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Prodotti a semiconduttore discreti(6390)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tipo	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Attuale	Voltaggio	Tensione - Isolamento	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - Stato attivo (Vtm) (max)	Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max)	Corrente - Stato spento (max)	Tipo SCR	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova
STF9N60M2	1.6100	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		STF9N60			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN										600 V	5,5 A (TC)	10 V	780 mOhm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±25 V	320 pF a 100 V	-	20 W (Tc)
STGB10NB37LZ	-	Richiesta di offerta	1272	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STGB10	Standard			125 W	D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50						328 V, 10 A, 1 kOhm, 5 V																																				-	440 V	20A	40A	1,8 V a 4,5 V, 10 A	2,4 mJ (acceso), 5 mJ (spento)	28 nC	1,3 µs/8 µs
FERD40H100SG-TR	1.8300	Richiesta di offerta	61	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		FERD40			FERD (Diodo raddrizzatore ad effetto di campo)		D²PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																																100 V		705 mV a 40 A		190 µA a 100 V	175°C (massimo)	40A	-
STTH8003CY	10.7800	Richiesta di offerta	508	STMicroelettronica	Q Automotive	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-247-3		STTH8003			Standard		MAX247™	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	30		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																															1 paio di catodo comune	300 V	40A	1,25 V a 40 A	60 ns	80 µA a 300 V	175°C (massimo)
STL7LN65K5AG	3.0000	Richiesta di offerta	5270	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN		STL7LN65			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6) VHV	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN										650 V	5A (Tc)	10 V	1,5 Ohm a 2,5 A, 10 V	5 V a 100 µA	11,7 nC a 10 V	±30 V	270 pF a 100 V	-	79 W(Tc)
STT3P2UH7	-	Richiesta di offerta	7168	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6		STT3P			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P										20 V	3A (Tc)	1,8 V, 4,5 V	100 mOhm a 1,5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	4,8 nC a 4,5 V	±8 V	510 pF a 10 V	-	1,6 W (TC)
STGP30NC60K	-	Richiesta di offerta	9188	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		STGP30	Standard			185 W	TO-220	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50						480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V																																				-	600 V	60A	125A	2,7 V a 15 V, 20 A	350μJ (acceso), 435μJ (spento)	96 nC	29ns/120ns
STGB30M65DF2	3.3700	Richiesta di offerta	59	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STGB30	Standard			258 W	D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000						400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V																															140 n					Sosta sul campo di trincea	650 V	60A	120A	2 V a 15 V, 30 A	300μJ (acceso), 960μJ (spento)	80 nC	31,6 n/115 n
STB270N4F3	4.6200	Richiesta di offerta	5	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STB270			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN										40 V	160A(Tc)	10 V	2,5 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 250 µA	150 nC a 10 V	±20 V	7400 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
STTH8BC060D	-	Richiesta di offerta	7150	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-220-2		STTH8BC			Standard		TO-220AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																																600 V		3,6 V a 8 A	40 ns		-	8A	-
STP40N65M2	5.8900	Richiesta di offerta	37	STMicroelettronica	MDmesh™M2	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		STP40			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-15561-5	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN										650 V	32A(Tc)	10 V	99 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 250 µA	56,5 nC a 10 V	±25 V	2355 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STGWA60V60DF	5.6200	Richiesta di offerta	2949	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		STGWA60	Standard			375 W	TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30						400 V, 60 A, 4,7 Ohm, 15 V																															74 ns					Sosta sul campo di trincea	600 V	80A	240A	2,3 V a 15 V, 60 A	750μJ (acceso), 550μJ (spento)	334 nC	60ns/208ns
STB46NF30	4.4900	Richiesta di offerta	995	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STB46			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN										300 V	42A(Tc)	10 V	75 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 250 µA	90 nC a 10 V	±20 V	3200 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STGD6NC60HT4	-	Richiesta di offerta	9549	STMicroelettronica	PowerMESH™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		STGD6	Standard			56 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500						390 V, 3 A, 10 Ohm, 15 V																																				-	600 V	15A	21A	2,5 V a 15 V, 3 A	20μJ (acceso), 68μJ (spento)	13,6 nC	12ns/76ns
TN4050HP-12GY-TR	4.2100	Richiesta di offerta	250	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		TN4050					D²PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	1.000					100 mA																		1,2 kV	40A	1,3 V	400A, 440A	50 mA	1,55 V	25A	5 µA	Norma di recupero
STGB20V60DF	-	Richiesta di offerta	8911	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STGB20	Standard			167 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000						400 V, 20 A, 15 V																															40 ns					Sosta sul campo di trincea	600 V	40A	80A	2,2 V a 15 V, 20 A	200μJ (acceso), 130μJ (spento)	116 nC	38ns/149ns
STD150NH02L-1	-	Richiesta di offerta	5228	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA		STD15			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75			CanaleN										24 V	150A (Tc)	5 V, 10 V	3,5 mOhm a 75 A, 10 V	1,8 V a 250 µA	93 nC a 10 V	±20 V	4450 pF a 15 V	-	125 W (Tc)
STBR3012WY	3.2000	Richiesta di offerta	60	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2	Tubo	Attivo			Foro passante	DO-247-2 (diritti conduttori)		STBR3012			Standard		DO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-17097	EAR99	8541.10.0080	30		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																																1200 V		1,3 V a 30 A		2 µA a 1200 V	-40°C ~ 175°C	30A	-
FERD20H100STS	1.1400	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3		FERD20			FERD (Diodo raddrizzatore ad effetto di campo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																																100 V		705 mV a 20 A		140 µA a 100 V	175°C (massimo)	20A	-
PD55035-E	-	Richiesta di offerta	4649	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10RF (2 conduttori formati)		PD55035		500 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (formato piombo)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				7A			200 mA	35 W	16,9dB																							-																		12,5 V
STU6N90K5	2.1600	Richiesta di offerta	182	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi lunghi, IPak, TO-251AB		STU6N90			MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-17076	EAR99	8541.29.0095	75			CanaleN										900 V	6A (Tc)	10 V	1,1 Ohm a 3 A, 10 V	5 V a 100 µA		±30 V		-	110 W (Tc)
STGB30NC60WT4	3.5300	Richiesta di offerta	660	STMicroelettronica	PowerMESH™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STGB30	Standard			200 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000						390 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V																																				-	600 V	60A	150A	2,5 V a 15 V, 20 A	305μJ (acceso), 181μJ (spento)	102 nC	29,5 n/118 n
STGIB8CH60S-L	11.4035	Richiesta di offerta	2843	STMicroelettronica	SLLIMM™	Tubo	Attivo			Foro passante	Modulo 26-PowerDIP (1,146", 29,10 mm)	IGBT	STGIB8						scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8542.39.0001	156	Invertitore trifase									12A	600 V	1500 Vrm
STL24N60M6	1.7879	Richiesta di offerta	3917	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN		STL24			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (8x8) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN										600 V	15A (Tc)	10 V	209 mOhm a 8,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	23 nC a 10 V	±25 V	960 pF a 100 V	-	109 W(Tc)
STB24N60M6	3.0700	Richiesta di offerta	7172	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STB24			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN										600 V	17A(Tc)	10 V	190 mOhm a 8,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	23 nC a 10 V	±25 V	960 pF a 100 V	-	130 W(Tc)
STP65N045M9	6.6693	Richiesta di offerta	6839	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		STP65N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	497-STP65N045M9	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN										650 V	55A (Tc)	10 V	45 mOhm a 28 A, 10 V	4,2 V a 250 µA	80 nC a 10 V	±30 V	4610 pF a 400 V	-	245 W(Tc)
STS9P3LLH6	-	Richiesta di offerta	8251	STMicroelettronica	STRipFET™ H6	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		STS9P			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canale P										30 V	9A (Ta)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 4,5 A, 10 V	2 V a 250 µA	24 nC a 4,5 V	±20 V	2615 pF a 25 V	-	2,7 W(Ta)
STGFW40H65FB	-	Richiesta di offerta	4066	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3		STGFW40	Standard			62,5 W	TO-3PF-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30						400 V, 40 A, 5 Ohm, 15 V																																				Sosta sul campo di trincea	650 V	80A	160A	2 V a 15 V, 40 A	498μJ (acceso), 363μJ (spento)	210 nC	40ns/142ns
STPS30SM60SR	-	Richiesta di offerta	1244	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA		STPS30			Schottky		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																																60 V		615 mV a 30 A		135 µA a 60 V	150°C (massimo)	30A	-
STP75NF20	4.5100	Richiesta di offerta	5472	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		STP75			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5958-5	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN										200 V	75A (Tc)	10 V	34 mOhm a 37 A, 10 V	4 V a 250 µA	84 nC a 10 V	±20 V	3260 pF a 25 V	-	190 W(Tc)