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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max)
MBR500200CT GeneSiC Semiconductor MBR500200CT -
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ECAD 2566 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Torre Gemella Schottky Torre Gemella scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 200 V 250A 920 mV a 250 A 3 mA a 200 V -55°C ~ 150°C
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K 69.1800
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ECAD 8861 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 G3R12M SiCFET (carburo di silicio) TO-247-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1242-G3R12MT12K EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 1200 V 157A(Tc) 15 V, 18 V 13 mOhm a 100 A, 18 V 2,7 V a 50 mA 288 nC a 15 V +22 V, -10 V 9335 pF a 800 V - 567 W(Tc)
GBPC3506W GeneSiC Semiconductor GBPC3506W 2.8650
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ECAD 1659 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4 quadrati, GBPC-W GBPC3506 Standard GBPC-W scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) GBPC3506WGS EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V a 17,5 A 5 µA a 600 V 35A Monofase 600 V
1N1184AR GeneSiC Semiconductor 1N1184AR 6.3770
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ECAD 4538 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AB, DO-5, Prigioniero 1N1184AR Standard, polarità inversa DO-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1N1184ARGN EAR99 8541.10.0080 100 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 100 V 1,1 V a 40 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 200°C 40A -
FR20D02 GeneSiC Semiconductor FR20D02 9.0510
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ECAD 3677 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AB, DO-5, Prigioniero Standard DO-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) FR20D02GN EAR99 8541.10.0080 100 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 1 V a 20 A 200 n 25 µA a 50 V -40°C ~ 125°C 20A -
MSRTA300120D GeneSiC Semiconductor MSRTA300120D 159.9075
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ECAD 4570 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Modulo MSRTA300 Standard - scaricamento Conformità ROHS3 1242-MSRTA300120D EAR99 8541.10.0080 24 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 1200 V 300A 1,1 V a 300 A 20 µA a 1200 V -55°C ~ 150°C
S12KR GeneSiC Semiconductor S12KR 4.2345
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ECAD 2976 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero S12K Standard, polarità inversa DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) S12KRGN EAR99 8541.10.0080 250 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 800 V 1,1 V a 12 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 175°C 12A -
FR70B05 GeneSiC Semiconductor FR70B05 17.5905
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ECAD 9335 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AB, DO-5, Prigioniero Standard DO-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) FR70B05GN EAR99 8541.10.0080 100 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 1,4 V a 70 A 500 n 25 µA a 100 V -40°C ~ 125°C 70A -
GKR26/12 GeneSiC Semiconductor GKR26/12 -
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ECAD 3728 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero Standard DO-4 scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 5 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1200 V 1,55 V a 60 A 4 mA a 1200 V -40°C~180°C 25A -
MBRF12060R GeneSiC Semiconductor MBRF12060R -
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ECAD 3060 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 60 V 60A 750 mV a 60 A 1 mA a 60 V -55°C ~ 150°C
MBR60030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60030CTRL -
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ECAD 7697 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Torre Gemella Schottky Torre Gemella - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 30 V 300A 580 mV a 300 A 3 mA a 30 V -55°C ~ 150°C
MURT10020 GeneSiC Semiconductor MURT10020 -
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ECAD 9709 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Tre Torri Standard Tre Torri scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MURT10020GN EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 200 V 50A 1,3 V a 50 A 75 ns 25 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
MBR40040CT GeneSiC Semiconductor MBR40040CT 98.8155
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ECAD 1091 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Torre Gemella MBR40040 Schottky Torre Gemella scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1242-1037 EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 40 V 200A 650 mV a 100 A 5 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
1N2135AR GeneSiC Semiconductor 1N2135AR 8.9025
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ECAD 2479 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AB, DO-5, Prigioniero 1N2135AR Standard, polarità inversa DO-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1N2135ARGN EAR99 8541.10.0080 100 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 400 V 1,1 V a 60 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 200°C 60A -
GBU10D GeneSiC Semiconductor GBU10D 1.6300
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ECAD 61 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, GBU GBU10 Standard GBU scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 500 1,1 V a 10 A 5 µA a 200 V 10A Monofase 200 V
GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 -
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ECAD 9924 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Tubo Obsoleto 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiC (transistor alla giunzione al carburo di silicio) TO-247AB scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 30 - 1200 V 10A (Tc) - 140 mOhm a 10 A - - - 170 W(Tc)
MBR3540R GeneSiC Semiconductor MBR3540R 15.1785
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ECAD 2152 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero MBR3540 Schottky, Polarità inversa DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBR3540RGN EAR99 8541.10.0080 250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 680 mV a 35 A 1,5 mA a 20 V -55°C ~ 150°C 35A -
MBRH24045 GeneSiC Semiconductor MBRH24045 76.4925
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ECAD 3277 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio D-67 Schottky D-67 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 36 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 45 V 720 mV a 240 A 1 mA a 45 V -55°C ~ 150°C 240A -
GA16JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA16JT17-247 -
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ECAD 9298 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Tubo Obsoleto 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiC (transistor alla giunzione al carburo di silicio) TO-247AB scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 30 - 1700 V 16A (Tc) (90°C) - 110 mOhm a 16 A - - - 282 W(Tc)
MBR30045CT GeneSiC Semiconductor MBR30045CT 94.5030
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ECAD 7555 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Torre Gemella MBR30045 Schottky Torre Gemella scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBR30045CTGN EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 150A 650 mV a 150 A 8 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
MBRH200150R GeneSiC Semiconductor MBRH200150R 70.0545
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ECAD 4771 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio D-67 MBRH200150 Schottky, Polarità inversa D-67 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 36 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 920 mV a 200 A 1 mA a 200 V -55°C ~ 150°C 200A -
MBRT60040 GeneSiC Semiconductor MBRT60040 140.2020
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ECAD 1945 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Tre Torri Schottky Tre Torri scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBRT60040GN EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 40 V 300A 750 mV a 300 A 1 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
MBRT40045R GeneSiC Semiconductor MBRT40045R 118.4160
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ECAD 6914 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Tre Torri MBRT40045 Schottky Tre Torri scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1242-1001 EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 45 V 200A 750 mV a 200 A 1 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
MURTA30020 GeneSiC Semiconductor MURTA30020 159.9075
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ECAD 5199 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Tre Torri Standard Tre Torri scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 24 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 200 V 150A 1 V a 150 A 25 µA a 200 V -55°C ~ 150°C
2N7637-GA GeneSiC Semiconductor 2N7637-GA -
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ECAD 1163 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto -55°C ~ 225°C (TJ) Foro passante TO-257-3 SiC (transistor alla giunzione al carburo di silicio) TO-257 - RoHS non conforme 1 (illimitato) 1242-1148 EAR99 8541.29.0095 10 - 650 V 7A (Tc) (165°C) - 170 mOhm a 7 A - - 720 pF a 35 V - 80 W (Tc)
MURT40020R GeneSiC Semiconductor MURT40020R 132.0780
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ECAD 4671 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Tre Torri MURT40020 Standard Tre Torri scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MURT40020RGN EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 200 V 200A 1,3 V a 200 A 125 n 25 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
MBR20020CTR GeneSiC Semiconductor MBR20020CTR 90.1380
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ECAD 9966 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Torre Gemella MBR20020 Schottky Torre Gemella scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBR20020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 20 V 200 A (CC) 650 mV a 100 A 5 mA a 20 V
FR12B05 GeneSiC Semiconductor FR12B05 6.7605
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ECAD 5646 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero Standard DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) FR12B05GN EAR99 8541.10.0080 250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 800 mV a 12 A 500 n 25 µA a 100 V -65°C ~ 150°C 12A -
GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227 -
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ECAD 8479 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC SiC (transistor alla giunzione al carburo di silicio) SOT-227 scaricamento 1 (illimitato) 1242-1314 EAR99 8541.29.0095 10 - 1700 V 160A(Tc) - 10 mOhm a 100 A - - 14.400 pF a 800 V - 535 W(Tc)
MBRH30045L GeneSiC Semiconductor MBRH30045L -
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ECAD 8866 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio D-67 Schottky D-67 - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 45 V 600 mV a 300 A 5 mA a 45 V -55°C ~ 150°C 300A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock