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Prodotti a semiconduttore discreti(2160)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Velocità	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Configurazione del diodo	Tensione - CC inversa (Vr) (max)	Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)	Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If	Tempo di recupero inverso (trr)	Corrente - Dispersione inversa @ Vr	Temperatura operativa - Giunzione	Corrente - Media rettificata (Io)	Capacità @ Vr, F	Tipo di diodo	Tensione - Picco inverso (max)
KBJ402G	0,5160	Richiesta di offerta	6064	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBJ	KBJ402	Standard	KBJ	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		KBJ402GGN	EAR99	8541.10.0080	250																1,1 V a 4 A		5 µA a 200 V		4A		Monofase	200 V
KBPC1508T	2.1795	Richiesta di offerta	9681	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Terminale CQ	4 quadrati, KBPC-T	KBPC1508	Standard	KBPC	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	50																1,1 V a 7,5 A		5 µA a 800 V		15A		Monofase	800 V
KBPM202G	-	Richiesta di offerta	7183	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBPM		Standard	KBPM	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	KBPM202GGN	EAR99	8541.10.0080	1.000																1,1 V a 2 A		5 µA a 50 V		2A		Monofase	200 V
KBPM206G	-	Richiesta di offerta	3874	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBPM		Standard	KBPM	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	KBPM206GGN	EAR99	8541.10.0080	1.000																1,1 V a 2 A		5 µA a 50 V		2A		Monofase	600 V
KBU1002	0,8205	Richiesta di offerta	3939	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBU		Standard	KBU	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		KBU1002GN	EAR99	8541.10.0080	400																1,05 V a 10 A		10 µA a 200 V		10A		Monofase	200 V
M3P100A-160	-	Richiesta di offerta	6564	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Modulo 5-SMD		Standard	5-SMD	-		1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	24																1,15 V a 100 A		10 mA a 1600 V		100A		Tre fasi	1,6kV
1N3291AR	33.5805	Richiesta di offerta	9204	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Telaio, montaggio con perno	DO-205AA, DO-8, Prigioniero	1N3291AR	Standard, polarità inversa	DO-205AA (DO-8)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		1N3291ARGN	EAR99	8541.10.0080	10	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													400 V		1,5 V a 100 A		24 mA a 400 V	-40°C~200°C	100A	-
GE2X8MPS06D	5.1900	Richiesta di offerta	58	Semiconduttore GeneSiC	SiC Schottky MPS™	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-247-3	GE2X8	SiC (carburo di silicio) Schottky	TO-247-3	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1242-GE2X8MPS06D	EAR99	8541.10.0080	30	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)												1 paio di catodo comune	650 V	19A (CC)				-55°C ~ 175°C
GBU6D	0,5385	Richiesta di offerta	2656	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, GBU	GBU6	Standard	GBU	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		GBU6DGN	EAR99	8541.10.0080	500																1,1 V a 6 A		5 µA a 200 V		6A		Monofase	200 V
MBRT30030L	-	Richiesta di offerta	1606	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto		Montaggio su telaio	Tre Torri		Schottky	Tre Torri	-		1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	25	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	30 V	150A	580 mV a 150 A		3 mA a 30 V	-55°C ~ 150°C
FR6J05	4.9020	Richiesta di offerta	7258	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Telaio, montaggio con perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero		Standard	DO-4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		FR6J05GN	EAR99	8541.10.0080	250	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													600 V		1,4 V a 6 A	500 n	25 µA a 50 V	-65°C ~ 150°C	6A	-
MBRH24020	76.4925	Richiesta di offerta	2417	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Montaggio su telaio	D-67		Schottky	D-67	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	36	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													20 V		720 mV a 240 A		1 mA a 20 V	-55°C ~ 150°C	240A	-
1N1184AR	6.3770	Richiesta di offerta	4538	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Telaio, montaggio con perno	DO-203AB, DO-5, Prigioniero	1N1184AR	Standard, polarità inversa	DO-5	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		1N1184ARGN	EAR99	8541.10.0080	100	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													100 V		1,1 V a 40 A		10 µA a 50 V	-65°C ~ 200°C	40A	-
MBRT20080	98.8155	Richiesta di offerta	3151	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Montaggio su telaio	Tre Torri		Schottky	Tre Torri	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		MBRT20080GN	EAR99	8541.10.0080	40	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	80 V	100A	880 mV a 100 A		1 mA a 20 V	-55°C ~ 150°C
MURTA400120R	174.1546	Richiesta di offerta	9467	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Montaggio su telaio	Tre Torri	MURTA400120	Standard	Tre Torri	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	24	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)												1 paio di anodo comune	1200 V	200A	2,6 V a 200 A		25 µA a 1200 V	-55°C ~ 150°C
MURF30005	-	Richiesta di offerta	5572	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto		Montaggio su telaio	TO-244AB		Standard	TO-244	-		1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	25	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)												1 paio di catodo comune	50 V	150A	1 V a 150 A		25 µA a 50 V	-55°C ~ 150°C
MUR20020CTR	101.6625	Richiesta di offerta	6212	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Montaggio su telaio	Torre Gemella	MUR20020	Standard	Torre Gemella	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		MUR20020CTRGN	EAR99	8541.10.0080	40	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di anodo comune	200 V	100A	1,3 V a 100 A	75 ns	25 µA a 50 V	-55°C ~ 150°C
S25B	5.2485	Richiesta di offerta	3484	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Telaio, montaggio con perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero		Standard	-	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		S25BGN	EAR99	8541.10.0080	250	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													100 V		1,1 V a 25 A		10 µA a 50 V	-65°C ~ 175°C	25A	-
MBR500200CT	-	Richiesta di offerta	2566	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto		Montaggio su telaio	Torre Gemella		Schottky	Torre Gemella	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	25	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	200 V	250A	920 mV a 250 A		3 mA a 200 V	-55°C ~ 150°C
G3R12MT12K	69.1800	Richiesta di offerta	8861	Semiconduttore GeneSiC	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4	G3R12M	SiCFET (carburo di silicio)	TO-247-4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		1242-G3R12MT12K	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	1200 V	157A(Tc)	15 V, 18 V	13 mOhm a 100 A, 18 V	2,7 V a 50 mA	288 nC a 15 V	+22 V, -10 V	9335 pF a 800 V	-	567 W(Tc)
MBRH12080R	60.0375	Richiesta di offerta	1217	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Montaggio su telaio	D-67	MBRH12080	Schottky, Polarità inversa	D-67	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		MBRH12080RGN	EAR99	8541.10.0080	36	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													80 V		840 mV a 120 A		4 mA a 20 V		120A	-
BR88	2.0200	Richiesta di offerta	347	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	4 quadrati, BR-8		Standard	BR-8	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		BR88GN	EAR99	8541.10.0080	200																1,1 V a 4 A		10 µA a 600 V		8A		Monofase	800 V
MBRTA80045RL	-	Richiesta di offerta	3112	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto		Montaggio su telaio	Tre Torri		Schottky	Tre Torri	-		1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	18	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di anodo comune	45 V	400A	600 mV a 400 A		6 mA a 45 V	-55°C ~ 150°C
MBRF60020R	-	Richiesta di offerta	3845	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Obsoleto		Montaggio su telaio	TO-244AB		Schottky	TO-244AB	-		1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	25	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di anodo comune	20 V	300A	650 mV a 300 A		10 mA a 20 V	-40°C ~ 175°C
GC15MPS12-220	5.3610	Richiesta di offerta	8973	Semiconduttore GeneSiC	SiC Schottky MPS™	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-220-2	GC15MPS12	SiC (carburo di silicio) Schottky	TO-220-2	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1242-1335	EAR99	8541.10.0080	50	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)													1200 V		1,8 V a 15 A	0 ns	14 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	82A	1089pF a 1 V, 1 MHz
GD50MPS12H	15.7700	Richiesta di offerta	398	Semiconduttore GeneSiC	SiC Schottky MPS™	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-247-2		SiC (carburo di silicio) Schottky	TO-247-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1242-GD50MPS12H	EAR99	8541.10.0080	30	Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io)													1200 V		1,8 V a 50 A	0 ns	15 µA a 1200 V	-55°C ~ 175°C	92A	1835pF a 1V, 1MHz
FR12M05	6.9975	Richiesta di offerta	5296	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Telaio, montaggio con perno	DO-203AA, DO-4, Prigioniero		Standard	DO-4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.10.0080	250	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)													1000 V		800 mV a 12 A	500 n	25 µA a 100 V	-65°C ~ 150°C	12A	-
KBL410G	0,5385	Richiesta di offerta	2270	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	4-SIP, KBL	KBL410	Standard	KBL	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		KBL410GGN	EAR99	8541.10.0080	500																1,1 V a 4 A		5 µA a 1000 V		4A		Monofase	1 kV
S85V	12.1170	Richiesta di offerta	8070	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Telaio, montaggio con perno	DO-203AB, DO-5, Prigioniero		Standard	DO-5	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		S85VGN	EAR99	8541.10.0080	100	Standard Recupero >500ns, >200mA (Io)													1400 V		1,1 V a 85 A		10 µA a 100 V	-65°C ~ 150°C	85A	-
MBR30045CT	94.5030	Richiesta di offerta	7555	Semiconduttore GeneSiC	-	Massa	Attivo		Montaggio su telaio	Torre Gemella	MBR30045	Schottky	Torre Gemella	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		MBR30045CTGN	EAR99	8541.10.0080	40	Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io)												1 paio di catodo comune	45 V	150A	650 mV a 150 A		8 mA a 20 V	-55°C ~ 150°C