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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KBU6B | 1.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBU | KBU6 | Standard | KBU | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V a 6 A | 10 µA a 50 V | 6A | Monofase | 100 V | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT20040R | 98.8155 | ![]() | 4826 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MBRT20040 | Schottky, Polarità inversa | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1082 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 40 V | 100A | 750 mV a 100 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | S16MR | 4.5900 | ![]() | 5544 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | S16M | Standard, polarità inversa | - | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S16MRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,1 V a 16 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 16A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRH200150 | 70.0545 | ![]() | 7763 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | Schottky | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 880 mV a 200 A | 1 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 200A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRH20080R | 70.0545 | ![]() | 3860 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | MBRH20080 | Schottky, Polarità inversa | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRH20080RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 80 V | 840 mV a 200 A | 5 mA a 20 V | 200A | - | |||||||||||||||||||
| G3R40MT12K | 17.6700 | ![]() | 4250 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | G3R™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-4 | G3R40 | SiCFET (carburo di silicio) | TO-247-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-G3R40MT12K | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1200 V | 71A(Tc) | 15 V | 48 mOhm a 35 A, 15 V | 2,69 V a 10 mA | 106 nC a 15 V | ±15 V | 2929 pF a 800 V | - | 333 W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | MBRF60040R | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 40 V | 300 A (CC) | 650 mV a 300 A | 10 mA a 20 V | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||||
![]() | MSRTA60060A | 109.2000 | ![]() | 8253 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRTA60060 | Standard | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 600 V | 600 A (CC) | 1,2 V a 600 A | 25 µA a 600 V | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||||||||
![]() | MBRTA500100 | - | ![]() | 8135 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 250A | 840 mV a 250 A | 1 mA a 100 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | MSRTA6001 | 109.2000 | ![]() | 8289 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Modulo 3-SMD | - | Tre Torri | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MSRTA6001GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | - | 1600 V | 600 A (CC) | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF20030R | - | ![]() | 2084 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 30 V | 100A | 700 mV a 100 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | FST6380M | - | ![]() | 9771 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 80 V | 30A | 840 mV a 30 A | 1 mA a 80 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRT40045DL | 88.1588 | ![]() | 2897 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MBRT40045 | Schottky | Tre Torri | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 45 V | 200 A (CC) | 580 mV a 200 A | 5 mA a 45 V | -40°C ~ 100°C | |||||||||||||||||||
![]() | S300Z | 85.1955 | ![]() | 9287 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-205AB, DO-9, Prigioniero | S300 | Standard | DO-205AB (DO-9) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S300ZGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 2000 V | 1,2 V a 300 A | 10 µA a 1600 V | -60°C ~ 180°C | 300A | - | ||||||||||||||||||
![]() | S12MR | 4.2345 | ![]() | 1370 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | S12M | Standard, polarità inversa | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S12MRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,1 V a 12 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 12A | - | ||||||||||||||||||
![]() | FR6JR02 | 5.1225 | ![]() | 5751 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR6JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,4 V a 6 A | 250 n | 25 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 6A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA50040R | - | ![]() | 8132 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 40 V | 250A | 700 mV a 250 A | 1 mA a 40 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | FR40BR02 | 13.8360 | ![]() | 2788 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR40BR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1 V a 40 A | 200 n | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 40A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBR2X100A080 | 50.2485 | ![]() | 5385 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MBR2X100 | Schottky | SOT-227 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 2 Indipendente | 80 V | 100A | 840 mV a 100 A | 1 mA a 80 V | -40°C~150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT30080 | - | ![]() | 8591 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT30080GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 80 V | 150A | 880 mV a 150 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MBRH15020RL | - | ![]() | 6323 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D-67 | Schottky, Polarità inversa | D-67 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 20 V | 580 mV a 150 A | 3 mA a 20 V | 150A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | FR12G02 | 8.2245 | ![]() | 3943 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Standard | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR12G02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 800 mV a 12 A | 200 n | 25 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 12A | - | ||||||||||||||||||
![]() | S40JR | 6.3770 | ![]() | 6074 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | S40J | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S40JRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,1 V a 40 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 190°C | 40A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBRT60020R | 140.2020 | ![]() | 2531 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MBRT60020 | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT60020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 20 V | 300A | 750 mV a 300 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA500150 | - | ![]() | 2194 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 250A | 880 mV a 250 A | 4 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | GKR130/08 | 35.2590 | ![]() | 5808 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-205AA, DO-8, Prigioniero | GKR130 | Standard | DO-205AA (DO-8) | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,5 V a 60 A | 22 mA a 800 V | -40°C~180°C | 165A | - | |||||||||||||||||||
![]() | S85MR | 11.8980 | ![]() | 8567 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | S85M | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S85MRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,1 V a 85 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 180°C | 85A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MURF40040 | - | ![]() | 2190 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Standard | TO-244 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 400 V | 200A | 1,3 V a 200 A | 180 n | 25 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | FR16G02 | 8.1330 | ![]() | 6045 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Standard | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR16G02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 900 mV a 16 A | 200 n | 25 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 16A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MUR20060CTR | 101.6625 | ![]() | 5262 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MUR20060 | Standard | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MUR20060CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 600 V | 100A | 1,7 V a 50 A | 110 n | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C |

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