Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Prodotti a semiconduttore discreti(16626)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Struttura	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max)	Figura di rumore	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Numero di SCR, diodi	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
D1251S45TXPSA1	2.0000	Richiesta di offerta	8488	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo			Montaggio su telaio	DO-200AC, K-PUK	D1251S45			Standard				-	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	6		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																										4500 V		2,5 V a 2500 A		80 mA a 4500 V	-40°C ~ 140°C	1530A	-
FF450R12ME4BOSA1	270.2000	Richiesta di offerta	6426	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FF450R12				2250 W		Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Mezzo ponte																																				Sosta sul campo di trincea	1200 V	675 A		2,1 V a 15 V, 450 A					3 mA	SÌ	28 nF a 25 V
IRL2203NLPBF	-	Richiesta di offerta	6876	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA				MOSFET (ossido di metallo)				TO-262	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN							30 V	116A(Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm a 60 A, 10 V	3 V a 250 µA	60 nC a 4,5 V	±16V	3290 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 180 W (Tc)
IRLMS1503TRPBF	0,6500	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	IRLMS1503			MOSFET (ossido di metallo)				Micro6™(TSOP-6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN							30 V	3,2A(Ta)	4,5 V, 10 V	100 mOhm a 2,2 A, 10 V	1 V a 250 µA	9,6 nC a 10 V	±20 V	210 pF a 25 V	-	1,7 W (Ta)
BCR505E6327HTSA1	0,3900	Richiesta di offerta	2824	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta			Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR505				330 mW			PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																																						50 V	500 mA							100nA (ICBO)			NPN - Prepolarizzato	300 mV a 2,5 mA, 50 mA	70 a 50 mA, 5 V	100 MHz	2,2 kOhm	10 kOhm
IDL06G65C5XUMA2	2.9300	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	CoolSiC™+	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	4-PowerTSFN	IDL06G65			SiC (carburo di silicio) Schottky				PG-VSON-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000		Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)																										650 V		1,7 V a 6 A	0 ns	110 µA a 650 V	-55°C ~ 150°C	6A	190 pF a 1 V, 1 MHz
IRF7402TRPBF	-	Richiesta di offerta	2329	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				MOSFET (ossido di metallo)				8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000			CanaleN							20 V	6,8A(Ta)	2,7 V, 4,5 V	35 mOhm a 4,1 A, 4,5 V	700 mV a 250 µA (min)	22 nC a 4,5 V	±12V	650 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
BSM100GD120DN2BOSA1	414.8900	Richiesta di offerta	2973	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Design non per nuovi		150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	BSM100				680 W		Standard	Modulo	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Invertitore trifase																																				-	1200 V	150A		3 V a 15 V, 100 A					2 mA	NO	6,5 nF a 25 V
FP40R12KE3GBOSA1	167.2100	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	EconoPIM™3	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	FP40R12				210 W		Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Invertitore trifase																																				Sosta sul campo di trincea	1200 V	55A		2,3 V a 15 V, 40 A					1 mA	SÌ	2,5 nF a 25 V
BCP72M	1.0000	Richiesta di offerta	7779	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo													scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0075	3.000
TZ800N18KOFB1TIMHDSA1	-	Richiesta di offerta	9720	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto					TZ800N18								-					OBSOLETO		1
IPP12CN10N G	-	Richiesta di offerta	5943	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP12C			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO220-3	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500			CanaleN							100 V	67A(Tc)	10 V	12,9 mOhm a 67 A, 10 V	4 V a 83 µA	65 nC a 10 V	±20 V	4320 pF a 50 V	-	125 W (Tc)
IRLR2703TRR	-	Richiesta di offerta	1579	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63				MOSFET (ossido di metallo)				D-Pak	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN							30 V	23A (Tc)	4 V, 10 V	45 mOhm a 14 A, 10 V	1 V a 250 µA	15 nC a 4,5 V	±16V	450 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
PTFA192001FV4FWSA1	-	Richiesta di offerta	7354	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto	65 V		Montaggio superficiale	Confezione da 2 pezzi, terminali ad aletta, flangiati	PTFA192001		1,99GHz	LDMOS				H-37260-2	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	40				10 µA			1,8 A	50 W	15,9dB																	-																			30 V
IMW65R107M1HXKSA1	10.9000	Richiesta di offerta	9	Tecnologie Infineon	CoolSiC™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IMW65R107			SiCFET (carburo di silicio)				PG-TO247-3-41	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN							650 V	20A (Tc)	18 V	142 mOhm a 8,9 A, 18 V	5,7 V a 3 mA	15 nC a 18 V	+23 V, -5 V	496 pF a 400 V	-	75 W (Tc)
IPB05N03LAT	-	Richiesta di offerta	9251	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB05N			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO263-3-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN							25 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,6 mOhm a 55 A, 10 V	2 V a 50 µA	25 nC a 5 V	±20 V	3110 pF a 15 V	-	94 W (Tc)
DDB6U104N16RRBOSA1	-	Richiesta di offerta	6763	Tecnologie Infineon	-	Massa	Interrotto alla SIC			Montaggio su telaio	Modulo	DDB6U104			Standard				Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	10		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																									3 Indipendente	1600 V	25 A (CC)	1,3 V a 1600 A		5 mA a 1600 V	-40°C~150°C
IRGR2B60KDTRPBF	-	Richiesta di offerta	9557	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IRGR2B60	Standard			35 W			D-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001536510	EAR99	8541.29.0095	2.000						400 V, 2 A, 100 Ohm, 15 V																									68 ns						TNP	600 V	6,3 A	8A	2,25 V a 15 V, 2 A	74μJ (acceso), 39μJ (spento)	12 nC	11ns/150ns
DDB6U50N16W1RPBPSA1	67.0000	Richiesta di offerta	7042	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	DDB6U50						Raddrizzatore a ponte trifase	AG-EASY1B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	Chopper singolo																																				Sosta sul campo di trincea	1200 V	50A		1,5 V a 15 V, 50 A					6,2μA	NO	11,1 nF a 25 V
IRFBL3315	-	Richiesta di offerta	8515	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto			Montaggio superficiale	Super D2-Pak				MOSFET (ossido di metallo)				SUPER D2-PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN							150 V	21A (Ta)		-	-				-	-
IPB80N06S205ATMA1	-	Richiesta di offerta	4265	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB80N			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO263-3-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN							55 V	80A (Tc)	10 V	4,8 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 250 µA	170 nC a 10 V	±20 V	5110 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
PTFA181001FV4R250FTMA1	-	Richiesta di offerta	6260	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	65 V		Montaggio superficiale	Confezione da 2 pezzi, terminali ad aletta, flangiati	PTFA181001		1,88GHz	LDMOS				H-37248-2	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	250				1μA			750 mA	100 W	16,5dB																	-																			28 V
IRFR1010ZPBF	-	Richiesta di offerta	7693	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63				MOSFET (ossido di metallo)				D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75			CanaleN							55 V	42A(Tc)	10 V	7,5 mOhm a 42 A, 10 V	4 V a 100 µA	95 nC a 10 V	±20 V	2840 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IPB015N04LGATMA1	4.8700	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB015			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN							40 V	120A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,5 mOhm a 100 A, 10 V	2 V a 200 µA	346 nC a 10 V	±20 V	28.000 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
IRL3714TR	-	Richiesta di offerta	5043	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Foro passante	TO-220-3				MOSFET (ossido di metallo)				TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN							20 V	36A(Tc)	4,5 V, 10 V	20 mOhm a 18 A, 10 V	3 V a 250 µA	9,7 nC a 4,5 V	±20 V	670 pF a 10 V	-	47 W(Tc)
TD240N32KOFHPSA1	-	Richiesta di offerta	4004	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	TD240N					Collegamento in serie: SCR/diodo			scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	2					300 mA															3,8kV	700 A	1,5 V	6100A a 50 Hz	250 mA	446A											1 SCR, 1 diodo
BFP520FE6327	0,1600	Richiesta di offerta	15	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, conduttori piatti					100 mW			4-TSFP	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	3.000									22,5dB																													3,5 V	40mA										NPN		70 a 20 mA, 2 V	45GHz			0,95 dB a 1,8 GHz
BAV70S E6433	-	Richiesta di offerta	5690	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BAV70			Standard				PG-SOT363-PO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	10.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																									Catodo comune a 2 coppie	80 V	200 mA (CC)	1,25 V a 150 mA	4nn	150 nA a 70 V	150°C (massimo)
BSC057N08NS3GATMA1	2.0800	Richiesta di offerta	11	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	BSC057			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TDSON-8-5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000			CanaleN							80 V	16A (Ta), 100A (Tc)	6 V, 10 V	5,7 mOhm a 50 A, 10 V	3,5 V a 73 µA	56 nC a 10 V	±20 V	3900 pF a 40 V	-	2,5 W (Ta), 114 W (Tc)
IPD60R2K0C6BTMA1	-	Richiesta di offerta	8023	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ C6	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD60R			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO252-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN							600 V	2,4 A(Tc)	10 V	2 Ohm a 760 mA, 10 V	3,5 V a 60 µA	6,7 nC a 10 V	±20 V	140 pF a 100 V	-	22,3 W(Tc)