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Prodotti a semiconduttore discreti(6390)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - Stato attivo (Vtm) (max)	Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max)	Corrente - Stato spento (max)	TipoSCR	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
BD243C	-	Richiesta di offerta	6235	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3	BD243		65 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																																			100 V	6A	700μA	NPN	1,5 V a 1 A, 6 A	15 a 3 A, 4 V	-
Z0107MUF	0,9400	Richiesta di offerta	238	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-40°C ~ 125°C (TJ)		Montaggio superficiale	3-SMB, cavo piatto	Z0107			SMBpiatto-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	5.000	Separare				10 mA											Logica - Cancello sensibile	600 V	1A	1,3 V	8A, 8,5A	5 mA
STW120NF10	6.1000	Richiesta di offerta	2680	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Acquisto per l'ultima volta		-55°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3	STW120	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5166-5	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN			100 V	110A (Tc)	10 V	10,5 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	233 nC a 10 V	±20 V	5200 pF a 25 V	-	312 W(Tc)
STC20DE90HP	-	Richiesta di offerta	2444	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	900 V		Scopo generale	Foro passante	TO-247-4	STC20D			TO-247-4L HP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8772-5	EAR99	8541.29.0095	30				20A																																		NPN - Bipolare commutato dall'emettitore
STB30NM60ND	-	Richiesta di offerta	3406	STMicroelettronica	FDmesh™II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB30N	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN			600 V	25A (Tc)	10 V	130 mOhm a 12,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±25 V	2800 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
STF13N80K5	3.9800	Richiesta di offerta	664	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF13	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-13753-5	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			800 V	12A (Tc)	10 V	450 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 100 µA	29 nC a 10 V	±30 V	870 pF a 100 V	-	35 W (Tc)
STB30NM50N	-	Richiesta di offerta	9786	STMicroelettronica	MDmesh™II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB30N	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN			500 V	27A(Tc)	10 V	115 mOhm a 13,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	94 nC a 10 V	±25 V	2740 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
Z0107NN5AA4	0,9700	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-40°C ~ 125°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	Z0107			SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	1.000	Separare				10 mA											Logica - Cancello sensibile	800 V	1A	1,3 V	8A, 8,5A	5 mA
TN1215-600G-TR	1.9500	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-40°C ~ 125°C		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	TN1215			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	1.000					30 mA												600 V	12A	1,3 V	140A, 145A	15 mA	1,6 V	8A	5 µA	Norma di recupero
STP11NM80	6.3500	Richiesta di offerta	7267	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3	STP11	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-4369-5	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			800 V	11A(Tc)	10 V	400 mOhm a 5,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	43,6 nC a 10 V	±30 V	1630 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
IRFP460	-	Richiesta di offerta	1922	STMicroelettronica	PowerMESH™ II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3	IRFP	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-2734-5	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN			500 V	18,4A(Tc)	10 V	270 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	128 nC a 10 V	±30 V	2980 pF a 25 V	-	220 W (Tc)
STW7N105K5	3.5700	Richiesta di offerta	5276	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3	STW7N105	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-15285-5	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN			1050 V	4A(Tc)	10 V	2 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 100 µA	17 nC a 10 V	±30 V	380 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STU5NK50Z	-	Richiesta di offerta	1114	STMicroelettronica	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto						STU5N				-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		3.000
BUX87	1.2200	Richiesta di offerta	358	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)		Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BUX87		40 W	SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																																			450 V	500 mA	100μA	NPN	1 V a 20 mA, 200 mA	12 a 40 mA, 5 V	20 MHz
STPS5S100SFY	0,7400	Richiesta di offerta	4	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	TO-277, 3-PowerDFN		Schottky		TO-277A (SMPC)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-STPS5S100SFYTR	EAR99	8541.10.0080	6.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																									100 V		820 mV a 5 A		2,5 µA a 100 V	-40°C ~ 175°C	5A	-
STI35N65M5	-	Richiesta di offerta	5606	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)		Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI35N	MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			650 V	27A(Tc)	10 V	98 mOhm a 13,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	83 nC a 10 V	±25 V	3750 pF a 100 V	-	160 W(Tc)
STFN42	-	Richiesta di offerta	3982	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-243AA	STFN42		1,4 W	SOT-89-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500																																			400 V	1A	100μA	NPN	1,5 V a 250 mA, 750 mA	10 a 400 mA, 5 V	-
STB200N4F3	-	Richiesta di offerta	9628	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB200N	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN			40 V	120A (Tc)	10 V	4 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 250 µA	75 nC a 10 V	±20 V	5100 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
TS1220-600B-TR	1.7000	Richiesta di offerta	23	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-40°C ~ 125°C		Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	TS1220			DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	2.500					5 mA												600 V	12A	800 mV	110A, 115A	200 µA	1,6 V	8A	5 µA	Cancello sensibile
STHU36N60DM6AG	6.7700	Richiesta di offerta	6254	STMicroelettronica	Automobilistico	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA		MOSFET (ossido di metallo)		HU3PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-STHU36N60DM6AGTR	EAR99	8541.29.0095	600			CanaleN			600 V	29A(Tc)	10 V	99 mOhm a 14,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	46 nC a 10 V	±25 V	1960 pF a 100 V	-	210 W(Tc)
STF6N80K5	2.6600	Richiesta di offerta	9689	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF6	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			800 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,6 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 100 µA	13 nC a 10 V	30 V	270 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STS5P3LLH6	0,9800	Richiesta di offerta	27	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ H6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS5P3	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			Canale P			30 V	5A (Ta)	4,5 V, 10 V	56 mOhm a 2,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	6 nC a 4,5 V	±20 V	639 pF a 25 V	-	2,7 W(Ta)
STW30NF20	-	Richiesta di offerta	1037	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3	STW30N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5989-5	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN			200 V	30A (Tc)	10 V	75 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 250 µA	38 nC a 10 V	±20 V	1597 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
STW25NM60ND	-	Richiesta di offerta	5059	STMicroelettronica	FDmesh™II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3	STW25N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8455-5	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN			600 V	21A(Tc)	10 V	160 mOhm a 10,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	80 nC a 10 V	±25 V	2400 pF a 50 V	-	160 W(Tc)
STW26NM50	11.2300	Richiesta di offerta	578	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Design non per nuovi		150°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3	STW26	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN			500 V	30A (Tc)	10 V	120 mOhm a 13 A, 10 V	5 V a 250 µA	106 nC a 10 V	±30 V	3000 pF a 25 V	-	313 W(Tc)
STD90N02L-1	-	Richiesta di offerta	1527	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STD90	MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75			CanaleN			25 V	60A (Tc)	5 V, 10 V	6 mOhm a 30 A, 10 V	1,8 V a 250 µA	22 nC a 5 V	±20 V	2050 pF a 16 V	-	70 W (Tc)
FERD30H100SB-TR	1.2000	Richiesta di offerta	7	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FERD30	FERD (Diodo raddrizzatore ad effetto di campo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	2.500		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																									100 V					175°C (massimo)	30A	-
STW25N80K5	6.5900	Richiesta di offerta	9365	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3	STW25	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN			800 V	19,5 A(Tc)	10 V	260 mOhm a 19,5 A, 10 V	5 V a 100 µA	40 nC a 10 V	±30 V	1600 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
BYT230Y-400	-	Richiesta di offerta	9875	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto				Foro passante	TO-247-3	BYT230	Standard		MAX247™	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	600		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																								1 paio di catodo comune	400 V	30A	1,5 V a 30 A	100 n	35 µA a 400 V	150°C (massimo)
STB30N80K5	7.9600	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB30	MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN			800 V	24A (Tc)	10 V	180 mOhm a 12 A, 10 V	5 V a 100 µA	43 nC a 10 V	±30 V	1530 pF a 100 V	-	250 W(Tc)