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Prodotti a semiconduttore discreti(16626)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
IPD60R145CFD7ATMA1	3.8500	Richiesta di offerta	9	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CFD7	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-4, DPak (3 conduttori + lingua)	IPD60R		MOSFET (ossido di metallo)			DPAK (TO-252)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN			600 V	16A (Tc)	10 V	145 mOhm a 6,8 A, 10 V	4,5 V a 340 µA	31 nC a 10 V	±20 V	1330 pF a 400 V	-	83 W (Tc)
FF150R12KS4HOSA1	159.2800	Richiesta di offerta	2586	Tecnologie Infineon	C	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	FF150R12K			1250 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	2 Indipendente																								-	1200 V	225A		3,7 V a 15 V, 150 A			5 mA	NO	11 nF a 25 V
SIGC18T60NCX1SA1	-	Richiesta di offerta	4199	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	SIGC18	Standard				Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		1				300 V, 20 A, 13 Ohm, 15 V																					TNP	600 V	20A	60A	2,5 V a 15 V, 20 A	-	21ns/110ns
IRF6638TRPBF	-	Richiesta di offerta	4606	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MX isometrico DirectFET™			MOSFET (ossido di metallo)			DIRECTFET™MX	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.800			CanaleN			30 V	25A (Ta), 140A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,9 mOhm a 25 A, 10 V	2,35 V a 100 µA	45 nC a 4,5 V	±20 V	3770 pF a 15 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
IPB65R150CFDATMA1	2.4796	Richiesta di offerta	6108	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB65R150		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN			650 V	22,4 A(Tc)	10 V	150 mOhm a 9,3 A, 10 V	4,5 V a 900 µA	86 nC a 10 V	±20 V	2340 pF a 100 V	-	195,3 W(Tc)
BSD235N L6327	-	Richiesta di offerta	3190	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BSD235		MOSFET (ossido di metallo)	500 mW		PG-SOT363-PO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)					20 V	950 mA		350 mOhm a 950 mA, 4,5 V	1,2 V a 1,6 µA	0,32 nC a 4,5 V		63 pF a 10 V	Porta a livello logico
BSO615NGHUMA1	-	Richiesta di offerta	6961	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	BSO615		MOSFET (ossido di metallo)	2 W		PG-DSO-8	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)					60 V	2,6 A		150 mOhm a 2,6 A, 4,5 V	2 V a 20 µA	20nC a 10V		380 pF a 25 V	Porta a livello logico
IPP65R310CFDXKSA2	2.7800	Richiesta di offerta	4861	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CFD2	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP65R310		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500			CanaleN			650 V	11,4 A(Tc)	10 V	310 mOhm a 4,4 A, 10 V	4,5 V a 400 µA	41 nC a 10 V	±20 V	1100 pF a 100 V	-	104,2 W(Tc)
BCR198F E6327	-	Richiesta di offerta	1306	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	SOT-723	BCR 198			250 mW		PG-TSFP-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																										50 V	100 mA					100nA (ICBO)			PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	70 a 5 mA, 5 V	190 MHz	47 kOhm	47 kOhm
DD600S16K4NOSA1	669.0400	Richiesta di offerta	14	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo		Montaggio su telaio	Modulo			Standard			-	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)														2 Indipendente	600 V	600 A (CC)	2,8 V a 600 A		4 mA a 1600 V	150°C
IRF7342QTRPBF	-	Richiesta di offerta	1025	Tecnologie Infineon	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF734		MOSFET (ossido di metallo)	2 W		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 canali P (doppio)					55 V	3,4A		105 mOhm a 3,4 A, 10 V	1 V a 250 µA	38nC a 10V		690 pF a 25 V	Porta a livello logico
SCHEDA29524NOSA1	-	Richiesta di offerta	1286	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto										-			REACH Inalterato		EAR99	8542.39.0001	1
BSZ123N08NS3GATMA1	1.5800	Richiesta di offerta	7984	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	BSZ123		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TSDSON-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000			CanaleN			80 V	10A (Ta), 40A (Tc)	6 V, 10 V	12,3 mOhm a 20 A, 10 V	3,5 V a 33 µA	25 nC a 10 V	±20 V	1700 pF a 40 V	-	2,1 W (Ta), 66 W (Tc)
IDH04S60CAKSA1	-	Richiesta di offerta	2443	Tecnologie Infineon	CoolSiC™+	Tubo	Interrotto alla SIC		Foro passante	TO-220-2	IDH04		SiC (carburo di silicio) Schottky			PG-TO220-2-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	500		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)															600 V		1,9 V a 4 A	0 ns	50 µA a 600 V	-55°C ~ 175°C	4A	130 pF a 1 V, 1 MHz
IRF9395MTRPBF	-	Richiesta di offerta	4892	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	MC isometrico DirectFET™	IRF9395		MOSFET (ossido di metallo)	2,1 W		DIRECTFET™MC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001566526	EAR99	8541.29.0095	4.800	2 canali P (doppio)					30 V	14A		7 mOhm a 14 A, 10 V	2,4 V a 50 µA	64nC a 10 V		3241pF a 15V	Porta a livello logico
IPU80R750P7AKMA1	0,8162	Richiesta di offerta	6586	Tecnologie Infineon	CoolMOS™P7	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPU80R750		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001644620	EAR99	8541.29.0095	1.500			CanaleN			800 V	7A(Tc)	10 V	750 mOhm a 2,7 A, 10 V	3,5 V a 140 µA	17 nC a 10 V	±20 V	460 pF a 500 V	-	51 W (Tc)
IRFU4510PBF	1.9100	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IRFU4510		MOSFET (ossido di metallo)			IPAK (TO-251AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75			CanaleN			100 V	56A(Tc)	10 V	13,9 mOhm a 38 A, 10 V	4 V a 100 µA	81 nC a 10 V	±20 V	3031 pF a 50 V	-	143 W(Tc)
IRLR3103TRR	-	Richiesta di offerta	3181	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN			30 V	55A (Tc)	4,5 V, 10 V	19 mOhm a 33 A, 10 V	1 V a 250 µA	50 nC a 4,5 V	±16V	1600 pF a 25 V	-	107 W(Tc)
IPB180N03S4LH0ATMA1	-	Richiesta di offerta	3335	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)	IPB180		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-7-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN			30 V	180A(Tc)	4,5 V, 10 V	0,95 mOhm a 100 A, 10 V	2,2 V a 200 µA	300 nC a 10 V	±16V	23.000 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
BFR93AW E6327	-	Richiesta di offerta	6171	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BFR 93			300 mW		PG-SOT323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000					10,5dB~15,5dB																					12V	90 mA								NPN		70 a 30 mA, 8 V	6GHz			1,5 dB ~ 2,6 dB a 900 MHz ~ 1,8 GHz
DDB6U180N16RR	-	Richiesta di offerta	2421	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Modulo				515 W	Standard	Modulo	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Chopper a doppio freno																								Sosta sul campo di trincea	1200 V	140A		2,2 V a 15 V, 100 A			1 mA	NO	6,3 nF a 25 V
SPP100N03S2-03	-	Richiesta di offerta	1865	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SPP100N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500			CanaleN			30 V	100A (Tc)	10 V	3,3 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 250 µA	150 nC a 10 V	±20 V	7020 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
FS150R07N3E4_B11	182.3800	Richiesta di offerta	68	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo				430 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2	Invertitore trifase																								Sosta sul campo di trincea	650 V	150A		1,95 V a 15 V, 150 A			1 mA	SÌ	9,3 nF a 25 V
IRF3704ZCLPBF	-	Richiesta di offerta	7489	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)			TO-262	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			20 V	67A(Tc)	4,5 V, 10 V	7,9 mOhm a 21 A, 10 V	2,55 V a 250 µA	13 nC a 4,5 V	±20 V	1220 pF a 10 V	-	57 W(Tc)
IPI032N06N3GE8214AKSA1	-	Richiesta di offerta	6516	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IPI032N		MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO262-3-1	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500			CanaleN			60 V	120A (Tc)	10 V	3,2 mOhm a 100 A, 10 V	4 V a 118 µA	165 nC a 10 V	±20 V	13.000 pF a 30 V	-	188 W(Tc)
BCR133E6433HTMA1	0,0495	Richiesta di offerta	9471	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR133			200 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	10.000																										50 V	100 mA					100nA (ICBO)			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	130 MHz	10 kOhm	10 kOhm
IRFH7107TR2PBF	-	Richiesta di offerta	9544	Tecnologie Infineon	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)			8-PQFN (5x6)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	400			CanaleN			75 V	14A (Ta), 75A (Tc)		8,5 mOhm a 45 A, 10 V	4 V a 100 µA	72 nC a 10 V		3110 pF a 25 V	-
IRF5305PBF	1.7200	Richiesta di offerta	44	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRF5305		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			Canale P			55 V	31A(Tc)	10 V	60 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 250 µA	63 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IRFR1205TRR	-	Richiesta di offerta	8149	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRFR1205		MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN			55 V	44A(Tc)	10 V	27 mOhm a 26 A, 10 V	4 V a 250 µA	65 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	107 W(Tc)
SMBT3906E6767	-	Richiesta di offerta	5600	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMBT3906			330 mW		PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																										40 V	200 mA					50nA (ICBO)			PNP	400 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 10 mA, 1 V	250 MHz