500	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB25N			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN							60 V	20A (Tc)	5 V, 10 V	-	-	14 nC a 10 V	-		-	-
STB200NF04L	-	Richiesta di offerta	7216	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB200N			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN							40 V	120A (Tc)	5 V, 10 V	3,5 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 250 µA	90 nC a 4,5 V	±16V	6400 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STTH12002TV1	-	Richiesta di offerta	5925	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto			Montaggio su telaio	ISOTOP	STTH120			Standard		ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	10		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																													2 Indipendente	200 V	60A	1,05 V a 60 A	43 ns	50 µA a 200 V	150°C (massimo)
STL17N60M6	1.3594	Richiesta di offerta	9042	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL17			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (8x8) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN							600 V	10A (Tc)	10 V	350 mOhm a 6 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	16,7 nC a 10 V	±25 V	575 pF a 100 V	-	90 W (Tc)
ACST6-7SR	-	Richiesta di offerta	2143	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		-30°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi corti, I²Pak	ACST6					I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	50	Separare				25 mA															Logica - Cancello sensibile	700 V	6A	1,5 V	45A, 50A	10 mA
STU25N10F7	-	Richiesta di offerta	7237	STMicroelettronica	STRipFET™ F7	Tubo	Attivo		-	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU25			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN							100 V	25A	4,5 V, 10 V	-	-		-		-	-
STPSC15H12DY	9.0800	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Acquisto per l'ultima volta			Foro passante	TO-220-2	STPSC15			SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-220AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-17162	EAR99	8541.10.0080	50		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)																														1200 V		1,5 V a 15 A	0 ns	90 µA a 1200 V	-40°C ~ 175°C	15A	1200pF a 0 V, 1 MHz
P0102BA1AA3	-	Richiesta di offerta	6721	STMicroelettronica	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 125°C	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	P0102					TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	2.500					5 mA																200 V	800 mA	800 mV	7A, 8A	200 µA	1,95 V	500 mA	10 µA	Cancello sensibile
STWA68N65DM6AG	7.9990	Richiesta di offerta	9113	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STWA68			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STWA68N65DM6AG	EAR99	8541.29.0095	600			CanaleN							650 V	72A(Tc)	10 V	39 mOhm a 36 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	118 nC a 10 V	±25 V	5900 pF a 100 V	-	480 W(Tc)
STP140N8F7	3.3200	Richiesta di offerta	6768	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™VII	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP140			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN							80 V	90A (Tc)	10 V	4,3 mOhm a 45 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	96 nC a 10 V	±20 V	6340 pF a 40 V	-	200 W (Tc)
ACS102-5T1	-	Richiesta di offerta	4762	STMicroelettronica	ASD™	Tubo	Obsoleto		-30°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	ACS102					8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	2.000	Separare				20 mA															Logica - Cancello sensibile	500 V	200 mA	900 mV	7,3 A, 8 A	5 mA
STL65DN3LLH5	-	Richiesta di offerta	3639	STMicroelettronica	STRipFET™ V	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL65			MOSFET (ossido di metallo)	60 W	PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)									30 V	65A		6,5 mOhm a 9,5 A, 10 V	1,5 V a 250 µA	12nC a 4,5 V		1500 pF a 25 V	Porta a livello logico
STPS20L45CT	1.7400	Richiesta di offerta	995	STMicroelettronica	-	Tubo	Acquisto per l'ultima volta			Foro passante	TO-220-3	STPS20			Schottky		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																													1 paio di catodo comune	45 V	10A	550 mV a 10 A		200 µA a 45 V	150°C (massimo)
BTW69-1000RG	-	Richiesta di offerta	6339	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		-40°C ~ 125°C	Foro passante	TOP-3	A proposito69					TOP3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	30					150 mA																1 kV	50A	1,3 V	580A, 610A	80 mA	1,9 V	32A	10 µA	Norma di recupero
STP40NF10	2.5000	Richiesta di offerta	4849	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP40			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN							100 V	50A (Tc)	10 V	28 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 250 µA	62 nC a 10 V	±20 V	2180 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STFU26N60M2	1.4941	Richiesta di offerta	3111	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STFU26			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN							600 V	20A (Tc)	10 V	165 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	34 nC a 10 V	±25 V	1360 pF a 100 V	-	30 W (Tc)
STW70N10F4	-	Richiesta di offerta	6911	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW70N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8797-5	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN							100 V	65A (Tc)	10 V	19,5 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 250 µA	85 nC a 10 V	±20 V	5800 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STD65NF06	-	Richiesta di offerta	5538	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD65N			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN							60 V	60A (Tc)	10 V	14 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 250 µA	75 nC a 10 V	±20 V	1700 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
STTH1002CSFY	0,9200	Richiesta di offerta	925	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-277, 3-PowerDFN	STTH1002			Standard		TO-277A (SMPC)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-STTH1002CSFYTR	EAR99	8541.10.0080	6.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																													1 paio di catodo comune	200 V	5A	1,05 V a 5 A	35 ns	4 µA a 200 V	-40°C ~ 175°C
SUGGERIMENTO126	-	Richiesta di offerta	1039	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO126				2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																																									80 V	5A							500μA	PNP-Darlington	4 V a 20 mA, 5 A	1000 a 3 A, 3 V	-
BTA06-600TRG	1.6600	Richiesta di offerta	685	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BTA06					TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	50	Separare				10 mA															Logica - Cancello sensibile	600 V	6A	1,3 V	60A, 63A	5 mA
STAC4932B	117.9750	Richiesta di offerta	7106	STMicroelettronica	-	Vassoio	Attivo	200 V			STAC244B	STAC4932		123 MHz	MOSFET		STAC244B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-10703	EAR99	8541.29.0095	20	CanaleN			-			500 mA	1000 W	26dB																					-																		100 V
STU3N45K3	0,3913	Richiesta di offerta	8923	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Attivo		-	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU3N45			MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75			CanaleN							450 V	1,8 A(Tc)	10 V	3,8 Ohm a 500 mA, 10 V	4,5 V a 50 µA	6 nC a 10 V	±30 V	150 pF a 25 V	-	27 W (Tc)