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Prodotti a semiconduttore discreti(16626)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Struttura	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente - Mantenimento (Ih) (Max)	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Tensione - Innesco del cancello (Vgt) (max)	Corrente - Picco non ripetitivo 50, 60 Hz (Itsm)	Corrente - Porta Innesco (Igt) (Max)	Corrente - Stato acceso (It (AV)) (Max)	Numero di SCR, diodi	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
IRFP054N	-	Richiesta di offerta	6994	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Borsa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)				TO-247AC	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRFP054N	EAR99	8541.29.0095	25		CanaleN			55 V	81A(Tc)	10 V	12 mOhm a 43 A, 10 V	4 V a 250 µA	130 nC a 10 V	±20 V	2900 pF a 25 V	-	170 W(Tc)
IRFR4105ZPBF	-	Richiesta di offerta	4835	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)				D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN			55 V	30A (Tc)	10 V	24,5 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±20 V	740 pF a 25 V	-	48 W(Tc)
BUZ30AHXKSA1	-	Richiesta di offerta	8987	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN			200 V	21A(Tc)	10 V	130 mOhm a 13,5 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	1900 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
IRF7353D2PBF	-	Richiesta di offerta	7471	Tecnologie Infineon	FETKY™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)				8-SO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001555250	EAR99	8541.29.0095	95		CanaleN			30 V	6,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	29 mOhm a 5,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	33 nC a 10 V	±20 V	650 pF a 25 V	Diodo Schottky (isolato)	2 W (Ta)
64-2144PBF	-	Richiesta di offerta	6538	Tecnologie Infineon	*	Tubo	Attivo				64-2144							scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001562470	EAR99	8541.29.0095	50
IPU50R950CEAKMA2	-	Richiesta di offerta	9807	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CE	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPU50R		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO251-3	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN			500 V	4,3 A(Tc)	13V	950 mOhm a 1,2 A, 13 V	3,5 V a 100 µA	10,5 nC a 10 V	±20 V	231 pF a 100 V	-	53 W (Tc)
IPB17N25S3100ATMA1	2.3500	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB17N25		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN			250 V	17A(Tc)	10 V	100 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 54 µA	19 nC a 10 V	±20 V	1500 pF a 25 V	-	107 W(Tc)
SIGC10T60EX1SA3	-	Richiesta di offerta	3071	Tecnologie Infineon	TrenchStop™	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Morire	SIGC10	Standard					Morire	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato			0000.00.0000	1				-																		Sosta sul campo di trincea	600 V	20A	60A	1,9 V a 15 V, 20 A	-	-
TT700N22KOFXPSA1	395.4700	Richiesta di offerta	2592	Tecnologie Infineon	TT	Vassoio	Attivo	135°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo					Collegamento in serie: tutti gli SCR			scaricamento	Conformità ROHS3			448-TT700N22KOFXPSA1	EAR99	8541.30.0080	2			300 mA												2,2kV	1,05kA	2,2 V	20400A a 50 Hz	250 mA	700 A	2SC
IRFU4105ZPBF	-	Richiesta di offerta	1090	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA			MOSFET (ossido di metallo)				IPAK (TO-251AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			55 V	30A (Tc)	10 V	24,5 mOhm a 18 A, 10 V	4 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±20 V	740 pF a 25 V	-	48 W(Tc)
IPN60R360PFD7SATMA1	1.3100	Richiesta di offerta	14	Tecnologie Infineon	CoolMOS™PFD7	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-3	IPN60R		MOSFET (ossido di metallo)				PG-SOT223-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			600 V	10A (Tc)	10 V	360 mOhm a 2,9 A, 10 V	4,5 V a 140 µA	12,7 nC a 10 V	±20 V	534 pF a 400 V	-	7 W (Tc)
AUIRLR2905ZTRL	1.2223	Richiesta di offerta	4745	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	AUIRLR2905		MOSFET (ossido di metallo)				D-Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001519942	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			55 V	42A(Tc)		13,5 mOhm a 36 A, 10 V	3 V a 250 µA	35 nC a 5 V		1570 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
IPP110N20NAAKSA1	9.8100	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	OptimWatt™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP110		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			200 V	88A(Tc)	10 V	10,7 mOhm a 88 A, 10 V	4 V a 270 µA	87 nC a 10 V	±20 V	7100 pF a 100 V	-	300 W(Tc)
BSL302SNH6327XTSA1	-	Richiesta di offerta	2939	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TSOP6-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			30 V	7.1A (Ta)	4,5 V, 10 V	25 mOhm a 7,1 A, 10 V	2 V a 30 µA	6,6 nC a 5 V	±20 V	750 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
ISC0804NLSATMA1	1.5700	Richiesta di offerta	9	Tecnologie Infineon	OptiMOS™5	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	ISC0804N		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TDSON-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN			100 V	12A (Ta), 59A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,9 mOhm a 20 A, 10 V	2,3 V a 28 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1600 pF a 50 V	-	2,5 W (Ta), 60 W (Tc)
AUIRF4905STRL	6.4500	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	AUIRF4905		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		Canale P			55 V	42A(Tc)	10 V	20 mOhm a 42 A, 10 V	4 V a 250 µA	180 nC a 10 V	±20 V	3500 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
IPA028N08N3GXKSA1	-	Richiesta di offerta	7935	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPA028		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO220-FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			80 V	89A(Tc)	6 V, 10 V	2,8 mOhm a 89 A, 10 V	3,5 V a 270 µA	206 nC a 10 V	±20 V	14200 pF a 40 V	-	42 W (Tc)
IPI180N10N3GXKSA1	1.0571	Richiesta di offerta	7182	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	IPI180		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO262-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN			100 V	43A(Tc)	6 V, 10 V	18 mOhm a 33 A, 10 V	3,5 V a 33 µA	25 nC a 10 V	±20 V	1800 pF a 50 V	-	71 W(Tc)
IPP80N08S2L07AKSA1	4.4400	Richiesta di offerta	400	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP80N08		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			75 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,1 mOhm a 80 A, 10 V	2 V a 250 µA	233 nC a 10 V	±20 V	5400 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
IRF7306TRPBF	1.1200	Richiesta di offerta	18	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF73		MOSFET (ossido di metallo)	2 W			8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 canali P (doppio)				30 V	3,6 A		100 mOhm a 1,8 A, 10 V	1 V a 250 µA	25nC a 10V		440 pF a 25 V	Porta a livello logico
IPL65R070C7AUMA1	10.4700	Richiesta di offerta	1	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ C7	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-PowerTSFN	IPL65R070		MOSFET (ossido di metallo)				PG-VSON-4	scaricamento	Conformità ROHS3	2A (4 settimane)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			650 V	28A (Tc)	10 V	70 mOhm a 8,5 A, 10 V	4 V a 850 µA	64 nC a 10 V	±20 V	3020 pF a 100 V	-	169 W(Tc)
IRF540NPBF	1.4900	Richiesta di offerta	151	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRF540		MOSFET (ossido di metallo)				TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			100 V	33A(Tc)	10 V	44 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 250 µA	71 nC a 10 V	±20 V	1960 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
P3000ZL45X168APTHPSA1	10.0000	Richiesta di offerta	8159	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	DO-200AE						Standard	BG-P16826K-1	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																					Trincea	4500 V	3000 A		2,5 V a 15 V, 3000 A			200 µA	NO	620 nF a 25 V
IPA320N20NM3SXKSA1	2.6400	Richiesta di offerta	4901	Tecnologie Infineon	OptiMOS™3	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPA320		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO220 Pacchetto completo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN			200 V	26A (Tc)	10 V	32 mOhm a 26 A, 10 V	4 V a 89 µA	30 nC a 10 V	±20 V	2300 pF a 100 V	-	38 W (Tc)
TT600N16KS20XPSA1	364.7850	Richiesta di offerta	1240	Tecnologie Infineon	*	Vassoio	Attivo											-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	448-TT600N16KS20XPSA1			2
IPB60R040C7ATMA1	13.6500	Richiesta di offerta	7269	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ C7	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-4, D²Pak (3 conduttori + lingua), TO-263AA	IPB60R040		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN			600 V	50A (Tc)	10 V	40 mOhm a 24,9 A, 10 V	4 V a 1,24 mA	107 nC a 10 V	±20 V	4340 pF a 400 V	-	227 W(Tc)
BSL306NL6327HTSA1	-	Richiesta di offerta	6539	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	BSL306		MOSFET (ossido di metallo)	500 mW			PG-TSOP6-6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio)				30 V	2,3 A		57 mOhm a 2,3 A, 10 V	2 V a 11 µA	1,6 nC a 5 V		275 pF a 15 V	Porta a livello logico
IPP60R099P6XKSA1	6.8500	Richiesta di offerta	7161	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ P6	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP60R099		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			600 V	37,9 A(Tc)	10 V	99 mOhm a 14,5 A, 10 V	4,5 V a 1,21 mA	70 nC a 10 V	±20 V	3330 pF a 100 V	-	278 W(Tc)
IPD60R600CP	0,6600	Richiesta di offerta	14	Tecnologie Infineon	CoolMOS™CP	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD60R		MOSFET (ossido di metallo)				PG-TO252-3-313	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			600 V	6,1 A(Tc)	10 V	600 mOhm a 3,3 A, 10 V	3,5 V a 220 µA	27 nC a 10 V	±20 V	550 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
BSC130P03LSGAUMA1	-	Richiesta di offerta	2104	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN			MOSFET (ossido di metallo)				PG-TDSON-8-3	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		Canale P			30 V	12A(Ta), 22,5A(Tc)	10 V	13 mOhm a 22,5 A, 10 V	2,2 V a 150 µA	73,1 nC a 10 V	±25 V	3670 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 69 W (Tc)