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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Tipo Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Corrente nominale (Amp) Corrente - Mantenimento (Ih) (Max) Condizione di prova Corrente - Prova Potenza-Uscita Guadagno Attuale Voltaggio Tensione - Isolamento Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tipo triac Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max) Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm) Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max) Tensione - Stato attivo (Vtm) (max) Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max) Corrente - Stato spento (max) Tipo SCR Figura di rumore Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (Max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Tensione - Prova Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
BYW29-200 STMicroelectronics BYW29-200 -
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ECAD 6126 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto Foro passante TO-220-2 BYW29 Standard TO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 1,15 V a 10 A 35 ns 10 µA a 200 V 150°C (massimo) 8A -
STTH12012TV1 STMicroelectronics STTH12012TV1 27.8400
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ECAD 592 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo Montaggio su telaio ISOTOP STTH12012 Standard ISOTOP® scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 2 Indipendente 1200 V 60A 2,25 V a 60 A 125 n 30 µA a 1200 V 150°C (massimo)
STGIF10CH60S-LZ STMicroelectronics STGIF10CH60S-LZ 10.9276
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ECAD 9331 0.00000000 STMicroelettronica SLLIMM - 2° Massa Attivo Foro passante Modulo 26-PowerDIP IGBT STGIF10 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-STGIF10CH60S-LZ EAR99 8542.39.0001 156 Invertitore trifase 15A 600 V 1600 Vrm
STP16NM50N STMicroelectronics STP16NM50N -
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ECAD 9710 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP16N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 500 V 15A (Tc) 10 V 260 mOhm a 7,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 38 nC a 10 V ±25 V 1200 pF a 50 V - 125 W (Tc)
STPS2L40UF STMicroelectronics STPS2L40UF 0,9200
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ECAD 8 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-221AA, cavi piatti per PMI STPS2L40 Schottky PMIpiatto scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 5.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 430 mV a 2 A 220 µA a 40 V 150°C (massimo) 2A -
BAS70ZFILM STMicroelectronics BAS70ZFILM -
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ECAD 8996 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SOD-123 BAS70 Schottky SOD-123 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0070 3.000 Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità 70 V 1 V a 15 mA 10 µA a 70 V 150°C (massimo) 70 mA 2pF @ 0V, 1MHz
STF8NK85Z STMicroelectronics STF8NK85Z -
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ECAD 1243 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF8N MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 850 V 6,7 A(Tc) 10 V 1,4 Ohm a 3,35 A, 10 V 4,5 V a 100 µA 60 nC a 10 V ±30 V 1870 pF a 25 V - 35 W (Tc)
X0202NA 1BA2 STMicroelectronics X0202NA1BA2 0,8900
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ECAD 287 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Attivo -40°C ~ 125°C Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) X0202 TO-92-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.30.0080 2.500 5 mA 800 V 1,25 A 800 mV 22,5 A, 25 A 200 µA 1,45 V 800 mA 5 µA Cancello sensibile
STB100NF03L-03T4 STMicroelectronics STB100NF03L-03T4 3.7600
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ECAD 3 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ III Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB100N MOSFET (ossido di metallo) D2PAK - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 30 V 100A (Tc) 4,5 V, 10 V 3,2 mOhm a 50 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 88 nC a 5 V ±16V 6200 pF a 25 V - 300 W(Tc)
2STR1160 STMicroelectronics 2STR1160 -
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ECAD 9673 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2STR 500 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 60 V 1A 100nA (ICBO) NPN 430 mV a 100 mA, 1 A 180 a 500 mA, 2 V -
2STX1360 STMicroelectronics 2STX1360 -
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ECAD 7376 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2STX 1 W TO-92-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-5213 EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 3A 100nA (ICBO) NPN 500 mV a 150 mA, 3 A 160 @ 1A, 2V 130 MHz
STPSC1206D STMicroelectronics STPSC1206D -
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ECAD 4349 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo Foro passante TO-220-2 STPSC1206 SiC (carburo di silicio) Schottky TO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-10308-5 EAR99 8541.10.0080 50 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 600 V 1,7 V a 12 A 0 ns 150 µA a 600 V -40°C ~ 175°C 12A 750pF a 0 V, 1 MHz
STW19NM60N STMicroelectronics STW19NM60N 1.9598
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ECAD 6056 0.00000000 STMicroelettronica Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW19 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato -497-13792-5 EAR99 8541.29.0095 434 CanaleN 600 V 13A(Tc) 10 V 285 mOhm a 6,5 ​​A, 10 V 4 V a 250 µA 35 nC a 10 V ±25 V 1000 pF a 50 V - 110 W (Tc)
STTH2004SG-TR STMicroelectronics STTH2004SG-TR 0,7707
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ECAD 5178 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo STTH2004 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-STTH2004SG-TR EAR99 8541.10.0080 1.000
STF18N55M5 STMicroelectronics STF18N55M5 3.2100
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ECAD 142 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ V Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF18 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 550 V 16A (Tc) 10 V 192 mOhm a 8 A, 10 V 5 V a 250 µA 31 nC a 10 V ±25 V 1260 pF a 100 V - 25 W (Tc)
STD2NK60Z-1 STMicroelectronics STD2NK60Z-1 1.0400
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ECAD 3 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STD2N MOSFET (ossido di metallo) I-PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 600 V 1,4 A(Tc) 10 V 8 Ohm a 700 mA, 10 V 4,5 V a 50 µA 10 nC a 10 V ±30 V 170 pF a 25 V - 45 W (Tc)
STW43NM60N STMicroelectronics STW43NM60N -
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ECAD 9252 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW43N MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 35A (Tc) 10 V 88 mOhm a 17,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 130 nC a 10 V ±30 V 4200 pF a 50 V - 255 W(Tc)
STGD5NB120SZ-1 STMicroelectronics STGD5NB120SZ-1 -
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ECAD 4140 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STGD5 Standard 75 W TO-251 (IPAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 75 960 V, 5 A, 1 kOhm, 15 V - 1200 V 10A 10A 2 V a 15 V, 5 A 2,59 mJ (acceso), 9 mJ (spento) 690ns/12,1μs
STW13N60M2 STMicroelectronics STW13N60M2 -
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ECAD 1427 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Plus Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW13N MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 11A(Tc) 10 V 380 mOhm a 5,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 17 nC a 10 V ±25 V 580 pF a 100 V - 110 W (Tc)
TN5015H-6T STMicroelectronics TN5015H-6T 2.1100
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ECAD 604 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 TN5015 Isolamento TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-17607 EAR99 8541.30.0080 50 60 mA 600 V 50A 1,3 V 493A, 450A 15 mA 1,65 V 30A 10 µA Norma di recupero
STGW35NC120HD STMicroelectronics STGW35NC120HD -
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ECAD 7005 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW35 Standard 235 W TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 960 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V 152 nn - 1200 V 60A 135A 2,75 V a 15 V, 20 A 1,66 mJ (acceso), 4,44 mJ (spento) 110 nC 29ns/275ns
TS110-7A1-AP STMicroelectronics TS110-7A1-AP 0,8000
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ECAD 1223 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro tagliato (CT) Attivo -40°C ~ 125°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead TS110 TO-92-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.30.0080 4.000 2 mA 700 V 1,25 A 800 mV 25A, 27A 100 µA 1,4 V 800 mA 1μA Norma di recupero
STD8N80K5 STMicroelectronics STD8N80K5 2.6200
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ECAD 1928 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH5™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD8N80 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 800 V 6A (Tc) 10 V 950 mOhm a 3 A, 10 V 5 V a 100 µA 16,5 nC a 10 V ±30 V 450 pF a 100 V - 110 W (Tc)
STI18N65M2 STMicroelectronics STI18N65M2 2.7700
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ECAD 829 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ M2 Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA STI18 MOSFET (ossido di metallo) I2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 12A (Tc) 10 V 330 mOhm a 6 A, 10 V 4 V a 250 µA 20 nC a 10 V ±25 V 770 pF a 100 V - 110 W (Tc)
BTA12-700SWRG STMicroelectronics BTA12-700SWRG 2.1300
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ECAD 651 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -40°C ~ 110°C (TJ) Foro passante TO-220-3 BTA12 TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.30.0080 50 Separare 15 mA Logica - Cancello sensibile 700 V 12A 1,3 V 120A, 126A 10 mA
RF5L051K5CB4 STMicroelectronics RF5L051K5CB4 187.5000
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ECAD 8349 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Attivo 110 V Montaggio su telaio D4E RF5L051K5 500 MHz LDMOS D4E - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-RF5L051K5CB4 100 - 1μA 200 mA 1500 W 22dB - 50 V
STPST2H100ZFY STMicroelectronics STPST2H100ZFY 0,3800
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ECAD 3 0.00000000 STMicroelettronica Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123F STPST2 Schottky SOD-123F - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 805 mV a 2 A 2,7 µA a 100 V -40°C ~ 175°C 2A -
PD57018S STMicroelectronics PD57018S -
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ECAD 4601 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 65 V Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10 PD57018 945 MHz LDMOS 10-PowerSO scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 2,5 A 100 mA 18 W 16,5dB - 28 V
STP120NH03L STMicroelectronics STP120NH03L -
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ECAD 2346 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP120 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 30 V 60A (Tc) 5 V, 10 V 5,5 mOhm a 30 A, 10 V 3 V a 250 µA 77 nC a 10 V ±20 V 4100 pF a 25 V - 110 W (Tc)
STD16N60M2 STMicroelectronics STD16N60M2 2.0000
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ECAD 9521 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ M2 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD16 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 600 V 12A (Tc) 10 V 320 mOhm a 6 A, 10 V 4 V a 250 µA 19 nC a 10 V ±25 V 700 pF a 100 V - 110 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock