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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Frequenza Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Corrente nominale (Amp) Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tipo triac Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) Figura di rumore Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
BTB10-600BWRG STMicroelectronics BTB10-600BWRG 1.6400
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ECAD 9 0.00000000 STMicroelettronica Snubberless™ Tubo Attivo -40°C ~ 125°C (TJ) Foro passante TO-220-3 BTB10 TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.30.0080 50 Separare 50 mA Alternatore: senza smorzatore 600 V 10A 1,3 V 100A, 105A 50 mA
BD438 STMicroelectronics BD438 0,8500
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ECAD 3 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 BD438 36 W SOT-32-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 45 V 4A 100μA PNP 600 mV a 200 mA, 2 A 30 a 10 mA, 5 V 3 MHz
ST13003-K STMicroelectronics ST13003-K 0,8600
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ECAD 882 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 ST13003 40 W SOT-32-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 400 V 1,5 A 1mA NPN 1,5 V a 500 mA, 1,5 A 5 a 1 A, 2 V -
BU508A STMicroelectronics BU508A -
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ECAD 6080 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 BU508 125 W TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 700 V 8A 1mA NPN 1 V a 2 A, 4,5 A - 7 MHz
STPS30L30DJF-TR STMicroelectronics STPS30L30DJF-TR 1.5600
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ECAD 493 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STPS30L30 Schottky PowerFlat™ (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 510 mV a 30 A 750 µA a 30 V 150°C (massimo) 30A -
STW11NM80 STMicroelectronics STW11NM80 5.8800
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ECAD 6851 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ Tubo Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW11 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 800 V 11A(Tc) 10 V 400 mOhm a 5,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 43,6 nC a 10 V ±30 V 1630 pF a 25 V - 150 W(Tc)
ACST1235-8FP STMicroelectronics ACST1235-8FP 1.6700
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica ACS™/ASD® Tubo Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo ACST1235 TO-220FPAB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.30.0080 50 Separare 30 mA Standard 800 V 12A 1 V 100A, 105A 35 mA
STP11NM60N STMicroelectronics STP11NM60N -
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ECAD 8419 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP11N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 10A (Tc) 10 V 450 mOhm a 5 A, 10 V 4 V a 250 µA 31 nC a 10 V ±25 V 850 pF a 50 V - 90 W (Tc)
STP11N60DM2 STMicroelectronics STP11N60DM2 1.8000
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ECAD 7514 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM2 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP11 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16932 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 10A (Tc) 10 V 420 mOhm a 5 A, 10 V 5 V a 250 µA 16,5 nC a 10 V ±25 V 614 pF a 100 V - 110 W (Tc)
STB18NM60ND STMicroelectronics STB18NM60ND 5.5900
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ECAD 4467 0.00000000 STMicroelettronica FDmesh™ II Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB18 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 13A(Tc) 10 V 290 mOhm a 6,5 ​​A, 10 V 5 V a 250 µA 34 nC a 10 V ±25 V 1030 pF a 50 V - 110 W (Tc)
BC857B STMicroelectronics BC857B -
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ECAD 1048 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 250 mW SOT-23-3 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 15nA (ICBO) PNP 650 mV a 5 mA, 100 mA 220 a 2 mA, 5 V 100 MHz
BUL138 STMicroelectronics BUL138 1.5900
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ECAD 224 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 BUL138 80 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V 5A 250μA NPN 700 mV a 1 A, 5 A 8 a 2 A, 5 V -
STD1805-1 STMicroelectronics STD1805-1 -
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ECAD 1200 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STD18 15 W I-PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 3.000 60 V 5A 100nA (ICBO) NPN 600 mV a 200 mA, 5 A 200 a 100 mA, 2 V 150 MHz
STP45N65M5 STMicroelectronics STP45N65M5 8.6200
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ECAD 9404 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ V Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP45 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-12937-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 35A (Tc) 10 V 78 mOhm a 19,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 91 nC a 10 V ±25 V 3375 pF a 100 V - 210 W(Tc)
STF23N80K5 STMicroelectronics STF23N80K5 5.4700
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ECAD 43 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF23 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16305-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 800 V 16A (Tc) 10 V 280 mOhm a 8 A, 10 V 5 V a 100 µA 33 nC a 10 V ±30 V 1000 pF a 100 V - 35 W (Tc)
BD179 STMicroelectronics BD179 -
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ECAD 4908 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 BD179 30 W SOT-32 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato BD179ST EAR99 8541.29.0095 2.000 80 V 3A 100μA (ICBO) NPN 800 mV a 100 mA, 1 A 15 a 2 V, 1 A -
STF17N62K3 STMicroelectronics STF17N62K3 5.4300
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ECAD 727 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH3™ Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF17 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 620 V 15,5 A(Tc) 10 V 340 mOhm a 7,5 A, 10 V 4,5 V a 100 µA 105 nC a 10 V ±30 V 3100 pF a 50 V - 40 W (Tc)
RF2L15200CB4 STMicroelectronics RF2L15200CB4 163.3500
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ECAD 6962 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Attivo 65 V Montaggio su telaio LBB RF2L15200 1,5GHz LDMOS LBB - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-RF2L15200CB4 100 - 1μA 200W 17,5dB -
STL21N65M5 STMicroelectronics STL21N65M5 6.7700
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ECAD 5 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ V Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STL21 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (8x8) Alta tensione scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 650 V 17A(Tc) 10 V 179 mOhm a 8,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 50 nC a 10 V ±25 V 1950 pF a 100 V - 3 W (Ta), 125 W (Tc)
STPS30H60CG STMicroelectronics STPS30H60CG -
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ECAD 2143 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STPS30H60 Schottky D2PAK scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 60 V 15A 660 mV a 15 A 60 µA a 60 V 175°C (massimo)
STB10N60M2 STMicroelectronics STB10N60M2 1.6400
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Plus Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB10 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 7,5 A(Tc) 10 V 600 mOhm a 3 A, 10 V 4 V a 250 µA 13,5 nC a 10 V ±25 V 400 pF a 100 V - 85 W (Tc)
STBV42-AP STMicroelectronics STBV42-AP -
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ECAD 3269 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro tagliato (CT) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead STBV42 1 W TO-92AP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 400 V 1A 1mA NPN 1,5 V a 250 mA, 750 mA 10 a 400 mA, 5 V -
STFI12N60M2 STMicroelectronics STFI12N60M2 1.6100
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™M2 Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Confezione completa, I²Pak STFI12N MOSFET (ossido di metallo) I2PAKFP (TO-281) scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 9A (Tc) 10 V 450 mOhm a 4,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 16 nC a 10 V ±25 V 538 pF a 100 V - 25 W (Tc)
SCTWA35N65G2V STMicroelectronics SCTWA35N65G2V 18.6800
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ECAD 5585 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SCTWA35 SiCFET (carburo di silicio) TO-247 Cavi lunghi scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-SCTWA35N65G2V EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 650 V 45A (Tc) 18 V, 20 V 72 mOhm a 20 A, 20 V 3,2 V a 1 mA 73 nC a 20 V +20 V, -5 V 73.000 pF a 400 V - 208 W(Tc)
STP9NM40N STMicroelectronics STP9NM40N 1.9000
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ECAD 742 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP9N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 400 V 5,6 A(Tc) 10 V 790 mOhm a 2,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 14 nC a 10 V ±25 V 365 pF a 50 V - 60 W (Tc)
STO68N65DM6 STMicroelectronics STO68N65DM6 9.6800
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ECAD 260 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerSFN MOSFET (ossido di metallo) PEDAGGIO (HV) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-STO68N65DM6TR EAR99 8541.29.0095 1.800 CanaleN 650 V 55A (Tc) 10 V 65 mOhm a 27,5 A, 10 V 4,75 V a 250 µA 80 nC a 10 V ±25 V 3528 pF a 100 V - 240 W(Tc)
STPS30SM80CT STMicroelectronics STPS30SM80CT -
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ECAD 3092 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-3 STPS30 Schottky TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 80 V 15A 790 mV a 15 A 40 µA a 80 V 175°C (massimo)
BYT60P-1000 STMicroelectronics BYT60P-1000 -
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ECAD 8377 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto Foro passante SOD-93-2 BYT60 Standard SOD-93 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 300 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 2 Indipendente 1000 V 60A 1,9 V a 60 A 170 n 100 µA a 1000 V 150°C (massimo)
STF25NM60N STMicroelectronics STF25NM60N -
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ECAD 2137 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF25 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-5005-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 21A(Tc) 10 V 160 mOhm a 10,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 84 nC a 10 V ±25 V 2400 pF a 50 V - 40 W (Tc)
STW21NM60ND STMicroelectronics STW21NM60ND 3.9451
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ECAD 3862 0.00000000 STMicroelettronica FDmesh™ II Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW21 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-8453-5 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 17A(Tc) 10 V 220 mOhm a 8,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 60 nC a 10 V ±25 V 1800 pF a 50 V - 140 W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock