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Prodotti a semiconduttore discreti(16626)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente: max	Condizione di prova	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Figura di rumore (dB tipo @ f)
IKP15N65H5XKSA1	3.2700	Richiesta di offerta	3463	Tecnologie Infineon	TrenchStop®	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IKP15N65	Standard			105 W		PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50						400 V, 7,5 A, 39 Ohm, 15 V																	48 ns					-	650 V	30A	45A	2,1 V a 15 V, 15 A	120μJ (acceso), 50μJ (spento)	38 nC	17ns/160ns
FF300R08W2P2B11ABOMA1	89.8700	Richiesta di offerta	15	Tecnologie Infineon	EasyPACK™	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FF300R08				20 mW	Standard	AG-EASY2B-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	15	2 Indipendente																											-	750 V	200A		1,18 V a 15 V, 200 A							1 mA	SÌ	53 nF a 50 V
BFP450E6327	-	Richiesta di offerta	1849	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343					450 mW		PG-SOT343-4	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	1									15,5dB																				5 V	100mA													NPN		60 a 50 mA, 4 V	24GHz			1,25 dB a 1,8 GHz
IPD65R1K4C6ATMA1	1.3000	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ C6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD65R1			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN							650 V	3,2 A(Tc)	10 V	1,4 Ohm a 1 A, 10 V	3,5 V a 100 µA	10,5 nC a 10 V	±20 V	225 pF a 100 V	-	28 W (Tc)
BFR360FH6327XTSA1	0,5000	Richiesta di offerta	68	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-723	BFR360				210 mW		PG-TSFP-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000									15,5dB																				9V	35mA													NPN		90 a 15 mA, 3 V	14GHz			1 dB a 1,8 GHz
IPA60R650CEE8210XKSA1	-	Richiesta di offerta	8037	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Massa	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo				MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220 Pacchetto completo	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN							600 V	9,9 A(Tc)	10 V	650 mOhm a 2,4 A, 10 V	3,5 V a 200 µA	20,5 nC a 10 V	±20 V	440 pF a 100 V	-	28 W (Tc)
BCR108F E6327	-	Richiesta di offerta	8008	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			Montaggio superficiale	SOT-723	BCR 108				250 mW		PG-TSFP-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																													50 V	100 mA									100nA (ICBO)				NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	70 a 5 mA, 5 V	170 MHz	2,2 kOhm	47 kOhm
IRG4BC10SD-S	-	Richiesta di offerta	9433	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard			38 W		D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50						480 V, 8 A, 100 Ohm, 15 V																	28 ns					-	600 V	14A	18A	1,8 V a 15 V, 8 A	310 µJ (acceso), 3,28 mJ (spento)	15 nC	76ns/815ns
AIMZHN120R030M1TXKSA1	27.5217	Richiesta di offerta	6685	Tecnologie Infineon	*	Tubo	Attivo												-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	448-AIMZHN120R030M1TXKSA1			240
IPB13N03LB G	-	Richiesta di offerta	9149	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB13N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN							30 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	12,5 mOhm a 30 A, 10 V	2 V a 20 µA	11 nC a 5 V	±20 V	1355 pF a 15 V	-	52 W (Tc)
BCR583	0,0600	Richiesta di offerta	954	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo												scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	4.792
IRFS7537TRLPBF	2.3100	Richiesta di offerta	4168	Tecnologie Infineon	HEXFET®, StrongIRFET™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRFS7537			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN							60 V	173A(Tc)	6 V, 10 V	3,3 mOhm a 100 A, 10 V	3,7 V a 150 µA	210 nC a 10 V	±20 V	7020 pF a 25 V	-	230 W(Tc)
F3L75R12W1H3B11BPSA1	64.3800	Richiesta di offerta	24	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo		-40°C~150°C	Montaggio su telaio	Modulo	F3L75R12				275 W	Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	24	Chopper singolo																											-	1200 V	45A		1,7 V a 15 V, 30 A							1 mA	SÌ	4,4 nF a 25 V
IRFZ34E	-	Richiesta di offerta	1741	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3				MOSFET (ossido di metallo)			TO-220AB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRFZ34E	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN							60 V	28A (Tc)	10 V	42 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±20 V	680 pF a 25 V	-	68 W(Tc)
FZ1800R17KF4NOSA1	1.0000	Richiesta di offerta	62	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo					13500 W	Standard	Modulo	scaricamento						0000.00.0000	1	3 Indipendente																											Sosta sul campo di trincea	1200 V	3560A		2,1 V a 15 V, 2,4 kA							5 mA	NO	150 nF a 25 V
IDP30E65D2XKSA1	2.1100	Richiesta di offerta	433	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-220-2	IDP30E65			Standard			PG-TO220-2-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	50		Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)																			650 V	2,2 V a 30 A	42 ns	40 µA a 650 V	-40°C ~ 175°C	60A	-
FZ1800R17HP4B29BOSA2	1.0000	Richiesta di offerta	6478	Tecnologie Infineon	IHM-B	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FZ1800				11500 W	Standard	AG-IHMB190	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Interruttore singolo																											Sosta sul campo di trincea	1700 V	1800 d.C		2,25 V a 15 V, 1,8 kA							5 mA	NO	145 nF a 25 V
BAR6305WE6327HTSA1	-	Richiesta di offerta	3058	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)		SC-70, SOT-323	BAR6305						PG-SOT323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000					100 mA														250 mW								0,3 pF a 5 V, 1 MHz										PIN: 1 paio di catodo comune	50 V				1 Ohm a 10 mA, 100 MHz
IPP65R190C7	1.0000	Richiesta di offerta	1826	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3				MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-1	scaricamento					EAR99	8542.39.0001	1			CanaleN							650 V	13A(Tc)	10 V	190 mOhm a 5,7 A, 10 V	4 V a 290 µA	23 nC a 10 V	±20 V	1150 pF a 400 V	-	72 W (Tc)
FZ1500R33HE3C1NPSA1	-	Richiesta di offerta	7581	Tecnologie Infineon	IHM-B	Vassoio	Interrotto alla SIC		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	FZ1500				2400000 W	Standard	AG-IHVB190-3	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Ponte completo																											Sosta sul campo di trincea	3300 V	1500 A		3,1 V a 15 V, 1,5 kA							5 mA	NO	280 nF a 25 V
DDB6U84N16RRBPSA1	110.7100	Richiesta di offerta	15	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Design non per nuovi		150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	DDB6U8				350 W	Standard	AG-ECONO2A	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	15	Chopper singolo																											-	1200 V	50A		3,2 V a 20 V, 50 A							1 mA	NO	3,3 nF a 25 V
SIDC78D170HX1SA1	-	Richiesta di offerta	6083	Tecnologie Infineon	-	Massa	Interrotto alla SIC			Montaggio superficiale	Morire	SIDC78D			Standard			Segato su pellicola	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																			1700 V	1,8 V a 150 A		27 µA a 1700 V	-55°C ~ 150°C	150A	-
PTFA212401E V4	-	Richiesta di offerta	7757	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto	65 V		Montaggio su telaio	H-36260-2	PTFA212401		2,14GHz	LDMOS			H-36260-2	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	35				10μA			1,6 A	50 W	15,8dB											-																30 V
IPD60R380E6ATMA2	-	Richiesta di offerta	8322	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ E6	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD60R			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN							600 V	10,6 A(Tc)	10 V	380 mOhm a 3,8 A, 10 V	3,5 V a 300 µA	32 nC a 10 V	±20 V	700 pF a 100 V	-	83 W (Tc)
IPN70R1K5CE	1.0000	Richiesta di offerta	4905	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-3				MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223	scaricamento						0000.00.0000	1			CanaleN							700 V	5,4 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 1 A, 10 V	3,5 V a 100 µA	10,5 nC a 10 V	±20 V	225 pF a 100 V	-	5 W (Tc)
IPS031N03LGAKMA1	-	Richiesta di offerta	2481	Tecnologie Infineon	OptiMOS™3	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Tronchetto cavi, IPak				MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO251-3-11	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500			CanaleN							30 V	90A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,1 mOhm a 30 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	51 nC a 10 V	±20 V	5300 pF a 15 V	-	94 W (Tc)
SIGC25T60NCX1SA7	-	Richiesta di offerta	9389	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	SIGC25	Standard					Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		1						300 V, 30 A, 8,2 Ohm, 15 V																						TNP	600 V	30A	90A	2,5 V a 15 V, 30 A	-		21ns/110ns
IRF520NSTRLPBF	-	Richiesta di offerta	2099	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRF520			MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN							100 V	9,7 A(Tc)	10 V	200 mOhm a 5,7 A, 10 V	4 V a 250 µA	25 nC a 10 V	±20 V	330 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 48 W (Tc)
IRF7754TRPBF	-	Richiesta di offerta	3308	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	IRF775			MOSFET (ossido di metallo)	1 W		8-TSSOP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 canali P (doppio)									12V	5,5 A		25 mOhm a 5,4 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	22nC a 4,5 V		1984pF @ 6V	Porta a livello logico
BAT15099RE6327HTSA1	1.0200	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)		TO-253-4, TO-253AA	BAT15099						PG-SOT-143-3D	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000					110 mA														100 mW								0,5 pF a 0 V, 1 MHz										Schottky - Incrocio	4V				-