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Prodotti a semiconduttore discreti(6390)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Struttura	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Corrente - Uscita di picco	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max)	Tensione - Rottura	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Numero di SCR, diodi	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Corrente – Breakover
STF13N60DM2	2.0000	Richiesta di offerta	305	STMicroelettronica	MDmesh™DM2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF13		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16961	EAR99	8541.29.0095	50				CanaleN					600 V	11A(Tc)	10 V	365 mOhm a 5,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	19 nC a 10 V	±25 V	730 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STD3NK50ZT4	1.2800	Richiesta di offerta	3409	STMicroelettronica	SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD3NK50		MOSFET (ossido di metallo)			DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500				CanaleN					500 V	2,3 A(Tc)	10 V	3,3 Ohm a 1,15 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	15 nC a 10 V	±30 V	280 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
STD38NH02LT4	-	Richiesta di offerta	1292	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD38		MOSFET (ossido di metallo)			DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500				CanaleN					24 V	38A(Tc)	5 V, 10 V	13,5 mOhm a 19 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1070 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
STPSC8H065DLF	3.7700	Richiesta di offerta	5	STMicroelettronica	ECOPACK®2	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STPSC8		SiC (carburo di silicio) Schottky			PowerFlat™ (8x8) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)																											650 V		1,55 V a 8 A	0 ns	80 µA a 650 V	-40°C ~ 175°C	8A	460pF a 0 V, 1 MHz
STN3NF06L	1.0300	Richiesta di offerta	25	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN3		MOSFET (ossido di metallo)			SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000				CanaleN					60 V	4A(Tc)	5 V, 10 V	100 mOhm a 1,5 A, 10 V	2,8 V a 250 µA	9 nC a 5 V	±16V	340 pF a 25 V	-	3,3 W(Tc)
STFW1N105K3	2.5098	Richiesta di offerta	5044	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	STFW1		MOSFET (ossido di metallo)			TO-3PF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				CanaleN					1050 V	1,4 A(Tc)	10 V	11 Ohm a 600 mA, 10 V	4,5 V a 50 µA	13 nC a 10 V	±30 V	180 pF a 100 V	-	20 W (Tc)
STTH30L06W	3.4000	Richiesta di offerta	686	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo			Foro passante	DO-247-2 (Diritti dei conduttori)	STTH30		Standard			DO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-4411-5	EAR99	8541.10.0080	30		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																											600 V		1,55 V a 30 A	90 ns	25 µA a 600 V	175°C (massimo)	30A	-
STD7NM64N	2.0700	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	MDmesh™II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD7		MOSFET (ossido di metallo)			DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500				CanaleN					640 V	5A (Tc)	10 V	1,05 Ohm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±25 V	363 pF a 50 V	-	60 W (Tc)
STI15NM60ND	-	Richiesta di offerta	4117	STMicroelettronica	FDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI15N		MOSFET (ossido di metallo)			I2PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				CanaleN					600 V	14A (Tc)	10 V	299 mOhm a 7 A, 10 V	5 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±25 V	1250 pF a 50 V	-	125 W (Tc)
STH200N10WF7-2	6.9100	Richiesta di offerta	4503	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)			H2Pak-2	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000				CanaleN					100 V	180A(Tc)	10 V	4 mOhm a 90 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	93 nC a 10 V	±20 V	4430 pF a 25 V	-	340 W(Tc)
STPS50U100CR	-	Richiesta di offerta	8642	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto			Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STPS50		Schottky			I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-12341	EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																										1 paio di catodo comune	100 V	25A	730 mV a 25 A		200 µA a 100 V	150°C (massimo)
STP185N55F3	5.6500	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP185		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				CanaleN					55 V	120A (Tc)	10 V	3,8 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±20 V	6800 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
STP20NM60FD	6.5100	Richiesta di offerta	9315	STMicroelettronica	FDmesh™	Tubo	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP20		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				CanaleN					600 V	20A (Tc)	10 V	290 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±30 V	1300 pF a 25 V	-	192 W(Tc)
STFI11N65M2	-	Richiesta di offerta	9947	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Confezione completa, I²Pak	STFI11N		MOSFET (ossido di metallo)			I2PAKFP (TO-281)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				CanaleN					650 V	7A(Tc)	10 V	670 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	12,5 nC a 10 V	±25 V	410 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STTD6050H-12M2Y	22.6400	Richiesta di offerta	6159	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	9-PowerSMD					Ponte, monofase - SCR/diodi (schema 1)		scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	200						100 mA														1,2 kV	60A	1,3 V	500A, 525A	50 mA	38A												2 SCR, 2 diodi
T1235T-8T	1.8200	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	Snubberless™	Tubo	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	T1235					TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-13995-5	EAR99	8541.30.0080	50	Separare					40 mA													Alternatore: senza smorzatore	800 V	12A	1,3 V	90A, 95A	35 mA
STTH8S12D	1.4700	Richiesta di offerta	7804	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-2	STTH8		Standard			TO-220AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-15573-5	EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																											1200 V		2,7 V a 8 A	45 ns	5 µA a 1200 V	175°C (massimo)	8A	-
STB170NF04	3.7400	Richiesta di offerta	597	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB170		MOSFET (ossido di metallo)			D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000				CanaleN					40 V	80A (Tc)	10 V	5 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	170 nC a 10 V	±20 V	9000 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
LIC01-195H	-	Richiesta di offerta	9833	STMicroelettronica	ASD™	Tubo	Obsoleto		-20°C ~ 125°C (TJ)		TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	LIC01					I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	3.000			1,2A			50 mA																				195~230 V																			500 µA
2N2907	-	Richiesta di offerta	8456	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N29			1,8 W		TO-18	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																																						40 V	600 mA	20nA (ICBO)	PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	200 MHz
STB75N20	-	Richiesta di offerta	6391	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB75N		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000				CanaleN					200 V	75A (Tc)	10 V	34 mOhm a 37 A, 10 V	4 V a 250 µA	84 nC a 10 V	±20 V	3260 pF a 25 V	-	190 W(Tc)
STTH200W04TV1	-	Richiesta di offerta	3066	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto			Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	STTH2		Standard			ISOTOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	10		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																										2 Indipendente	400 V	100A	1,55 V a 100 A	55 ns	40 µA a 400 V	150°C (massimo)
STTH1602CGY-TR	1.6100	Richiesta di offerta	250	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STTH1602		Standard			D²PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																										1 paio di catodo comune	200 V	8A	1,25 V a 16 A	26 ns	6 µA a 200 V	-40°C ~ 175°C
STF11N65M2	1.9000	Richiesta di offerta	28	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF11		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				CanaleN					650 V	7A(Tc)	10 V	670 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	12,5 nC a 10 V	±25 V	410 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STF40NF03L	-	Richiesta di offerta	3822	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF40N		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				CanaleN					30 V	23A (Tc)	4,5 V, 10 V	22 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	15 nC a 4,5 V	±16V	770 pF a 25 V	-	25 W (Tc)
STTH8R04D	1.8200	Richiesta di offerta	599	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-2	STTH8		Standard			TO-220AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																											400 V		1,5 V a 8 A	50 n	10 µA a 400 V	-40°C ~ 175°C	8A	-
STTH1L06RL	0,5200	Richiesta di offerta	12	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Foro passante	DO-204AL, DO-41, assiale	STTH1		Standard			DO-41	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																											600 V		1,3 V a 1 A	80 ns	1 µA a 600 V	175°C (massimo)	1A	-
RF2L27015CG2	36.3000	Richiesta di offerta	8601	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	60 V		Montaggio superficiale	E2	RF2L27015	700 MHz ~ 2,7 GHz	LDMOS			E2	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-RF2L27015CG2			300	-				1μA		15 W	19dB																			-
STTH3002PI	-	Richiesta di offerta	6669	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto			Foro passante	DOP3I-2 isolati (diritti conduttori)	STTH3002		Standard			DOP3I	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	30		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																											200 V		1,05 V a 30 A	50 n	20 µA a 200 V	175°C (massimo)	30A	-
STPS3170UF	0,6200	Richiesta di offerta	3	STMicroelettronica	ECOPACK®	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	DO-221AA, cavi piatti per PMI	STPS3170		Schottky			PMIpiatto	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	5.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																											170 V		820 mV a 3 A		4 µA a 170 V	-40°C ~ 175°C	3A	-