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Prodotti a semiconduttore discreti(6390)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Tensione - Stato attivo (Vtm) (max)	Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max)	Corrente - Stato spento (max)	TipoSCR	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STN749	-	Richiesta di offerta	2705	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN749				1,6 W		SOT-223	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000																																25 V	3A							100nA (ICBO)			PNP	600 mV a 300 mA, 3 A	100 a 1 A, 2 V	-
BD139-16	0,5400	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BD139				1,25 W		SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																																80 V	1,5 A							100nA (ICBO)			NPN	500mV a 50mA, 500mA	40 a 150 mA, 2 V	-
STB150NF04	3.6200	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB150N			MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN							40 V	80A (Tc)	10 V	7 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	150 nC a 10 V	±20 V	3650 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
ST2001FX	-	Richiesta di offerta	4404	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	ISOWATT218FX	ST2001				63 W		ISOWATT-218FX	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	300																																600 V	10A							1mA			NPN	1,5 V a 1,25 A, 5 A	5 @ 6A, 5V	-
3STR1630	0,6900	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3STR16				500 mW		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																																30 V	6A							100nA (ICBO)			NPN	300 mV a 500 mA, 5 A	180 a 500 mA, 2 V	100 MHz
STX0560	-	Richiesta di offerta	8707	STMicroelettronica	-	Borsa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	STX0560				1,5 W		TO-92	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500																																600 V	1A							10 µA			NPN	1 V a 100 mA, 500 mA	70 a 5 mA, 5 V	-
STGH30H65DFB-2AG	3.8100	Richiesta di offerta	9818	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGH30H	Standard			260 W		H2Pak-2	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	497-STGH30H65DFB-2AGCT	EAR99	8541.29.0095	1.000					400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V																									28 ns	Sosta sul campo di trincea	650 V	60A	90A	2 V a 15 V, 30 A	555μJ (acceso), 300μJ (spento)	155 nC	24ns/170ns
STL12N65M5	2.8600	Richiesta di offerta	56	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL12			MOSFET (ossido di metallo)			PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN							650 V	8,5 A(Tc)	10 V	530 mOhm a 4,25 A, 10 V	5 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±25 V	644 pF a 100 V	-	48 W(Tc)
2ST501T	1.5900	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	2ST501				100 W		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																																350 V	4A							100μA			NPN-Darlington	1,5 V a 2 mA, 2 A	2000 @ 2A, 2V	-
BULT106D	-	Richiesta di offerta	2750	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BULT106				32 W		SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																																230 V	2A							250μA			NPN	1,2 V a 400 mA, 2 A	10 a 1 A, 5 V	-
STW25NM60N	-	Richiesta di offerta	5408	STMicroelettronica	MDmesh™II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW25N			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN							600 V	21A(Tc)	10 V	160 mOhm a 10,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	84 nC a 10 V	±25 V	2400 pF a 50 V	-	160 W(Tc)
SUGGERIMENTO127	0,7900	Richiesta di offerta	971	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO127				2 W		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																																100 V	5A							500μA			PNP-Darlington	4 V a 20 mA, 5 A	1000 a 3 A, 3 V	-
T630-800W	1.5900	Richiesta di offerta	5	STMicroelettronica	Snubberless™	Tubo	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	ISOWATT220AB-3	T630						ISOWATT220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	50	Separare			50 mA															Alternatore: senza smorzatore	800 V	6A	1,3 V	80A, 84A	30 mA
PD54008L-E	5.4450	Richiesta di offerta	9129	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	25 V			8-PowerVDFN	PD54008		500 MHz	LDMOS			PowerFLAT™ (5x5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			5A			200 mA	8 W	15dB																					-										7,5 V
STL36N55M5	6.7800	Richiesta di offerta	9724	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL36			MOSFET (ossido di metallo)			PowerFlat™ (8x8) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN							550 V	22,5 A(Tc)	10 V	90 mOhm a 16,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	62 nC a 10 V	±25 V	2670 pF a 100 V	-	2,8 W (Ta), 150 W (Tc)
BTA06-400BRG	-	Richiesta di offerta	9555	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BTA06						TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	50	Separare			50 mA															Standard	400 V	6A	1,3 V	60A, 63A	50 mA
STD5N20T4	-	Richiesta di offerta	3452	STMicroelettronica	SOVRAPPOSIZIONE IN RETE™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD5N			MOSFET (ossido di metallo)			DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN							200 V	5A (Tc)	10 V	800 mOhm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±20 V	350 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
STGP19NC60HD	2.8500	Richiesta di offerta	2085	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP19	Standard			130 W		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50					390 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V																									31nn	-	600 V	40A	60A	2,5 V a 15 V, 12 A	85μJ (acceso), 189μJ (spento)	53 nC	25ns/97ns
Z0405MF1AA2	-	Richiesta di offerta	2145	STMicroelettronica	-	Borsa	Obsoleto		-40°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	TO-202 Nessuna scheda	Z0405						TO-202-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	250	Separare			5 mA															Logica - Cancello sensibile	600 V	4A	1,3 V	20A, 21A	5 mA
X0402NF1AA2	-	Richiesta di offerta	1768	STMicroelettronica	-	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 125°C	Foro passante	TO-202 Nessuna scheda	X0402						TO-202-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	250				5 mA																800 V	1,35 A	800 mV	30A, 33A	200 µA	1,8 V	900 mA	5 µA	Cancello sensibile
TN1625-600G-TR	1.1903	Richiesta di offerta	6249	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-40°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	TN1625						D²PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	1.000				40 mA																600 V	16A	1,3 V	190A, 200A	25 mA	1,6 V	10A	5 µA	Norma di recupero
STP3HNK90Z	-	Richiesta di offerta	4589	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP3HN			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN							800 V	3A (Tc)	10 V	4,2 Ohm a 1,5 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	35 nC a 10 V	±30 V	690 pF a 25 V	-	90 W (Tc)
STL3NK40	2.8000	Richiesta di offerta	6373	STMicroelettronica	SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL3NK40			MOSFET (ossido di metallo)			PowerFLAT™ (5x5)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN							400 V	430mA(Tc)	10 V	5,5 Ohm a 220 mA, 10 V	2 V a 50 µA	13 nC a 10 V	±20 V	200 pF a 25 V	-	2,5 W(Tc)
STAC1214-350	208.7250	Richiesta di offerta	9371	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	115 V		Montaggio superficiale	STAC780-4F	STAC1214		1,2GHz~1,4GHz	LDMOS (doppio), sorgente comune			STAC780-4F	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STAC1214-350			80	2 canali N		1μA			30 mA	350 W	14dB																					-										50 V
BU931T	-	Richiesta di offerta	9467	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto		175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BU931				125 W		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																																400 V	10A							100μA			NPN-Darlington	1,8 V a 250 mA, 10 A	300 a 5 A, 10 V	-
E-ULQ2003A	-	Richiesta di offerta	2880	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)		-	ULQ2003				-			scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25																																50 V	500mA							-			7 PNP Darlington	1,6 V a 500 µA, 350 mA	1000 a 350 mA, 2 V	-
A2C35S12M3-F	72.8500	Richiesta di offerta	6808	STMicroelettronica	-	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	A2C35				250 W	Raddrizzatore a ponte trifase	ACEPACK™2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	14	Invertitore Trifase con Freno																														Sosta sul campo di trincea	1200 V	35A		2,45 V a 15 V, 35 A					100 µA	SÌ	2.154 nF a 25 V
BTA06-600SWRG	1.6000	Richiesta di offerta	15	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BTA06						TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	50	Separare			15 mA															Logica - Cancello sensibile	600 V	6A	1,3 V	60A, 63A	10 mA
STL56N3LLH5	1.2100	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	STRipFET™ V	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL56			MOSFET (ossido di metallo)			PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN							30 V	56A(Tc)	4,5 V, 10 V	9 mOhm a 7,5 A, 10 V	1 V a 250 µA	6,5 nC a 4,5 V	+22V, -20V	950 pF a 25 V	-	62,5 W(Tc)
STP7N90K5	2.8300	Richiesta di offerta	8260	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP7			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-17078	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN							900 V	7A(Tc)	10 V	810 mOhm a 4 A, 10 V	5 V a 100 µA	17,7 nC a 10 V	±30 V	425 pF a 10 V	-	110 W (Tc)