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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Corrente nominale (Amp) Condizione di prova Corrente - Prova Potenza-Uscita Guadagno Attuale Voltaggio Tensione - Isolamento Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Figura di rumore Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (Max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Tensione - Prova Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
STH275N8F7-2AG STMicroelectronics STH275N8F7-2AG 5.9600
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ECAD 3839 0.00000000 STMicroelettronica Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STH275 MOSFET (ossido di metallo) H2Pak-2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 80 V 180A(Tc) 10 V 2,1 mOhm a 90 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 193 nC a 10 V ±20 V 13600 pF a 50 V - 315 W(Tc)
STB35N60DM2 STMicroelectronics STB35N60DM2 6.1700
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ECAD 6936 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM2 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB35 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 28A (Tc) 10 V 110 mOhm a 14 A, 10 V 5 V a 250 µA 54 nC a 10 V ±25 V 2400 pF a 100 V - 210 W(Tc)
STPSC20H065CWY STMicroelectronics STPSC20H065CWY 9.3400
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ECAD 600 0.00000000 STMicroelettronica Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tubo Attivo Foro passante TO-247-3 STPSC20 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 30 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 650 V 10A 1,75 V a 10 A 100 µA a 650 V -40°C ~ 175°C
SD57060-10 STMicroelectronics SD57060-10 -
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ECAD 7480 0.00000000 STMicroelettronica - Scatola Obsoleto 65 V M243 SD57060 945 MHz LDMOS M243 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 25 7A 100 mA 60 W 15dB - 28 V
STF140N6F7 STMicroelectronics STF140N6F7 2.2100
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ECAD 4258 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF140 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16970 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 60 V 70A (Tc) 10 V 3,5 mOhm a 35 A, 10 V 4 V a 250 µA 55 nC a 10 V ±20 V 3100 pF a 25 V - 33 W (Tc)
RF5L08600CB4 STMicroelectronics RF5L08600CB4 217.8000
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ECAD 2734 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Attivo 115 V Montaggio su telaio D4E RF5L08600 400 MHz~1 GHz LDMOS D4E - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-RF5L08600CB4 100 - 1μA 110 mA 650W 19,5dB - 50 V
TD134N4F7AG STMicroelectronics TD134N4F7AG -
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ECAD 2115 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 MOSFET (ossido di metallo) D-PAK (TO-252) - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-TD134N4F7AGTR 1 CanaleN 40 V 80A (Tc) 10 V 3,5 mOhm a 40 A, 10 V 4 V a 250 µA 41 nC a 10 V ±20 V 2790 pF a 25 V - 134 W(Tc)
STL26N60DM6 STMicroelectronics STL26N60DM6 3.8900
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM6 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STL26 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (8x8) Alta tensione scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 600 V 15A (Tc) 10 V 215 mOhm a 7,5 A, 10 V 4,75 V a 250 µA 24 nC a 10 V ±25 V 940 pF a 100 V - 110 W (Tc)
STPST3H100AF STMicroelectronics STPST3H100AF 0,1497
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ECAD 7626 0.00000000 STMicroelettronica ECOPACK®2 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-128 Schottky SOD128Piatto scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 755 mV a 3 A 5,7 µA a 100 V 175°C 3A -
STW48N60DM2 STMicroelectronics STW48N60DM2 10.6600
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ECAD 4222 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM2 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW48 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 40A (Tc) 10 V 79 mOhm a 20 A, 10 V 5 V a 250 µA 70 nC a 10 V ±25 V 3250 pF a 100 V - 300 W(Tc)
STP16NF06 STMicroelectronics STP16NF06 1.3500
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP16 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 60 V 16A (Tc) 10 V 100 mOhm a 8 A, 10 V 4 V a 250 µA 13 nC a 10 V ±20 V 315 pF a 25 V - 45 W (Tc)
STB11NM60N-1 STMicroelectronics STB11NM60N-1 -
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ECAD 4330 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™II Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA STB11N MOSFET (ossido di metallo) I2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 10A (Tc) 10 V 450 mOhm a 5 A, 10 V 4 V a 250 µA 31 nC a 10 V ±25 V 850 pF a 50 V - 90 W (Tc)
STF3HNK90Z STMicroelectronics STF3HNK90Z -
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ECAD 4884 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF3HN MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-4341-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 800 V 3A (Tc) 10 V 4,2 Ohm a 1,5 A, 10 V 4,5 V a 50 µA 35 nC a 10 V ±30 V 690 pF a 25 V - 25 W (Tc)
PD54008S-E STMicroelectronics PD54008S-E -
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ECAD 9915 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 25 V Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10 PD54008 500 MHz LDMOS PowerSO-10RF (cavo dritto) scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 5A 150 mA 8 W 11,5dB - 7,5 V
STTH12R06G STMicroelectronics STTH12R06G 2.4500
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ECAD 5030 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STTH12 Standard D2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 2,9 V a 12 A 45 ns 45 µA a 600 V 175°C (massimo) 12A -
STPST5H100SF STMicroelectronics STPST5H100SF 0,6500
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ECAD 4288 0.00000000 STMicroelettronica ECOPACK®2 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-277, 3-PowerDFN STPST5 Schottky TO-277A (SMPC) - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 6.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 680 mV a 5 A 11,5 µA a 100 V 175°C 5A -
STTH152 STMicroelectronics STTH152 -
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ECAD 3590 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e scatola (TB) Obsoleto Foro passante DO-204AC, DO-15, assiale STTH152 Standard DO-15 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 950 mV a 1,5 A 32 ns 1,5 µA a 200 V 175°C (massimo) 1,5 A -
STGWT40HP65FB STMicroelectronics STGWT40HP65FB 3.2900
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ECAD 366 0.00000000 STMicroelettronica HB Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3P-3, SC-65-3 STGWT40 Standard 283 W TO-3P scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16972 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 40 A, 5 Ohm, 15 V 140 n Sosta sul campo di trincea 650 V 80A 160A 2 V a 15 V, 40 A 363μJ (spento) 210 nC -/142ns
STGP15H60DF STMicroelectronics STGP15H60DF 2.1700
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ECAD 8067 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STGP15 Standard 115 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V 103 ns Sosta sul campo di trincea 600 V 30A 60A 2 V a 15 V, 15 A 136μJ (acceso), 207μJ (spento) 81 nC 24,5 n/118 n
STPS60150CT STMicroelectronics STPS60150CT 2.8400
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ECAD 3 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 STPS60150 Schottky TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 150 V 30A 940 mV a 30 A 15 µA a 150 V 175°C (massimo)
STN4NF20L STMicroelectronics STN4NF20L 0,7500
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ECAD 3 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA STN4NF20 MOSFET (ossido di metallo) SOT-223 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 4.000 CanaleN 200 V 1A(Tc) 5 V, 10 V 1,5 Ohm a 500 mA, 10 V 3 V a 250 µA 0,9 nC a 10 V ±20 V 150 pF a 25 V - 3,3 W(Tc)
STP14NM50N STMicroelectronics STP14NM50N 4.0100
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ECAD 919 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™II Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP14 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-10650-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 500 V 12A (Tc) 10 V 320 mOhm a 6 A, 10 V 4 V a 100 µA 27 nC a 10 V ±25 V 816 pF a 50 V - 90 W (Tc)
STGF8NC60KD STMicroelectronics STGF8NC60KD 1.4800
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ECAD 49 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STGF8 Standard 24 W TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 390 V, 3 A, 10 Ohm, 15 V 23,5 ns - 600 V 7A 30A 2,75 V a 15 V, 3 A 55μJ (acceso), 85μJ (spento) 19 nC 17ns/72ns
STGIB15CH60S-XZ STMicroelectronics STGIB15CH60S-XZ 12.0946
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ECAD 4365 0.00000000 STMicroelettronica SLLIMM - 2° Massa Attivo Foro passante Modulo 26-PowerDIP (1,146", 29,10 mm) IGBT STGIB15 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-STGIB15CH60S-XZ EAR99 8542.39.0001 156 Invertitore trifase 20A 600 V 1600 Vrm
STGF30M65DF2 STMicroelectronics STGF30M65DF2 2.8800
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica M Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STGF30 Standard 38 W TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V 140 n Sosta sul campo di trincea 650 V 60A 120A 2 V a 15 V, 30 A 300μJ (acceso), 960μJ (spento) 80 nC 31,6 n/115 n
TIP36CW STMicroelectronics TIP36CW 2.8300
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ECAD 1905 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SUGGERIMENTO36 125 W TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-4634-5 EAR99 8541.29.0095 30 100 V 25A 1mA PNP 4 V a 5 A, 25 A 10 a 15 A, 4 V 3 MHz
STS2DNF30L STMicroelectronics STS2DNF30L 0,8800
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ECAD 7207 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) STS2DNF30 MOSFET (ossido di metallo) 2 W 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 30 V 3A 110 mOhm a 1 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 4,5 nC a 10 V 121 pF a 25 V Porta a livello logico
STGW45HF60WDI STMicroelectronics STGW45HF60WDI -
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ECAD 1412 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW45 Standard 250 W TO-247 Cavi lunghi scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-10402-5 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30 A, 4,7 Ohm, 15 V 90 ns - 600 V 70A 150A 2,5 V a 15 V, 30 A 330μJ (spento) 160 nC -/145ns
STPS1L40UY STMicroelectronics STPS1L40UY 0,6200
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ECAD 4 0.00000000 STMicroelettronica Q Automotive Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AA, PMI STPS1 Schottky PMI scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 2.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 500 mV a 1 A 35 µA a 40 V -40°C ~ 150°C 1A -
STTH15RQ06G-TR STMicroelectronics STTH15RQ06G-TR 1.6700
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ECAD 1457 0.00000000 STMicroelettronica ECOPACK® Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STTH15 Standard D²PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 2,95 V a 15 A 50 n 20 µA a 600 V 175°C (massimo) 15A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock