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Prodotti a semiconduttore discreti(6390)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tipo	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Attuale	Voltaggio	Tensione - Isolamento	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (Max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STB8NM60T4	3.3900	Richiesta di offerta	6183	STMicroelettronica	MDmesh™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STB8NM60		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN									650 V	8A (Tc)	10 V	1 Ohm a 2,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±30 V	400 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
STGIPL20K60	-	Richiesta di offerta	4843	STMicroelettronica	SLLIMM™	Tubo	Obsoleto				Foro passante	Modulo 38-PowerDIP (1,146", 29,10 mm)	IGBT	STGIPL20					scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.39.0001	10	3 fasi								20A	600 V	2500 V CC
BAR28	-	Richiesta di offerta	2861	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				Foro passante	DO-204AH, DO-35, assiale		BAR28		Schottky		DO-35	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	4.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																												70 V		1 V a 15 mA		200 nA a 50 V	-65°C ~ 200°C	15 mA	2pF @ 0V, 1MHz
STS8DN3LLH5	1.5700	Richiesta di offerta	5995	STMicroelettronica	STRipFET™ V	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		STS8DN3		MOSFET (ossido di metallo)	2,7 W	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)											30 V	10A		19 mOhm a 5 A, 10 V	1 V a 250 µA	5,4 nC a 4,5 V		724 pF a 25 V	Porta a livello logico
STF13N80K5	3.9800	Richiesta di offerta	664	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		STF13		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-13753-5	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN									800 V	12A (Tc)	10 V	450 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 100 µA	29 nC a 10 V	±30 V	870 pF a 100 V	-	35 W (Tc)
ACQUISTA69A	-	Richiesta di offerta	4732	STMicroelettronica	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)		Montaggio su telaio	TO-204AA, TO-3		ACQUISTA69			100 W	TO-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100																																						400 V	10A		1mA	NPN	3,3 V a 2,5 A, 8 A	15 a 2,5 A, 10 V	10 MHz
STB30NM50N	-	Richiesta di offerta	9786	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STB30N		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN									500 V	27A(Tc)	10 V	115 mOhm a 13,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	94 nC a 10 V	±25 V	2740 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
PD85035C	-	Richiesta di offerta	3106	STMicroelettronica	-	Scatola	Obsoleto	40 V				M243		PD85035	945 MHz	LDMOS		M243	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25				8A		350 mA	15 W	17,5dB																				-												13,6 V
STF33N60M6	4.9500	Richiesta di offerta	1243	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		STF33		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-18247	EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN									600 V	25A (Tc)	10 V	125 mOhm a 12,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	33,4 nC a 10 V	±25 V	1515 pF a 100 V	-	35 W (Tc)
BU808DFI	-	Richiesta di offerta	9302	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)		Foro passante	ISOWATT-218-3		BU808			52 W	ISOWATT-218	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	300																																						700 V	8A		400μA	NPN-Darlington	1,6 V a 500 mA, 5 A	60 a 5 A, 5 V	-
STB30NM60ND	-	Richiesta di offerta	3406	STMicroelettronica	FDmesh™II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STB30N		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN									600 V	25A (Tc)	10 V	130 mOhm a 12,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±25 V	2800 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
STAC1011-500	208.7250	Richiesta di offerta	8570	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	110 V			Montaggio superficiale	STAC780-4F		STAC1011	700 MHz ~ 1,2 GHz	LDMOS		STAC780-4F	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STAC1011-500			80	CanaleN			1μA		200 mA	500 W	16dB																				-												50 V
STPS30L45CT	1.4000	Richiesta di offerta	3006	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo				Foro passante	TO-220-3		STPS30		Schottky		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																											1 paio di catodo comune	45 V	15A	550 mV a 15 A		400 µA a 45 V	150°C (massimo)
STP10P6F6	1.2600	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VI	Tubo	Obsoleto		175°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3		STP10		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			Canale P									60 V	10A (Tc)	10 V	160 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	6,4 nC a 10 V	±20 V	340 pF a 48 V	-	30 W (Tc)
HD1530JL	-	Richiesta di offerta	5275	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)		Foro passante	TO-264-3, TO-264AA		HD1530			200 W	TO-264	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25																																						700 V	26A		200μA	NPN	2,5 V a 3,25 A, 13 A	5 a 13 A, 5 V	-
PD57006STR-E	-	Richiesta di offerta	2318	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	65 V				Pannello inferiore esposto PowerSO-10RF (2 conduttori diritti)		PD57006	945 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (cavo dritto)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600				1A		70 mA	6 W	15dB																				-												28 V
STD15N65M5	5.0500	Richiesta di offerta	5074	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		STD15		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN									650 V	11A(Tc)	10 V	340 mOhm a 5,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±25 V	816 pF a 100 V	-	85 W (Tc)
STWA65N65DM2AG	11.2600	Richiesta di offerta	9147	STMicroelettronica	MDmesh™DM2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3		STWA65		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600			CanaleN									650 V	60A (Tc)	10 V	50 mOhm a 30 A, 10 V	5 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±25 V	5500 pF a 100 V	-	446 W(Tc)
STPS2L40ZFY	0,4800	Richiesta di offerta	5	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	SOD-123F		STPS2L40		Schottky		SOD-123F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																												40 V		630 mV a 2 A		35 µA a 40 V	-40°C ~ 175°C	2A	-
STPR1020CT	-	Richiesta di offerta	6456	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto				Foro passante	TO-220-3		STPR1020		Standard		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																											1 paio di catodo comune	200 V	5A	990 mV a 5 A	30 ns	50 µA a 200 V	-65°C ~ 150°C
STPS3030CG	-	Richiesta di offerta	6692	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto				Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STPS3030		Schottky		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																											1 paio di catodo comune	30 V	15A	490 mV a 15 A		1 mA a 30 V	150°C (massimo)
2STX1360-AP	-	Richiesta di offerta	7540	STMicroelettronica	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)		Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead		2STX			1 W	TO-92AP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.500																																						60 V	3A		100nA (ICBO)	NPN	500 mV a 150 mA, 3 A	160 @ 1A, 2V	130 MHz
BYT08P-1000	-	Richiesta di offerta	2963	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto				Foro passante	TO-220-2		BYT08		Standard		TO-220AC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																												1000 V		1,9 V a 8 A	155 n	35 µA a 1000 V	-40°C ~ 150°C	8A	-
STP50NF25	2.8900	Richiesta di offerta	396	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3		STP50		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN									250 V	45A (Tc)	10 V	69 mOhm a 22 A, 10 V	4 V a 250 µA	68,2 nC a 10 V	±20 V	2670 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
STU5NK50Z	-	Richiesta di offerta	1114	STMicroelettronica	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto							STU5N					-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		3.000
STC20DE90HP	-	Richiesta di offerta	2444	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	900 V		Scopo generale	Foro passante	TO-247-4		STC20D				TO-247-4L HP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8772-5	EAR99	8541.29.0095	30				20A																																						NPN - Bipolare commutato dall'emettitore
STW120NF10	6.1000	Richiesta di offerta	2680	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Acquisto per l'ultima volta		-55°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3		STW120		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5166-5	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN									100 V	110A (Tc)	10 V	10,5 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	233 nC a 10 V	±20 V	5200 pF a 25 V	-	312 W(Tc)
STPS5S100SFY	0,7400	Richiesta di offerta	4	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2	Nastro e bobina (TR)	Attivo				Montaggio superficiale	TO-277, 3-PowerDFN				Schottky		TO-277A (SMPC)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-STPS5S100SFYTR	EAR99	8541.10.0080	6.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																												100 V		820 mV a 5 A		2,5 µA a 100 V	-40°C ~ 175°C	5A	-
IRFP460	-	Richiesta di offerta	1922	STMicroelettronica	PowerMESH™II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3		IRFP		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-2734-5	EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN									500 V	18,4A(Tc)	10 V	270 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	128 nC a 10 V	±30 V	2980 pF a 25 V	-	220 W (Tc)
Z0107MUF	0,9400	Richiesta di offerta	238	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-40°C ~ 125°C (TJ)		Montaggio superficiale	3-SMB, cavo piatto		Z0107				SMBpiatto-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	5.000	Separare				10 mA																	Logica - Cancello sensibile	600 V	1A	1,3 V	8A, 8,5A	5 mA