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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Velocità | Tipo FET | Condizione di prova | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKW50N65F5AXKSA1 | - | ![]() | 6525 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | IKW50N | Standard | 270 W | PG-TO247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 400 V, 25 A, 12 Ohm, 15 V | 77 nn | Trincea | 650 V | 80A | 150A | 2,1 V a 15 V, 50 A | 490μJ (acceso), 140μJ (spento) | 108 nC | 21ns/156ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC06D60F6X1SA4 | - | ![]() | 6326 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | Morire | SIDC06D60 | Standard | Morire | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,6 V a 15 A | 27 µA a 600 V | -40°C ~ 175°C | 15A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG7T400SD12B | - | ![]() | 6406 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo POWIR® 62 | IRG7T | 2140 W | Standard | POWIR®62 | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | SP001542008 | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Separare | - | 1200 V | 780A | 2,2 V a 15 V, 400 A | 4 mA | NO | 58,5 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC04T60EX1SA2 | - | ![]() | 2116 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | TrenchStop™ | Massa | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | Morire | SIGC04 | Standard | Morire | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 | - | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 6A | 18A | 1,9 V a 15 V, 6 A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IQD063N15NM5CGATMA1 | 4.8300 | ![]() | 5141 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS55MR12W1M1HB11NPSA1 | 89.0900 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | EasyPACK™, CoolSiC™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | FS55MR12 | Carburo di silicio (SiC) | 20 mW | AG-EASY1B | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 6 canali N (ponte intero) | 1200 V | 15A(Tj) | 79 mOhm a 15 A, 18 V | 5,15 V a 6 mA | 45 nC a 18 V | 1350 pF a 800 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP150R12N3T7B11BPSA1 | 373.2600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | EconoPIM™3 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | 20 mW | Raddrizzatore a ponte trifase | AG-ECONO3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Invertitore trifase | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 150A | 1,8 V a 15 V, 150 A | 12 µA | SÌ | 30,1 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BSF134N10NJ3GXUMA1 | 2.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | OptiMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-WDSON | BSF134 | MOSFET (ossido di metallo) | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 100 V | 9A (Ta), 40A (Tc) | 6 V, 10 V | 13,4 mOhm a 30 A, 10 V | 3,5 V a 40 µA | 30 nC a 10 V | ±20 V | 2300 pF a 50 V | - | 2,2 W (Ta), 43 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R600E6 | - | ![]() | 9675 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolMOS E6™ | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | MOSFET (ossido di metallo) | PG-TO220-3-1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 600 V | 7,3 A(Tc) | 10 V | 600 mOhm a 2,4 A, 10 V | 3,5 V a 200 µA | 20,5 nC a 10 V | ±20 V | 440 pF a 100 V | - | 63 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1800R17IP5PBPSA1 | 1.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | PrimePACK™3+ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 175°C | Montaggio su telaio | Modulo | FF1800 | 1800000 W | Standard | Modulo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | Mezzo ponte | Sosta sul campo di trincea | 1700 V | 3600 A | 2,2 V a 15 V, 1800 A | 5 mA | SÌ | 105 nF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IKN04N60RC2ATMA1 | 0,9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | IKN04N | Standard | 6,8 W | PG-SOT223-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 448-IKN04N60RC2ATMA1DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 400 V, 4 A, 49 Ohm, 15 V | 39 ns | - | 600 V | 7,5 A | 12A | 2,3 V a 15 V, 4 A | 95μJ (acceso), 62μJ (spento) | 24 nC | 8ns/126ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF150R17KE4HOSA1 | 168.7000 | ![]() | 7032 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | C | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | FF150R17 | Standard | Modulo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Indipendente | Sosta sul campo di trincea | 1700 V | 150A | 2,3 V a 15 V, 150 A | 1 mA | NO | 12 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDW40E65D1 | 1.0000 | ![]() | 2240 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Attivo | Foro passante | TO-247-3 | Standard | PG-TO247-3-1 | scaricamento | 0000.00.0000 | 1 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 650 V | 1,7 V a 40 A | 129 ns | 40 µA a 650 V | -40°C ~ 175°C | 80A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC14D60E6X7SA1 | - | ![]() | 4551 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | Morire | SIDC14D60 | Standard | Morire | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,25 V a 30 A | 27 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC039N06NSATMA1 | 1.9000 | ![]() | 8907 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | OptiMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | BSC039 | MOSFET (ossido di metallo) | PG-TDSON-8-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 60 V | 19A (Ta), 100A (Tc) | 6 V, 10 V | 3,9 mOhm a 50 A, 10 V | 2,8 V a 36 µA | 27 nC a 10 V | ±20 V | 2000 pF a 30 V | - | 2,5 W (Ta), 69 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP15R12KS4CBOSA1 | 108.6580 | ![]() | 6979 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 125°C | Montaggio su telaio | Modulo | FP15R12 | 180 W | Standard | Modulo | scaricamento | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Separare | - | 1200 V | 30A | 3,7 V a 15 V, 15 A | 5 mA | SÌ | 1 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKY50N120CH7XKSA1 | 12.0300 | ![]() | 230 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | TRENCHSTOP™ | Tubo | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-4 | IKY50N120 | Standard | 398 W | PG-TO247-4-U10 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 86 ns | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 75A | 200A | 2,15 V a 15 V, 50 A | 1,09 mJ (acceso), 1,33 mJ (spento) | 372 nC | 35ns/331ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUZ355 | - | ![]() | 8673 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | * | Massa | Attivo | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8541.29.0095 | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3714ZSTRLPBF | - | ![]() | 8093 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | HEXFET® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | MOSFET (ossido di metallo) | D2PAK | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | SP001557964 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 20 V | 36A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 16 mOhm a 15 A, 10 V | 2,55 V a 250 µA | 7,2 nC a 4,5 V | ±20 V | 550 pF a 10 V | - | 35 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N04S204ATMA1 | - | ![]() | 2325 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | OptiMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | IPB80N | MOSFET (ossido di metallo) | PG-TO263-3-2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 40 V | 80A (Tc) | 10 V | 3,4 mOhm a 80 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 170 nC a 10 V | ±20 V | 5300 pF a 25 V | - | 300 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKA10N65ET6XKSA1 | - | ![]() | 1714 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Tubo | Attivo | IKA10N65 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | SP001639786 | 0000.00.0000 | 500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPT65R125CFD7XTMA1 | 2.1333 | ![]() | 4097 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Montaggio superficiale | 8-PowerSFN | - | PG-HSOF-8-3 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | - | 650 V | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC03D60C8F1SA1 | - | ![]() | 1159 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | Morire | SIDC03 | Standard | Morire | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,95 V a 10 A | 27 µA a 600 V | -40°C ~ 175°C | 10A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF80R07W1H5FPB50BPSA1 | 39.4100 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4062D-EPBF | - | ![]() | 5241 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | Standard | 250 W | TO-247 d.C | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V | 89 ns | Trincea | 600 V | 48A | 72A | 1,95 V a 15 V, 24 A | 115μJ (acceso), 600μJ (spento) | 75 nC | 41ns/104ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGC15T65QEX1SA1 | - | ![]() | 4086 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | Morire | IGC15T65 | Standard | Morire | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 0000.00.0000 | 1 | - | Sosta sul campo di trincea | 650 V | 30A | 90A | 2,32 V a 15 V, 30 A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12KE7PEHPSA1 | 261.2688 | ![]() | 9955 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | C, TRENCHSTOP™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | Standard | AG-62MMHB | - | Conformità ROHS3 | 8 | Invertitore a mezzo ponte | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 600 A | 1,75 V a 15 V, 600 A | 100 µA | NO | 92300 pF a 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIMZA75R020M1HXKSA1 | 17.0765 | ![]() | 7974 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | * | Tubo | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 448-AIMZA75R020M1HXKSA1 | 240 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPS60R210PFD7SAKMA1 | 2.0900 | ![]() | 308 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | CoolMOS™PFD7 | Tubo | Design non per nuovi | -40°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA | IPS60R | MOSFET (ossido di metallo) | PG-TO251-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | CanaleN | 650 V | 16A (Tc) | 10 V | 210 mOhm a 4,9 A, 10 V | 4,5 V a 240 µA | 23 nC a 10 V | ±20 V | 1015 pF a 400 V | - | 64 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD61S14KKHPSA1 | - | ![]() | 4181 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Modulo | Standard | Modulo | scaricamento | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 1400 V | 76A | 1,62 V a 230 A | 40 mA a 1400 V | -40°C~150°C |

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