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Prodotti a semiconduttore discreti(6390)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tipo	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Attuale	Voltaggio	Tensione - Isolamento	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo Triac	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STD9NM50N-1	-	Richiesta di offerta	1448	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA		STD9			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN										500 V	5A (Tc)	10 V	560 mOhm a 3,7 A, 10 V	4 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±25 V	570 pF a 50 V	-	70 W (Tc)
STPS30H100CT	1.5100	Richiesta di offerta	3792	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3		STPS30			Schottky		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																												1 paio di catodo comune	100 V	15A	800 mV a 15 A		5 µA a 100 V	-40°C ~ 175°C
STP50N65DM6	-	Richiesta di offerta	2838	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		STP50			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN										650 V	33A(Tc)	10 V	91 mOhm a 16,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	52,5 nC a 10 V	±25 V	2300 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
LET9180	-	Richiesta di offerta	6858	STMicroelettronica	-	Vassoio	Obsoleto	80 V			M246		LET9180		860 MHz	LDMOS		M246	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	20				24A			500 mA	175 W	20dB																				-																		32 V
T835-8G	0,4958	Richiesta di offerta	3984	STMicroelettronica	Snubberless™	Tubo	Attivo		-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		T835					D²PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	2.000	Separare				35 mA																		Alternatore: senza smorzatore	800 V	8A	1,2 V	80A, 84A	35 mA
FERD30SM100ST	0,6363	Richiesta di offerta	9040	STMicroelettronica	ECOPACK®2	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3		FERD30			FERD (Diodo raddrizzatore ad effetto di campo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	2.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																													100 V		970 mV a 30 A		150 µA a 100 V	175°C (massimo)	30A	-
STPS40L45CT	2.3100	Richiesta di offerta	4	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-3		STPS40			Schottky		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																												1 paio di catodo comune	45 V	20A	530 mV a 20 A		600 µA a 45 V	150°C (massimo)
ESM3030DV	-	Richiesta di offerta	3949	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC		ESM3030				225 W	ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10																																								300 V	100A							-	NPN-Darlington	1,5 V a 2,4 A, 85 A	300 a 85 A, 5 V	-
STU70R1K3S	0,2771	Richiesta di offerta	2760	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA		STU70			MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STU70R1K3S	EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN										700 V	5A (Tc)	10 V	1,4 Ohm a 1,75 A, 10 V	3,75 V a 250 µA	4,1 nC a 4,5 V	±25 V	175 pF a 100 V	-	77 W(Tc)
PD55025STR-E	-	Richiesta di offerta	2650	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10		PD55025		500 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (cavo dritto)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600				7A			200 mA	25 W	14,5dB																				-																		12,5 V
STGYA120M65DF2	15.4700	Richiesta di offerta	600	STMicroelettronica	M	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3 Tampone esposto		STGYA120	Standard			625 W	MAX247™	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16976	EAR99	8541.29.0095	30						400 V, 120 A, 4,7 Ohm, 15 V																												202 nn					TNP, Fermata ai campi di trincea	650 V	160A	360A	1,95 V a 15 V, 120 A	1,8 mJ (acceso), 4,41 mJ (spento)	420 nC	66ns/185ns
STFI13N95K3	5.7000	Richiesta di offerta	290	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Confezione completa, I²Pak		STFI13N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAKFP (TO-281)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN										950 V	10A (Tc)	10 V	850 mOhm a 5 A, 10 V	5 V a 100 µA	51 nC a 10 V	±30 V	1620 pF a 100 V	-	40 W (Tc)
STD901T	1.8900	Richiesta di offerta	409	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		STD901				35 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500																																								350 V	4A							100μA	NPN-Darlington	2 V a 20 mA, 2 A	1800 a 2 A, 2 V	-
STL26N30M8	-	Richiesta di offerta	8781	STMicroelettronica	MDmesh™M8	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN		STL26			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	-		3 (168 ore)	REACH Inalterato	497-STL26N30M8TR	EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN										300 V	23A (Tc)	10 V	89 mOhm a 11,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	30,8 nC a 10 V	±25 V	1430 pF a 100 V	-	114 W(Tc)
STU5N52K3	-	Richiesta di offerta	7772	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA		STU5N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75			CanaleN										525 V	4,4 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 2,2 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	17 nC a 10 V	±30 V	545 pF a 100 V	-	70 W (Tc)
BUL805	-	Richiesta di offerta	5577	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		BUL805				80 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																																								450 V	5A							250μA	NPN	800 mV a 600 mA, 3 A	10 a 2 A, 5 V	-
STWA72N60DM6AG	10.3978	Richiesta di offerta	3154	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		STWA72			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STWA72N60DM6AG	EAR99	8541.29.0095	600			CanaleN										600 V	56A(Tc)	10 V	42 mOhm a 28 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	98 nC a 10 V	±25 V	4444 pF a 100 V	-	390 W(Tc)
STP100N6F7	1.8700	Richiesta di offerta	1988	STMicroelettronica	STRipFET™ F7	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		STP100			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-15888-5	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN										60 V	100A (Tc)	10 V	5,6 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±20 V	1980 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
STH185N10F3-2	-	Richiesta di offerta	8093	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STH185			MOSFET (ossido di metallo)		H2Pak-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN										100 V	180A(Tc)	10 V	4,5 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	114,6 nC a 10 V	±20 V	6665 pF a 25 V	-	315 W(Tc)
STPSC20H065CWLY	5.3449	Richiesta di offerta	9243	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo			Foro passante	TO-247-3		STPSC20			SiC (carburo di silicio) Schottky		TO-247-3	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STPSC20H065CWLY	EAR99	8541.10.0080	600		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)																												1 paio di catodo comune	650 V	10A	1,65 V a 10 A	0 ns	100 µA a 650 V	-40°C ~ 175°C
STD9NM60N	2.4700	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	MDmesh™II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		STD9			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN										600 V	6,5 A(Tc)	10 V	745 mOhm a 3,25 A, 10 V	4 V a 250 µA	17,4 nC a 10 V	±25 V	452 pF a 50 V	-	70 W (Tc)
BTB06-600CRG	1.5400	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		BTB06					TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	50	Separare				25 mA																		Standard	600 V	6A	1,3 V	60A, 63A	25 mA
STPS16045TV	24.7400	Richiesta di offerta	7395	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo			Montaggio su telaio	ISOTOP		STPS16045			Schottky		ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	10		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																												2 Indipendente	45 V	80A	690 mV a 80 A		1 mA a 45 V	150°C (massimo)
STGB20NB32LZ	-	Richiesta di offerta	3659	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STGB20	Standard			150 W	D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000						250 V, 20 A, 1 kOhm, 4,5 V																																	-	375 V	40A	80A	2 V a 4,5 V, 20 A	11,8 mJ (spento)	51 nC	2,3 µs/11,5 µs
STTA1512PIRG	-	Richiesta di offerta	5654	STMicroelettronica	TURBOSWITCH™	Massa	Obsoleto			Foro passante	DOP3I-2 isolati (diritti conduttori)		STTA151			Standard		DOP3I	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	300		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																													1200 V		2,1 V a 15 A	105 n	100 µA a 1200 V	150°C (massimo)	15A	-
STIB1560DM2T-LZ	14.6345	Richiesta di offerta	4464	STMicroelettronica	SLLIMM - 2°	Massa	Attivo			Foro passante	Modulo 26-PowerDIP (1,146", 29,10 mm)	MOSFET	STIB1560						-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STIB1560DM2T-LZ	EAR99	8542.39.0001	156	Invertitore trifase									17A	600 V	1500 Vrm
STTH15RQ06G2-TR	1.5500	Richiesta di offerta	1440	STMicroelettronica	ECOPACK®2	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		STTH15			Standard		D2PAK alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1.000		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																													600 V		2,95 V a 15 A	50 n	20 µA a 600 V	175°C (massimo)	15A	-
STF12N60M2	1.7600	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		STF12			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16012-5	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN										600 V	9A (Tc)	10 V	450 mOhm a 4,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	16 nC a 10 V	±25 V	538 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
Z0110SN5AA4	0,2874	Richiesta di offerta	7667	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-40°C ~ 125°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA		Z0110					SOT-223	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	3.000	Separare				25 mA																		Logica - Cancello sensibile	800 V	1A	1,3 V	8A, 8,5A	25 mA
STU13NM60N	1.2711	Richiesta di offerta	7684	STMicroelettronica	MDmesh™II	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA		STU13			MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75			CanaleN										600 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±25 V	790 pF a 50 V	-	90 W (Tc)