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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRT50040R | - | ![]() | 9641 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT50040RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 40 V | 250A | 750 mV a 250 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
| BR62 | 1.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 125°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-6 | Standard | BR-6 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V a 3 A | 10 µA a 200 V | 6A | Monofase | 200 V | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N1188A | 6.3770 | ![]() | 6241 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | 1N1188 | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1N1188AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 40 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 200°C | 40A | - | |||||||||||||||||||
| KBU6D | 1.7600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBU | KBU6 | Standard | KBU | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V a 6 A | 10 µA a 200 V | 6A | Monofase | 200 V | ||||||||||||||||||||||
![]() | MUR10010CT | 75.1110 | ![]() | 8480 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MUR10010 | Standard | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MUR10010CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 50A | 1,3 V a 50 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | S6QR | 3.8625 | ![]() | 1284 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | S6Q | Standard, polarità inversa | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1200 V | 1,1 V a 6 A | 10 µA a 100 V | -65°C ~ 175°C | 6A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MUR5020R | 17.8380 | ![]() | 2942 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | MUR5020 | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MUR5020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 200 V | 1 V a 50 A | 75 ns | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 50A | - | ||||||||||||||||||
![]() | FR20A02 | 9.0510 | ![]() | 8652 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR20A02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1 V a 20 A | 200 n | 25 µA a 50 V | -40°C ~ 125°C | 20A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT40040L | - | ![]() | 6219 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 200A | 600 mV a 200 A | 3 mA a 40 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBR2X050A120 | 43.6545 | ![]() | 1366 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MBR2X050 | Schottky | SOT-227 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 2 Indipendente | 120 V | 50A | 880 mV a 50 A | 3 mA a 120 V | -40°C~150°C | ||||||||||||||||||||
| G3R20MT17K | 107.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | G3R™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-4 | G3R20 | SiCFET (carburo di silicio) | TO-247-4 | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-G3R20MT17K | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1700 V | 124A(Tc) | 15 V | 26 mOhm a 75 A, 15 V | 2,7 V a 15 mA | 400 nC a 15 V | ±15 V | 10187 pF @ 1000 V | - | 809 W(Tc) | |||||||||||||||
![]() | GBU6M | 0,5385 | ![]() | 9765 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBU | GBU6 | Standard | GBU | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | GBU6MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 1,1 V a 6 A | 5 µA a 1000 V | 6A | Monofase | 1 kV | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR2X120A100 | 51.8535 | ![]() | 3033 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MBR2X120 | Schottky | SOT-227 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 2 Indipendente | 100 V | 120A | 840 mV a 120 A | 1 mA a 100 V | -40°C~150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4593 | 35.5695 | ![]() | 8887 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-205AA, DO-8, Prigioniero | 1N4593 | Standard | DO-205AA (DO-8) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1N4593GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 800 V | 1,5 V a 150 A | 5,5 mA a 800 V | -60°C ~ 200°C | 150A | - | |||||||||||||||||||
![]() | FR16J02 | 8.1330 | ![]() | 3747 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Standard | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR16J02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 900 mV a 16 A | 250 n | 25 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 16A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF300200 | - | ![]() | 1519 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | MBRF3002 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 150A | 920 mV a 150 A | 1 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||||
![]() | FR6AR05 | 8.5020 | ![]() | 9169 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR6AR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 50 V | 1,4 V a 6 A | 500 n | 25 µA a 50 V | -65°C ~ 150°C | 16A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRT60045 | 140.2020 | ![]() | 8840 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT60045GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 45 V | 300A | 750 mV a 300 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | FR40B02 | 12.8985 | ![]() | 4193 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR40B02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1 V a 40 A | 200 n | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 40A | - | |||||||||||||||||||
![]() | FR40J02 | 12.8985 | ![]() | 7869 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR40J02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1 V a 40 A | 250 n | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 40A | - | |||||||||||||||||||
![]() | MBRF20030 | - | ![]() | 3637 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 30 V | 100A | 700 mV a 100 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MUR20040CT | 101.6625 | ![]() | 6926 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MUR20040 | Standard | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MUR20040CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 400 V | 100A | 1,3 V a 50 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | MBRTA600150 | - | ![]() | 6296 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 300A | 880 mV a 300 A | 4 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
![]() | MBRT40035L | - | ![]() | 1911 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 35 V | 200A | 600 mV a 200 A | 3 mA a 35 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||||
| 1N3768R | 10.1200 | ![]() | 113 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | 1N3768R | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1021 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1000 V | 1,2 V a 35 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 190°C | 35A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | GB2X100MPS12-227 | 135.8600 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | SiC Schottky MPS™ | Tubo | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | GB2X100 | SiC (carburo di silicio) Schottky | SOT-227 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1242-1341 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 2 Indipendente | 1200 V | 185 A (CC) | 1,8 V a 100 A | 0 ns | 80 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||||||||||
![]() | KBPM302G | - | ![]() | 2888 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBPM | Standard | KBPM | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | KBPM302GGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 900 | 1,1 V a 3 A | 5 µA a 50 V | 3A | Monofase | 200 V | |||||||||||||||||||||
![]() | MSRTA50060A | 101.4000 | ![]() | 2810 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRTA50060 | Standard | Tre Torri | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 600 V | 500 A (CC) | 1,2 V a 500 A | 25 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR400150CTR | 98.8155 | ![]() | 5686 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR400150 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 150 V | 200A | 880 mV a 200 A | 3 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRTA60020RL | - | ![]() | 7830 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 20 V | 300A | 580 mV a 300 A | 3 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C |

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