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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FR12G02 | 8.2245 | ![]() | 3943 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Standard | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR12G02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 800 mV a 12 A | 200 n | 25 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 12A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBR2X100A080 | 50.2485 | ![]() | 5385 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MBR2X100 | Schottky | SOT-227 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 2 Indipendente | 80 V | 100A | 840 mV a 100 A | 1 mA a 80 V | -40°C~150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR2X120A060 | 51.8535 | ![]() | 3104 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MBR2X120 | Schottky | SOT-227 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 2 Indipendente | 60 V | 120A | 750 mV a 120 A | 1 mA a 60 V | -40°C~150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT120100R | 75.1110 | ![]() | 6865 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MBRT120100 | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT120100RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 100 V | 60A | 880 mV a 60 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MBR3545 | 17.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Schottky | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBR3545GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 45 V | 680 mV a 35 A | 1,5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | 35A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | S40JR | 6.3770 | ![]() | 6074 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | S40J | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S40JRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,1 V a 40 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 190°C | 40A | - | |||||||||||||||||||
![]() | S70G | 9.8985 | ![]() | 7991 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S70GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 70 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 180°C | 70A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR40035CTRL | - | ![]() | 7966 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Torre Gemella | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 35 V | 200A | 600 mV a 200 A | 3 mA a 35 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | KBPM210G | - | ![]() | 2438 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBPM | Standard | KBPM | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | KBPM210GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 1,1 V a 2 A | 5 µA a 50 V | 2A | Monofase | 1 kV | |||||||||||||||||||||
![]() | GE10MPS06E | 2.7700 | ![]() | 9292 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | SiC Schottky MPS™ | Nastro tagliato (CT) | Interrotto alla SIC | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | GE10MPS06 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252-2 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | -55°C ~ 175°C | 26A | 466pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | MBRF50020R | - | ![]() | 2304 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 20 V | 250A | 750 mV a 250 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
| GB02SHT03-46 | 48.4900 | ![]() | 174 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Foro passante | TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo | GB02SHT03 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-46 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1255 | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 300 V | 1,6 V a 1 A | 0 ns | 5 µA a 300 V | -55°C ~ 225°C | 4A | 76 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | MBR20020CTR | 90.1380 | ![]() | 9966 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR20020 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBR20020CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 20 V | 200 A (CC) | 650 mV a 100 A | 5 mA a 20 V | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRF60030 | - | ![]() | 8323 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 30 V | 300 A (CC) | 650 mV a 300 A | 10 mA a 20 V | -40°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR12060CT | 68.8455 | ![]() | 9223 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR12060 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1084 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 60 V | 120 A (CC) | 750 mV a 60 A | 3 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MBR60020CT | 129.3585 | ![]() | 2532 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR60020 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBR60020CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 20 V | 300A | 750 mV a 300 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MBRH30045L | - | ![]() | 8866 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D-67 | Schottky | D-67 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 45 V | 600 mV a 300 A | 5 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | 300A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | FR12B05 | 6.7605 | ![]() | 5646 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Standard | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR12B05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 800 mV a 12 A | 500 n | 25 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 12A | - | |||||||||||||||||||
![]() | GA100JT17-227 | - | ![]() | 8479 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | SiC (transistor alla giunzione al carburo di silicio) | SOT-227 | scaricamento | 1 (illimitato) | 1242-1314 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | - | 1700 V | 160A(Tc) | - | 10 mOhm a 100 A | - | - | 14.400 pF a 800 V | - | 535 W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | MBRF500100R | - | ![]() | 5177 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 100 V | 250A | 840 mV a 250 A | 1 mA a 100 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MURH10040 | 49.5120 | ![]() | 1384 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | Standard | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MURH10040GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1,3 V a 100 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | 100A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | S16K | 4.5900 | ![]() | 6123 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Standard | - | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S16KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,1 V a 16 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 16A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | G3R45MT17D | 32.7300 | ![]() | 4427 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | G3R™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | G3R45 | SiCFET (carburo di silicio) | TO-247-3 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-G3R45MT17D | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1700 V | 61A(Tc) | 15 V | 58 mOhm a 40 A, 15 V | 2,7 V a 8 mA | 182 nC a 15 V | ±15 V | 4523 pF a 1000 V | - | 438 W(Tc) | ||||||||||||||
![]() | MBRF500200 | - | ![]() | 8829 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 200 V | 250A | 920 mV a 250 A | 1 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRH120200R | 60.0375 | ![]() | 9520 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | MBRH120200 | Schottky | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 920 mV a 120 A | 1 mA a 200 V | 120A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | FR40BR02 | 13.8360 | ![]() | 2788 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR40BR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1 V a 40 A | 200 n | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 40A | - | |||||||||||||||||||
![]() | FR16G02 | 8.1330 | ![]() | 6045 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Standard | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR16G02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 900 mV a 16 A | 200 n | 25 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 16A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MURTA600120R | 207.4171 | ![]() | 5478 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MURTA600120 | Standard | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 1200 V | 300A | 2,6 V a 300 A | 25 µA a 1200 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR300200CT | 94.5030 | ![]() | 1393 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR300200 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 150A | 920 mV a 150 A | 3 mA a 200 V | -40°C~150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT30045 | 107.3070 | ![]() | 5037 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1088 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 45 V | 150A | 750 mV a 150 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C |

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