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Prodotti a semiconduttore discreti(16626)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Struttura	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Velocità	Tipo FET	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (Max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Capacità @ Vr, F	Numero di SCR, diodi	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Rapporto di capacità	Condizione del rapporto di capacità	D@Vr, F
T720N14TOFXPSA1	175.3850	Richiesta di offerta	8708	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	DO-200AB, B-PUK	T720N14				Separare			scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.30.0080	6				300 mA												1,8kV	1500 A	1,5 V	14500A a 50Hz	250 mA	720A									1SCR
IRG7U100HF12B	-	Richiesta di offerta	5276	Tecnologie Infineon	-	Scatola	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo POWIR® 62	IRG7U			580 W		Standard	POWIR®62	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	15	Mezzo ponte																														-	1200 V	200A		2 V a 15 V, 100 A						1 mA	NO	12,5 nF a 25 V
ISK036N03LM5AULA1	-	Richiesta di offerta	4852	Tecnologie Infineon	OptiMOS™5	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-PowerVDFN	ISK036N		MOSFET (ossido di metallo)				PG-VSON-6-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	448-ISK036N03LM5AULA1DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000			CanaleN			30 V	44A(Tc)	4,5 V, 10 V	3,6 mOhm a 20 A, 10 V	2 V a 250 µA	21,5 nC a 10 V	±16V	1400 pF a 15 V	-	11 W (Tc)
IPP60R385CPXKSA1	1.7599	Richiesta di offerta	6666	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP60R385		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500			CanaleN			650 V	9A (Tc)	10 V	385 mOhm a 5,2 A, 10 V	3,5 V a 340 µA	22 nC a 10 V	±20 V	790 pF a 100 V	-	83 W (Tc)
IPD055N08NF2SATMA1	1.8700	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	StrongIRFET™2	Nastro tagliato (CT)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN			80 V	17A (Ta), 98A (Tc)	6 V, 10 V	5,5 mOhm a 60 A, 10 V	3,8 V a 55 µA	54 nC a 10 V	±20 V	2500 pF a 40 V	-	3 W (Ta), 107 W (Tc)
AUIRFZ24NS	-	Richiesta di offerta	7214	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AURFZ24		MOSFET (ossido di metallo)				D-PAK (TO-252AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			55 V	17A(Tc)	10 V	70 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±20 V	370 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 45 W (Tc)
IPT063N15N5ATMA1	5.8100	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSFN	IPT063N		MOSFET (ossido di metallo)				PG-HSOF-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	448-IPT063N15N5ATMA1DKR	EAR99	8541.29.0095	2.000			CanaleN			150 V	16,2 A (Ta), 122 A (Tc)	8 V, 10 V	6,3 mOhm a 50 A, 10 V	4,6 V a 153 µA	59 nC a 10 V	±20 V	4550 pF a 75 V	-	3,8 W (Ta), 214 W (Tc)
BSS159NH6906XTSA1	0,7800	Richiesta di offerta	35	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS159		MOSFET (ossido di metallo)				PG-SOT23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000			CanaleN			60 V	230mA(Ta)	0 V, 10 V	3,5 Ohm a 160 mA, 10 V	2,4 V a 26 µA	2,9 nC a 5 V	±20 V	44 pF a 25 V	Modalità di esaurimento	360 mW(Ta)
IPP50N12S3L15AKSA1	-	Richiesta di offerta	9558	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP50N		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500			CanaleN			120 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	15,7 mOhm a 50 A, 10 V	2,4 V a 60 µA	57 nC a 10 V	±20 V	4180 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
IMZA120R007M1HXKSA1	90.3000	Richiesta di offerta	2668	Tecnologie Infineon	CoolSiC™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4			SiCFET (carburo di silicio)				PG-TO247-4-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN			1200 V	225A(Tc)	15 V, 18 V	9,9 mOhm a 108 A, 18 V	5,2 V a 47 mA	220 nC a 18 V	+20 V, -5 V	9170 nF a 25 V	-	750 W(Tc)
IPP600N25N3GXKSA1	3.2000	Richiesta di offerta	129	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP600		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			CanaleN			250 V	25A (Tc)	10 V	60 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 90 µA	29 nC a 10 V	±20 V	2350 pF a 100 V	-	136 W(Tc)
IPQC65R040CFD7XTMA1	7.4950	Richiesta di offerta	3363	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Modulo 22-PowerBSOP	IPDQ65		MOSFET (ossido di metallo)				PG-HDSOP-22	-	Conformità ROHS3				EAR99	8541.29.0095	750			CanaleN			650 V	64A(Tc)	10 V	40 mOhm a 24,8 A, 10 V	4,5 V a 1,24 mA	97 nC a 10 V	±20 V	4975 pF a 400 V	-	357 W(Tc)
AUIRGP4066D1	-	Richiesta di offerta	7462	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	AUIRGP4066	Standard		454 W			TO-247AC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	400					400 V, 75 A, 10 Ohm, 15 V																					240 n					Trincea	600 V	140A	225A	2,1 V a 15 V, 75 A	4,24 mJ (acceso), 2,17 mJ (spento)	225 nC	50ns/200ns
BSZ0703LSATMA1	1.1800	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	BSZ0703		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TSDSON-8-26	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000			CanaleN			60 V	40A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 20 µA	13 nC a 4,5 V	±20 V	1800 pF a 30 V	Standard	46 W (Tc)
IPD06P005LSAUMA1	-	Richiesta di offerta	4812	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD06P		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO252-3-313	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001863510	EAR99	8541.29.0095	2.500			Canale P			60 V	6,5 A(Tc)	4,5 V, 10 V	250 mOhm a 6,5 A, 10 V	2 V a 270 µA	13,8 nC a 10 V	±20 V	420 pF a 30 V	-	28 W (Tc)
BBY5806WH6327XTSA1	-	Richiesta di offerta	2832	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BBY58						PG-SOT323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000																													5,5 pF a 6 V, 1 MHz										1 paio di anodo comune	10 V				3.5	C1/C4	-
SPB21N50C3ATMA1	4.9600	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	SPB21N50		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			CanaleN			560 V	21A(Tc)	10 V	190 mOhm a 13,1 A, 10 V	3,9 V a 1 mA	95 nC a 10 V	±20 V	2400 pF a 25 V	-	208 W(Tc)
IRG7CH81K10EF-R	-	Richiesta di offerta	7575	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	IRG7CH	Standard					Morire	scaricamento		Non applicabile	REACH Inalterato	SP001537294	OBSOLETO	0000.00.0000	1					600 V, 150 A, 1 Ohm, 15 V																										-	1200 V			2,3 V a 15 V, 150 A	-	745 nC	70ns/330ns
IRGP4750D-EPBF	-	Richiesta di offerta	8307	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		273 W			TO-247 d.C	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001545016	EAR99	8541.29.0095	25					400 V, 35 A, 10 Ohm, 15 V																					150 n					-	650 V	70A	105A	2 V a 15 V, 35 A	1,3 mJ (acceso), 500 µJ (spento)	105 nC	50ns/105ns
DD540N22KHPSA2	308.5000	Richiesta di offerta	2768	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo		Montaggio su telaio	Modulo	DD540N22		Standard				Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0080	2		Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)																				Connessione in serie da 1 paio	2200 V	540A	1,48 V a 1700 A		40 mA a 2200 V	-40°C ~ 150°C
IMW65R039M1HXKSA1	17.4100	Richiesta di offerta	44	Tecnologie Infineon	CoolSiC™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IMW65R		SiCFET (carburo di silicio)				PG-TO247-3-41	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			CanaleN			650 V	46A(Tc)	18 V	50 mOhm a 25 A, 18 V	5,7 V a 7,5 mA	41 nC a 18 V	+20 V, -2 V	1393 pF a 400 V	-	176 W(Tc)
IPD60R380E6BTMA1	-	Richiesta di offerta	4647	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ E6	Massa	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 155°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD60R		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO252-3	scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			CanaleN			600 V	10,6 A(Tc)	10 V	380 mOhm a 3,8 A, 10 V	3,5 V a 300 µA	32 nC a 10 V	±20 V	700 pF a 100 V	-	83 W (Tc)
F3L600R10W4S7FH11BPSA1	225.1700	Richiesta di offerta	6798	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo											-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	448-F3L600R10W4S7FH11BPSA1			6
IRF9540NSTRLPBF	2.4900	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRF9540		MOSFET (ossido di metallo)				D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			Canale P			100 V	23A(Tc)	10 V	117 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	1450 pF a 25 V	-	3,1 W (Ta), 110 W (Tc)
IKW15N120BH6XKSA1	3.8300	Richiesta di offerta	9709	Tecnologie Infineon	TrenchStop™	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IKW15N120	Standard		200 W			PG-TO247-3-41	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30					600 V, 15 A, 22 Ohm, 15 V																					340 n					Sosta sul campo di trincea	1200 V	30A	60A	2,3 V a 15 V, 15 A	700μJ (acceso), 550μJ (spento)	92 nC	18ns/240ns
BAS28WH6327XTSA1	0,0884	Richiesta di offerta	2184	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta		Montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343	BAS28		Standard				PG-SOT343-4-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.10.0070	3.000		Piccolo segnale =<200 mA (Io), qualsiasi velocità																				2 Indipendente	80 V	200 mA (CC)	1,25 V a 150 mA	4nn	100 nA a 75 V	150°C (massimo)
AUIRF1010ZSTRL	2.2781	Richiesta di offerta	9578	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800			CanaleN			55 V	75A (Tc)		7,5 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	95 nC a 10 V		2840 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
IRG4BC20UDPBF	-	Richiesta di offerta	4566	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		Standard		60 W			TO-220AB	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000					480 V, 6,5 A, 50 Ohm, 15 V																					37 nn					-	600 V	13A	52A	2,1 V a 15 V, 6,5 A	160μJ (acceso), 130μJ (spento)	27 nC	39ns/93ns
DF600R12N2E4PB11BPSA1	203.2280	Richiesta di offerta	5851	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-	-	-	DF600					-	-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato			0000.00.0000	10	-																														-				-
ISC030N12NM6ATMA1	5.5400	Richiesta di offerta	1581	Tecnologie Infineon	OptiMOS™6	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	ISC030N		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TSON-8-3	-		1 (illimitato)					5.000			CanaleN			120 V	21A (Ta), 194A (Tc)	8 V, 10 V	3,04 mOhm a 50 A, 10 V	3,6 V a 141 µA	74 nC a 10 V	±20 V	5500 pF a 60 V	-	3 W (Ta), 250 W (Tc)