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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Frequenza Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Corrente nominale (Amp) Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) Corrente-Prova Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tipo Triac Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) Figura di rumore Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Tensione - Prova Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
2N6036 STMicroelectronics 2N6036 -
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ECAD 1879 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 2N60 40 W SOT-32 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 80 V 4A 100μA PNP-Darlington 3 V a 40 mA, 4 A 750 a 2 A, 3 V -
STD60NH03L-1 STMicroelectronics STD60NH03L-1 -
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ECAD 1231 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ III Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STD60N MOSFET (ossido di metallo) I-PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 30 V 60A (Tc) 5 V, 10 V 9 mOhm a 30 A, 10 V 1 V a 250 µA 21 nC a 5 V ±20 V 2200 pF a 25 V - 70 W (Tc)
STP3LN62K3 STMicroelectronics STP3LN62K3 0,9800
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ECAD 964 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH3™ Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP3LN MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 620 V 2,5 A (TC) 10 V 3 Ohm a 1,25 A, 10 V 4,5 V a 50 µA 17 nC a 10 V ±30 V 386 pF a 50 V - 45 W (Tc)
STU11N65M2 STMicroelectronics STU11N65M2 1.7400
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ECAD 814 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Plus Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STU11 MOSFET (ossido di metallo) TO-251 (IPAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 650 V 7A(Tc) 10 V 670 mOhm a 3,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 12,5 nC a 10 V ±25 V 410 pF a 100 V - 85 W (Tc)
STW45N65M5 STMicroelectronics STW45N65M5 9.1900
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ECAD 341 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ V Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW45 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-12938-5 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 650 V 35A (Tc) 10 V 78 mOhm a 19,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 91 nC a 10 V ±20 V 3375 pF a 100 V - 210 W(Tc)
STK13003 STMicroelectronics STK13003 0,6100
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ECAD 3 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante SOT-82 STK13 40 W SOT-82-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V 1,5 A 5mA NPN 1,5 V a 500 mA, 1,5 A 5 a 1 A, 2 V -
STTH16R04CFP STMicroelectronics STTH16R04CFP -
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ECAD 3073 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STTH16 Standard TO-220FP - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 400 V 8A 1,5 V a 8 A 50 n 10 µA a 400 V -40°C ~ 175°C
STW24NM60N STMicroelectronics STW24NM60N 6.1000
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW24N MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 17A(Tc) 10 V 190 mOhm a 8 A, 10 V 4 V a 250 µA 46 nC a 10 V ±30 V 1400 pF a 50 V - 125 W (Tc)
T1050H-6I STMicroelectronics T1050H-6I 0,6000
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ECAD 1623 0.00000000 STMicroelettronica Snubberless™ Tubo Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 T1050 TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.30.0080 2.000 Separare 75 mA Alternatore: senza smorzatore 600 V 10A 1 V 100A, 105A 50 mA
STD105N10F7AG STMicroelectronics STD105N10F7AG 2.6000
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ECAD 2 0.00000000 STMicroelettronica Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD105 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 100 V 80A (Tc) 10 V 8 mOhm a 40 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 61 nC a 10 V ±20 V 4369 pF a 50 V - 120 W (Tc)
2STA1694 STMicroelectronics 2STA1694 -
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ECAD 9608 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-3P-3, SC-65-3 2STA 80 W TO-3P scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 120 V 8A 10 µA (ICBO) PNP 1,5 V a 300 mA, 3 A 70 @ 3A, 4V 20 MHz
STTH10LCD06CT STMicroelectronics STTH10LCD06CT 1.3539
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ECAD 7555 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 STTH10 Standard TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 600 V 5A 2 V a 5 A 50 n 1 µA a 600 V 175°C (massimo)
STP10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z 3.4600
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ECAD 300 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP10 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 10A (Tc) 10 V 750 mOhm a 4,5 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 70 nC a 10 V ±30 V 1370 pF a 25 V - 115 W(Tc)
ST13007D STMicroelectronics ST13007D 1.7200
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ECAD 8 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 ST13007 80 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V 8A 100μA NPN 2 V a 2 A, 8 A 8 a 5 A, 5 V -
STPSA42-AP STMicroelectronics STPSA42-AP -
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ECAD 2736 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e scatola (TB) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead STPSA42 625 mW TO-92AP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 300 V 500 mA 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 2 mA, 20 mA 40 a 30 mA, 10 V 50 MHz
STWA70N60DM2 STMicroelectronics STWA70N60DM2 8.0580
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ECAD 2755 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM2 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STWA70 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 Cavi lunghi scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 600 CanaleN 600 V 66A(Tc) 10 V 42 mOhm a 33 A, 10 V 5 V a 250 µA 120 nC a 10 V ±25 V 5508 pF a 100 V - 446 W(Tc)
STPS20170CR STMicroelectronics STPS20170CR -
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ECAD 7611 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA STPS20170 Schottky I2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-4822-5 EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 170 V 10A 900 mV a 10 A 15 µA a 170 V 175°C (massimo)
STE40NC60 STMicroelectronics STE40NC60 42.1900
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ECAD 3999 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™II Tubo Attivo 150°C (TJ) Montaggio su telaio ISOTOP STE40 MOSFET (ossido di metallo) ISOTOP® scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 10 CanaleN 600 V 40A (Tc) 10 V 130 mOhm a 20 A, 10 V 4 V a 250 µA 430 nC a 10 V ±30 V 11.100 pF a 25 V - 460 W(Tc)
STW12N120K5 STMicroelectronics STW12N120K5 10.6600
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ECAD 267 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW12 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-15446-5 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 1200 V 12A (Tc) 10 V 690 mOhm a 6 A, 10 V 5 V a 100 µA 44,2 nC a 10 V ±30 V 1370 pF a 100 V - 250 W(Tc)
STPS30170CT STMicroelectronics STPS30170CT -
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ECAD 1647 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 STPS30170 Schottky TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-4825-5 EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 170 V 15A 920 mV a 15 A 20 µA a 170 V 175°C (massimo)
STH12N120K5-2AG STMicroelectronics STH12N120K5-2AG 12.1100
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ECAD 4288 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STH12 MOSFET (ossido di metallo) H2Pak-2 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 1200 V 12A (Tc) 10 V 690 mOhm a 6 A, 10 V 5 V a 100 µA 44,2 nC a 10 V ±30 V 1370 pF a 100 V - 250 W(Tc)
STP26N60DM6 STMicroelectronics STP26N60DM6 4.0100
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ECAD 2354 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM6 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP26 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-18499 EAR99 8541.29.0095 350 CanaleN 600 V 18A (Tc) 10 V 195 mOhm a 9 A, 10 V 4,75 V a 250 µA 24 nC a 10 V ±25 V 940 pF a 100 V - 130 W(Tc)
BU941P STMicroelectronics BU941P -
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ECAD 6463 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 BU941 155 W TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V 15A 100μA NPN-Darlington 2 V a 300 mA, 12 A 300 a 5 A, 10 V -
STN3NF06 STMicroelectronics STN3NF06 1.0700
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ECAD 8532 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA STN3 MOSFET (ossido di metallo) SOT-223 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 4.000 CanaleN 60 V 4A(Tc) 10 V 100 mOhm a 1,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 13 nC a 10 V ±20 V 315 pF a 25 V - 3,3 W(Tc)
BUL128-K STMicroelectronics BUL128-K -
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ECAD 9546 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 BUL128 70 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 250 400 V 4A 200μA NPN 500 mV a 1 A, 4 A 14 a 2 A, 5 V -
PD55025 STMicroelectronics PD55025 -
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ECAD 3020 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 40 V Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10 PD55025 500 MHz LDMOS 10-PowerSO scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 7A 200 mA 25 W 14,5dB - 12,5 V
STPS16170CT STMicroelectronics STPS16170CT -
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ECAD 8238 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 STPS16170 Schottky TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-6079-5 EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 170 V 8A 920 mV a 8 A 15 µA a 170 V 175°C (massimo)
STB24N60M6 STMicroelectronics STB24N60M6 3.0700
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ECAD 7172 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ M6 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB24 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 17A(Tc) 10 V 190 mOhm a 8,5 A, 10 V 4,75 V a 250 µA 23 nC a 10 V ±25 V 960 pF a 100 V - 130 W(Tc)
STL19N60M2 STMicroelectronics STL19N60M2 1.3035
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ECAD 6010 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ M2 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STL19 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (8x8) Alta tensione scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 600 V 11A(Tc) 10 V 4 V a 250 µA 21,5 nC a 10 V ±25 V 791 pF a 100 V - 90 W (Tc)
STBV45-AP STMicroelectronics STBV45-AP 0,5100
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ECAD 3 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro tagliato (CT) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead STBV45 950 mW TO-92AP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 400 V 750 mA 250μA NPN 1,5 V a 135 mA, 400 mA 5 a 400 mA, 5 V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock