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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Vg (massimo) | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 150K60A | 35.5695 | ![]() | 9550 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-205AA, DO-8, Prigioniero | 150K60 | Standard | DO-205AA (DO-8) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 150K60AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,33 V a 150 A | 35 mA a 600 V | -40°C~200°C | 150A | - | |||||||||||||||||
![]() | MBR40040CTR | 102.9600 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR40040 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1104 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 40 V | 200A | 650 mV a 100 A | 5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
![]() | MURT10020R | - | ![]() | 5446 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Standard, polarità inversa | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MURT10020RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 200 V | 50A | 1,3 V a 50 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
![]() | FR16MR05 | 8.5020 | ![]() | 1123 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR16MR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1000 V | 1,1 V a 16 A | 500 n | 25 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 16A | - | |||||||||||||||||
![]() | MBRTA600200 | - | ![]() | 6985 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 300A | 920 mV a 300 A | 4 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | S12BR | 4.2345 | ![]() | 2679 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | S12B | Standard, polarità inversa | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S12BRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,1 V a 12 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 12A | - | |||||||||||||||||
![]() | FR30GR02 | 13.6100 | ![]() | 244 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1047 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1 V a 30 A | 200 n | 25 µA a 50 V | -40°C ~ 125°C | 30A | - | |||||||||||||||||
![]() | FST8320M | - | ![]() | 3580 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D61-3M | Schottky | D61-3M | scaricamento | 1 (illimitato) | FST8320MGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 20 V | 80 A (CC) | 650 mV a 80 A | 1,5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MUR7010R | 17.7855 | ![]() | 9514 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | MUR7010 | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MUR7010RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1 V a 70 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 70A | - | ||||||||||||||||
![]() | FST10040 | 65.6445 | ![]() | 2546 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 100A | 650 mV a 100 A | 2 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MURF10060 | - | ![]() | 5365 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Standard | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | MURF10060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 600 V | 50A | 1,7 V a 50 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | MBR40030CTR | 98.8155 | ![]() | 2747 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR40030 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBR40030CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 30 V | 200A | 650 mV a 200 A | 5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||
![]() | MBRF120100 | - | ![]() | 4438 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 60A | 840 mV a 60 A | 1 mA a 100 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | FST16080 | 75.1110 | ![]() | 4115 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FST16080GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 80 V | 160 A (CC) | 880 mV a 160 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | 1N1184A | 10.3200 | ![]() | 514 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | 1N1184 | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 100 V | 1,1 V a 40 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 200°C | 40A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MBR20060CT | 90.1380 | ![]() | 5435 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR20060 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBR20060CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 60 V | 200 A (CC) | 750 mV a 100 A | 5 mA a 20 V | ||||||||||||||||||
![]() | MBRF120150R | - | ![]() | 3804 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 150 V | 60A | 880 mV a 60 A | 1 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRT40035 | 118.4160 | ![]() | 3138 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1057 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 35 V | 200A | 750 mV a 200 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | GA50JT12-263 | - | ![]() | 6024 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | * | Tubo | Obsoleto | - | 1 (illimitato) | OBSOLETO | 50 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FR30K05 | 10.3155 | ![]() | 5312 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR30K05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1 V a 30 A | 500 n | 25 µA a 800 V | -40°C ~ 125°C | 30A | - | |||||||||||||||||
![]() | MBRH30040RL | - | ![]() | 2343 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D-67 | Schottky | D-67 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 600 mV a 300 A | 5 mA a 40 V | -55°C ~ 150°C | 300A | - | ||||||||||||||||||||
![]() | MBR30020CTL | - | ![]() | 2718 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Torre Gemella | Schottky | Torre Gemella | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 20 V | 150A | 580 mV a 150 A | 3 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||||
![]() | S16GR | 4.5900 | ![]() | 7750 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | S16G | Standard, polarità inversa | - | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S16GRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 400 V | 1,1 V a 16 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 16A | - | |||||||||||||||||
![]() | MSRT10060D | 87.1935 | ![]() | 1794 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRT100 | Standard | Tre Torri | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1242-MSRT10060D | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 600 V | 100A | 1,1 V a 100 A | 10 µA a 600 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||||||||||
![]() | GE2X10MPS06D | - | ![]() | 8002 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | SiC Schottky MPS™ | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-247-3 | GE2X10 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-247-3 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1242-GE2X10MPS06D | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 650 V | 23 A (CC) | -55°C ~ 175°C | ||||||||||||||||||
![]() | GA05JT12-247 | - | ![]() | 1135 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Tubo | Obsoleto | 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | SiC (transistor alla giunzione al carburo di silicio) | TO-247AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1200 V | 5A (Tc) | - | 280 mOhm a 5 A | - | - | - | 106 W(Tc) | |||||||||||||||||
![]() | MURF40040R | - | ![]() | 6158 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Standard | TO-244 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 400 V | 200A | 1,3 V a 200 A | 180 n | 25 µA a 400 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||||||||
![]() | MBRH12030 | 60.0375 | ![]() | 4402 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | Schottky | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRH12030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 650 mV a 120 A | 4 mA a 20 V | 120A | - | |||||||||||||||||||
![]() | GBJ15D | 0,7875 | ![]() | 5196 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBJ | GBJ15 | Standard | GBJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1242-GBJ15D | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,05 V a 7,5 A | 10 µA a 200 V | 15A | Monofase | 200 V | |||||||||||||||||||
![]() | MURF40020 | - | ![]() | 7002 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Standard | TO-244 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 200A | 1 V a 200 A | 150 n | 25 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C |

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