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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Velocità Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
IKW50N65F5AXKSA1 Infineon Technologies IKW50N65F5AXKSA1 -
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ECAD 6525 0.00000000 Tecnologie Infineon Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ Tubo Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 IKW50N Standard 270 W PG-TO247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 240 400 V, 25 A, 12 Ohm, 15 V 77 nn Trincea 650 V 80A 150A 2,1 V a 15 V, 50 A 490μJ (acceso), 140μJ (spento) 108 nC 21ns/156ns
SIDC06D60F6X1SA4 Infineon Technologies SIDC06D60F6X1SA4 -
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ECAD 6326 0.00000000 Tecnologie Infineon - Massa Obsoleto Montaggio superficiale Morire SIDC06D60 Standard Morire scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 600 V 1,6 V a 15 A 27 µA a 600 V -40°C ~ 175°C 15A -
IRG7T400SD12B Infineon Technologies IRG7T400SD12B -
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ECAD 6406 0.00000000 Tecnologie Infineon - Scatola Obsoleto -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo POWIR® 62 IRG7T 2140 W Standard POWIR®62 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato SP001542008 EAR99 8541.29.0095 15 Separare - 1200 V 780A 2,2 V a 15 V, 400 A 4 mA NO 58,5 nF a 25 V
SIGC04T60EX1SA2 Infineon Technologies SIGC04T60EX1SA2 -
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ECAD 2116 0.00000000 Tecnologie Infineon TrenchStop™ Massa Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale Morire SIGC04 Standard Morire scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 0000.00.0000 1 - Sosta sul campo di trincea 600 V 6A 18A 1,9 V a 15 V, 6 A - -
IQD063N15NM5CGATMA1 Infineon Technologies IQD063N15NM5CGATMA1 4.8300
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ECAD 5141 0.00000000 Tecnologie Infineon - Nastro e bobina (TR) Attivo scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato 5.000
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 Infineon Technologies FS55MR12W1M1HB11NPSA1 89.0900
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ECAD 43 0.00000000 Tecnologie Infineon EasyPACK™, CoolSiC™ Vassoio Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo FS55MR12 Carburo di silicio (SiC) 20 mW AG-EASY1B scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 24 6 canali N (ponte intero) 1200 V 15A(Tj) 79 mOhm a 15 A, 18 V 5,15 V a 6 mA 45 nC a 18 V 1350 pF a 800 V -
FP150R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies FP150R12N3T7B11BPSA1 373.2600
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ECAD 10 0.00000000 Tecnologie Infineon EconoPIM™3 Vassoio Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo 20 mW Raddrizzatore a ponte trifase AG-ECONO3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 10 Invertitore trifase Sosta sul campo di trincea 1200 V 150A 1,8 V a 15 V, 150 A 12 µA 30,1 nF a 25 V
BSF134N10NJ3GXUMA1 Infineon Technologies BSF134N10NJ3GXUMA1 2.3000
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ECAD 5 0.00000000 Tecnologie Infineon OptiMOS™ Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-WDSON BSF134 MOSFET (ossido di metallo) MG-WDSON-2, CanPAK M™ scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 100 V 9A (Ta), 40A (Tc) 6 V, 10 V 13,4 mOhm a 30 A, 10 V 3,5 V a 40 µA 30 nC a 10 V ±20 V 2300 pF a 50 V - 2,2 W (Ta), 43 W (Tc)
IPP60R600E6 Infineon Technologies IPP60R600E6 -
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ECAD 9675 0.00000000 Tecnologie Infineon CoolMOS E6™ Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) PG-TO220-3-1 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1 CanaleN 600 V 7,3 A(Tc) 10 V 600 mOhm a 2,4 A, 10 V 3,5 V a 200 µA 20,5 nC a 10 V ±20 V 440 pF a 100 V - 63 W (Tc)
FF1800R17IP5PBPSA1 Infineon Technologies FF1800R17IP5PBPSA1 1.0000
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ECAD 3 0.00000000 Tecnologie Infineon PrimePACK™3+ Vassoio Attivo -40°C ~ 175°C Montaggio su telaio Modulo FF1800 1800000 W Standard Modulo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3 Mezzo ponte Sosta sul campo di trincea 1700 V 3600 A 2,2 V a 15 V, 1800 A 5 mA 105 nF a 25 V
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies IKN04N60RC2ATMA1 0,9600
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ECAD 2 0.00000000 Tecnologie Infineon - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA IKN04N Standard 6,8 W PG-SOT223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 448-IKN04N60RC2ATMA1DKR EAR99 8541.29.0095 3.000 400 V, 4 A, 49 Ohm, 15 V 39 ns - 600 V 7,5 A 12A 2,3 V a 15 V, 4 A 95μJ (acceso), 62μJ (spento) 24 nC 8ns/126ns
FF150R17KE4HOSA1 Infineon Technologies FF150R17KE4HOSA1 168.7000
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ECAD 7032 0.00000000 Tecnologie Infineon C Vassoio Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo FF150R17 Standard Modulo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 10 2 Indipendente Sosta sul campo di trincea 1700 V 150A 2,3 V a 15 V, 150 A 1 mA NO 12 nF a 25 V
IDW40E65D1 Infineon Technologies IDW40E65D1 1.0000
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ECAD 2240 0.00000000 Tecnologie Infineon - Massa Attivo Foro passante TO-247-3 Standard PG-TO247-3-1 scaricamento 0000.00.0000 1 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 650 V 1,7 V a 40 A 129 ns 40 µA a 650 V -40°C ~ 175°C 80A -
SIDC14D60E6X7SA1 Infineon Technologies SIDC14D60E6X7SA1 -
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ECAD 4551 0.00000000 Tecnologie Infineon - Massa Obsoleto Montaggio superficiale Morire SIDC14D60 Standard Morire - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 600 V 1,25 V a 30 A 27 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 30A -
BSC039N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC039N06NSATMA1 1.9000
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ECAD 8907 0.00000000 Tecnologie Infineon OptiMOS™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN BSC039 MOSFET (ossido di metallo) PG-TDSON-8-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 5.000 CanaleN 60 V 19A (Ta), 100A (Tc) 6 V, 10 V 3,9 mOhm a 50 A, 10 V 2,8 V a 36 µA 27 nC a 10 V ±20 V 2000 pF a 30 V - 2,5 W (Ta), 69 W (Tc)
FP15R12KS4CBOSA1 Infineon Technologies FP15R12KS4CBOSA1 108.6580
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ECAD 6979 0.00000000 Tecnologie Infineon - Massa Acquisto per l'ultima volta -40°C ~ 125°C Montaggio su telaio Modulo FP15R12 180 W Standard Modulo scaricamento Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 10 Separare - 1200 V 30A 3,7 V a 15 V, 15 A 5 mA 1 nF a 25 V
IKY50N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKY50N120CH7XKSA1 12.0300
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ECAD 230 0.00000000 Tecnologie Infineon TRENCHSTOP™ Tubo Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 IKY50N120 Standard 398 W PG-TO247-4-U10 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 - 86 ns Sosta sul campo di trincea 1200 V 75A 200A 2,15 V a 15 V, 50 A 1,09 mJ (acceso), 1,33 mJ (spento) 372 nC 35ns/331ns
BUZ355 Infineon Technologies BUZ355 -
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ECAD 8673 0.00000000 Tecnologie Infineon * Massa Attivo scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 4
IRL3714ZSTRLPBF Infineon Technologies IRL3714ZSTRLPBF -
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ECAD 8093 0.00000000 Tecnologie Infineon HEXFET® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB MOSFET (ossido di metallo) D2PAK scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato SP001557964 EAR99 8541.29.0095 800 CanaleN 20 V 36A(Tc) 4,5 V, 10 V 16 mOhm a 15 A, 10 V 2,55 V a 250 µA 7,2 nC a 4,5 V ±20 V 550 pF a 10 V - 35 W (Tc)
IPB80N04S204ATMA1 Infineon Technologies IPB80N04S204ATMA1 -
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ECAD 2325 0.00000000 Tecnologie Infineon OptiMOS™ Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB IPB80N MOSFET (ossido di metallo) PG-TO263-3-2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 40 V 80A (Tc) 10 V 3,4 mOhm a 80 A, 10 V 4 V a 250 µA 170 nC a 10 V ±20 V 5300 pF a 25 V - 300 W(Tc)
IKA10N65ET6XKSA1 Infineon Technologies IKA10N65ET6XKSA1 -
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ECAD 1714 0.00000000 Tecnologie Infineon - Tubo Attivo IKA10N65 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato SP001639786 0000.00.0000 500
IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPT65R125CFD7XTMA1 2.1333
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ECAD 4097 0.00000000 Tecnologie Infineon - Nastro e bobina (TR) Attivo - Montaggio superficiale 8-PowerSFN - PG-HSOF-8-3 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 - 650 V - - - - - - -
SIDC03D60C8F1SA1 Infineon Technologies SIDC03D60C8F1SA1 -
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ECAD 1159 0.00000000 Tecnologie Infineon - Massa Attivo Montaggio superficiale Morire SIDC03 Standard Morire - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 600 V 1,95 V a 10 A 27 µA a 600 V -40°C ~ 175°C 10A -
DF80R07W1H5FPB50BPSA1 Infineon Technologies DF80R07W1H5FPB50BPSA1 39.4100
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ECAD 30 0.00000000 Tecnologie Infineon - Vassoio Attivo - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30
IRGP4062D-EPBF Infineon Technologies IRGP4062D-EPBF -
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ECAD 5241 0.00000000 Tecnologie Infineon - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 Standard 250 W TO-247 d.C scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 25 400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V 89 ns Trincea 600 V 48A 72A 1,95 V a 15 V, 24 A 115μJ (acceso), 600μJ (spento) 75 nC 41ns/104ns
IGC15T65QEX1SA1 Infineon Technologies IGC15T65QEX1SA1 -
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ECAD 4086 0.00000000 Tecnologie Infineon - Massa Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale Morire IGC15T65 Standard Morire scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 0000.00.0000 1 - Sosta sul campo di trincea 650 V 30A 90A 2,32 V a 15 V, 30 A - -
FF600R12KE7PEHPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7PEHPSA1 261.2688
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ECAD 9955 0.00000000 Tecnologie Infineon C, TRENCHSTOP™ Vassoio Attivo -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo Standard AG-62MMHB - Conformità ROHS3 8 Invertitore a mezzo ponte Sosta sul campo di trincea 1200 V 600 A 1,75 V a 15 V, 600 A 100 µA NO 92300 pF a 25 V
AIMZA75R020M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R020M1HXKSA1 17.0765
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ECAD 7974 0.00000000 Tecnologie Infineon * Tubo Attivo - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 448-AIMZA75R020M1HXKSA1 240
IPS60R210PFD7SAKMA1 Infineon Technologies IPS60R210PFD7SAKMA1 2.0900
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ECAD 308 0.00000000 Tecnologie Infineon CoolMOS™PFD7 Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA IPS60R MOSFET (ossido di metallo) PG-TO251-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 650 V 16A (Tc) 10 V 210 mOhm a 4,9 A, 10 V 4,5 V a 240 µA 23 nC a 10 V ±20 V 1015 pF a 400 V - 64 W (Tc)
DD61S14KKHPSA1 Infineon Technologies DD61S14KKHPSA1 -
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ECAD 4181 0.00000000 Tecnologie Infineon - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Modulo Standard Modulo scaricamento Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 15 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 1400 V 76A 1,62 V a 230 A 40 mA a 1400 V -40°C~150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock