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Prodotti a semiconduttore discreti(16626)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tipo	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Struttura	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente: max	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Guadagno	Attuale	Voltaggio	Tensione - Isolamento	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Corrente - Stato attivo (It (AV)) (Max)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (Max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Numero di SCR, diodi	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza @ Se, F	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
IRFSL3607PBF	-	Richiesta di offerta	4494	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)				TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001565218	EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN							75 V	80A (Tc)	10 V	9 mOhm a 46 A, 10 V	4 V a 100 µA	84 nC a 10 V	±20 V	3070 pF a 50 V	-	140 W(Tc)
IPW50R350CPFKSA1	-	Richiesta di offerta	1989	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		IPW50R	MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO247-3-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	240			CanaleN							550 V	10A (Tc)	10 V	350 mOhm a 5,6 A, 10 V	3,5 V a 370 µA	25 nC a 10 V	±20 V	1020 pF a 100 V	-	89 W(Tc)
DD260N16KKHPSA1	-	Richiesta di offerta	6468	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto		Montaggio su telaio	Modulo			Standard				Modulo	scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																								Connessione in serie da 1 paio	1600 V	260A	1,32 V a 800 A		30 mA a 1600 V	150°C
SIDC06D120E6X1SA3	-	Richiesta di offerta	1491	Tecnologie Infineon	-	Massa	Interrotto alla SIC		Montaggio superficiale	Morire		SIDC06D120	Standard				Segato su pellicola	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	1		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																									1200 V		1,9 V a 5 A		27 µA a 1200 V	-55°C ~ 150°C	5A	-
IRF7832PBF	-	Richiesta di offerta	7773	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 155°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)				8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001560060	EAR99	8541.29.0095	95			CanaleN							30 V	20A (Ta)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 20 A, 10 V	2,32 V a 250 µA	51 nC a 4,5 V	±20 V	4310 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
IRF6604TR1	-	Richiesta di offerta	4463	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	DirectFET™ isometrico MQ			MOSFET (ossido di metallo)				DIRECTFET™ MQ	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato	SP001525412	EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN							30 V	12A (Ta), 49A (Tc)	4,5 V, 7 V	11,5 mOhm a 12 A, 7 V	2,1 V a 250 µA	26 nC a 4,5 V	±12V	2270 pF a 15 V	-	2,3 W (Ta), 42 W (Tc)
FP75R12N2T7BPSA1	135.9400	Richiesta di offerta	7	Tecnologie Infineon	EconoPIM™2	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo		FP75R12		20 mW		Raddrizzatore a ponte trifase	AG-ECONO2B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Invertitore trifase																																			Sosta sul campo di trincea	1200 V	75A	1,55 V a 15 V, 75 A			14 µA	SÌ	15,1 nF a 25 V
IPI60R385CP	1.0300	Richiesta di offerta	78	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO262-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN							600 V	9A (Tc)	10 V	385 mOhm a 5,2 A, 10 V	3,5 V a 340 µA	22 nC a 10 V	±20 V	790 pF a 100 V	-	83 W (Tc)
FS50R07W1E3B11ABOMA1	45.1600	Richiesta di offerta	20	Tecnologie Infineon	EasyPACK™	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo		FS50R07		205 W		Standard	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP000865118	EAR99	8541.29.0095	24	Invertitore trifase																																			Sosta sul campo di trincea	650 V	70A	1,9 V a 15 V, 50 A			50 µA	SÌ	3,1 nF a 25 V
IRFSL4229PBF	-	Richiesta di offerta	1257	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)				TO-262	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001567750	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN							250 V	45A (Tc)	10 V	48 mOhm a 26 A, 10 V	5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±30 V	4560 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
BSL303SPEH6327XTSA1	-	Richiesta di offerta	1160	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TSOP6-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000			Canale P							30 V	6,3A(Ta)	4,5 V, 10 V	33 mOhm a 6,3 A, 10 V	2 V a 30 µA	20,9 nC a 10 V	±20 V	1401 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
FS400R07A1E3S7BOMA1	360.8100	Richiesta di offerta	15	Tecnologie Infineon	HybridPACK™	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo		FS400R07		1250 W		Raddrizzatore a ponte trifase	AG-IBRIDO1-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	16	Invertitore a ponte intero																																			Sosta sul campo di trincea	705 V	500 A	1,7 V a 15 V, 400 A			100 µA	SÌ	28 nF a 25 V
DDB6U104N18RR	70.6300	Richiesta di offerta	150	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo		Montaggio su telaio	Modulo			Standard				Modulo	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.10.0080	1		-																								3 Indipendente	1800 V	-				-
IRF3711ZCS	-	Richiesta di offerta	6394	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)				D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF3711ZCS	EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN							20 V	92A(Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm a 15 A, 10 V	2,45 V a 250 µA	24 nC a 4,5 V	±20 V	2150 pF a 10 V	-	79 W(Tc)
BAT6307WE6327HTSA1	-	Richiesta di offerta	4958	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)		SC-82A, SOT-343		BAT63					PG-SOT343-3D	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000				100 mA															100 mW															0,85 pF a 0,2 V, 1 MHz						Schottky - 2 Indipendente	3V				-
SIGC156T120R2CSYX1SA1	-	Richiesta di offerta	6642	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto					SIGC156T						-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		1
IRF7488TRPBF	-	Richiesta di offerta	8813	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)				8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000			CanaleN							80 V	6,3A(Ta)	10 V	29 mOhm a 3,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	57 nC a 10 V	±20 V	1680 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
IPD60R180P7ATMA1	2.7400	Richiesta di offerta	12	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P7	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		IPD60R	MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			CanaleN							600 V	18A (Tc)	10 V	180 mOhm a 5,6 A, 10 V	4 V a 280 µA	25 nC a 10 V	±20 V	1081 pF a 400 V	-	72 W (Tc)
IPB049NE7N3GATMA1	2.8000	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		IPB049	MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN							75 V	80A (Tc)	10 V	4,9 mOhm a 80 A, 10 V	3,8 V a 91 µA	68 nC a 10 V	±20 V	4750 pF a 37,5 V	-	150 W(Tc)
IRFS3004TRL7PP	4.9900	Richiesta di offerta	5	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguatta), TO-263CB		IRFS3004	MOSFET (ossido di metallo)				D2PAK (7 conduttori)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN							40 V	240A(Tc)	10 V	1,25 mOhm a 195 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	9130 pF a 25 V	-	380 W(Tc)
BFP183WE6327	1.0000	Richiesta di offerta	5743	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343				450 mW			PG-SOT343-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1						22dB																															12V	65 mA								NPN		70 a 15 mA, 8 V	8GHz	0,9 dB ~ 1,4 dB a 900 MHz ~ 1,8 GHz
IPA65R190CFDXKSA1	-	Richiesta di offerta	3510	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		IPA65R	MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO220-3-111	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN							650 V	17,5 A(Tc)	10 V	190 mOhm a 7,3 A, 10 V	4,5 V a 730 µA	68 nC a 10 V	±20 V	1850 pF a 100 V	-	34 W (Tc)
IRFS4620PBF	-	Richiesta di offerta	4240	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)				D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN							200 V	24A (Tc)	10 V	77,5 mOhm a 15 A, 10 V	5 V a 100 µA	38 nC a 10 V	±20 V	1710 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
BB640	1.0000	Richiesta di offerta	8265	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo											scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	3.000
PEF20470HV1.1	36.5900	Richiesta di offerta	87	Tecnologie Infineon	*	Massa	Attivo											-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		5A991C1	8542.39.0001	1
IPI50R299CPXKSA1	-	Richiesta di offerta	5899	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA		IPI50R	MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO262-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500			CanaleN							500 V	12A (Tc)	10 V	299 mOhm a 6,6 A, 10 V	3,5 V a 440 µA	31 nC a 10 V	±20 V	1190 pF a 100 V	-	104 W(Tc)
IKCM20L60HAXKMA1	-	Richiesta di offerta	7104	Tecnologie Infineon	CIPOS™	Tubo	Obsoleto		Foro passante	Modulo 24-PowerDIP (1,028", 26,10 mm)	IGBT							scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.39.0001	280	3 fasi						20A	600 V	2000 Vrm
BC857BWH6327XTSA1	0,0587	Richiesta di offerta	3382	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323		BC857		250 mW			PG-SOT323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																																					45 V	100 mA				15nA (ICBO)				PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	250 MHz
TTB6C95N16LOF	102.7900	Richiesta di offerta	239	Tecnologie Infineon	-	Massa	Attivo	125°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo					A ponte, trifase - Tutti gli SCR			scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	1					200 mA															1,6kV	75A	2,5 V	720A a 50Hz	150 mA	130A										6SC
BAS70B5003	-	Richiesta di offerta	3449	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		BAS70	Schottky				PG-SOT23	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																									70 V		1 V a 15 mA	100 CV	100 nA a 50 V	-55°C ~ 125°C	70 mA	2pF @ 0V, 1MHz