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Prodotti a semiconduttore discreti(2160)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F
1N3890R GeneSiC Semiconductor 1N3890R 6.8085
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 ECAD 6817 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero 1N3890R Standard, polarità inversa DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1N3890RGN EAR99 8541.10.0080 250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 1,4 V a 12 A 200 n 25 µA a 50 V -65°C ~ 150°C 12A -
GKR240/12 GeneSiC Semiconductor GKR240/12 59.1425
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 ECAD 1015 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-205AB, DO-9, Prigioniero GKR240 Standard DO-205AB (DO-9) - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 8 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1200 V 1,4 V a 60 A 60 mA a 1200 V -40°C~180°C 320A -
1N3880 GeneSiC Semiconductor 1N3880 4.9020
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 ECAD 5171 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero 1N3880 Standard DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1N3880GN EAR99 8541.10.0080 250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 1,4 V a 6 A 200 n 15 µA a 50 V -65°C ~ 150°C 6A -
MBR500100CT GeneSiC Semiconductor MBR500100CT -
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 ECAD 8812 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Torre Gemella Schottky Torre Gemella scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBR500100CTGN EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 250A 880 mV a 250 A 1 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
FR16DR02 GeneSiC Semiconductor FR16DR02 8.5020
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 ECAD 6699 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero Standard, polarità inversa DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) FR16DR02GN EAR99 8541.10.0080 250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 900 mV a 16 A 200 n 25 µA a 100 V -65°C ~ 150°C 16A -
1N6095R GeneSiC Semiconductor 1N6095R 18.2400
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 ECAD 1818 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero 1N6095R Schottky, Polarità inversa DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 580 mV a 25 A 2 mA a 20 V -55°C ~ 150°C 25A -
MBR2X120A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A200 51.8535
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 ECAD 6938 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC MBR2X120 Schottky SOT-227 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 52 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 2 Indipendente 200 V 120A 920 mV a 120 A 3 mA a 200 V -40°C~150°C
MBR50080CT GeneSiC Semiconductor MBR50080CT -
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 ECAD 7095 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Torre Gemella Schottky Torre Gemella scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBR50080CTGN EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 80 V 250A 880 mV a 250 A 1 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
MBR40020CTR GeneSiC Semiconductor MBR40020CTR 98.8155
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 ECAD 3646 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Torre Gemella MBR40020 Schottky Torre Gemella scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBR40020CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 20 V 200A 650 mV a 200 A 5 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
MBRT40080R GeneSiC Semiconductor MBRT40080R 118.4160
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 ECAD 7228 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Tre Torri MBRT40080 Schottky Tre Torri scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBRT40080RGN EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 80 V 200A 880 mV a 200 A 1 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
MBRH12040 GeneSiC Semiconductor MBRH12040 60.0375
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 ECAD 6397 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo D-67 Schottky scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1242-1046 EAR99 8541.10.0080 36 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 40 V 650 mV a 120 A 4 mA a 20 V 120A -
S40YR GeneSiC Semiconductor S40YR 8.4675
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 ECAD 5847 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AB, DO-5, Prigioniero S40Y Standard, polarità inversa DO-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) S40YRGN EAR99 8541.10.0080 100 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1600 V 1,1 V a 40 A 10 µA a 100 V -65°C ~ 160°C 40A -
1N3210R GeneSiC Semiconductor 1N3210R 7.0650
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 ECAD 6737 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio a perno DO-203AB, DO-5, Prigioniero 1N3210R Standard, polarità inversa DO-203AB (DO-5) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1N3210RGN EAR99 8541.10.0080 100 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1,5 V a 15 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 175°C 15A -
1N3671A GeneSiC Semiconductor 1N3671A 4.2345
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 ECAD 7778 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero 1N3671 Standard DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1N3671AGN EAR99 8541.10.0080 250 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 800 V 1,1 V a 12 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 200°C 12A -
MBRT500100 GeneSiC Semiconductor MBRT500100 -
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 ECAD 1383 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Tre Torri Schottky Tre Torri scaricamento 1 (illimitato) MBRT500100GN EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 100 V 250A 880 mV a 250 A 1 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 -
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 ECAD 6492 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Tubo Obsoleto 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SiC (transistor alla giunzione al carburo di silicio) TO-247AB scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.29.0095 30 - 1200 V 6A (Tc) (90°C) - 220 mOhm a 6 A - - - -
FST160150 GeneSiC Semiconductor FST160150 75.1110
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 ECAD 6755 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio TO-249AB Schottky TO-249AB scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 150 V 80A 880 mV a 80 A 1 mA a 150 V -55°C ~ 150°C
MBRF20020 GeneSiC Semiconductor MBRF20020 -
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 ECAD 4219 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 20 V 100A 700 mV a 100 A 1 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
S400Q GeneSiC Semiconductor S400Q 88.0320
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 ECAD 1294 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-205AB, DO-9, Prigioniero S400 Standard DO-205AB (DO-9) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) S400QGN EAR99 8541.10.0080 8 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1200 V 1,2 V a 400 A 10 µA a 50 V -60°C ~ 200°C 400A -
GB02SLT06-214 GeneSiC Semiconductor GB02SLT06-214 -
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 ECAD 4548 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC * Nastro e bobina (TR) Obsoleto GB02SLT06 - 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500
2N7640-GA GeneSiC Semiconductor 2N7640-GA -
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 ECAD 5917 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto -55°C ~ 225°C (TJ) Montaggio superficiale TO-276AA SiC (transistor alla giunzione al carburo di silicio) TO-276 - RoHS non conforme 1 (illimitato) 1242-1151 EAR99 8541.29.0095 10 - 650 V 16A (Tc) (155°C) - 105 mOhm a 16 A - - 1534 pF a 35 V - 330 W(Tc)
1N3893 GeneSiC Semiconductor 1N3893 5.6380
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 ECAD 7772 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero 1N3893 Standard DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1N3893GN EAR99 8541.10.0080 250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,4 V a 12 A 200 n 25 µA a 50 V -65°C ~ 150°C 12A -
MBRT30030RL GeneSiC Semiconductor MBRT30030RL -
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 ECAD 7872 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Tre Torri Schottky Tre Torri - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 30 V 150A 580 mV a 150 A 3 mA a 30 V -55°C ~ 150°C
1N1186R GeneSiC Semiconductor 1N1186R 7.4730
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 ECAD 8738 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AB, DO-5, Prigioniero 1N1186R Standard, polarità inversa DO-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 100 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1,2 V a 35 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 190°C 35A -
MBR12020CT GeneSiC Semiconductor MBR12020CT 68.8455
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 ECAD 2134 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Torre Gemella MBR12020 Schottky Torre Gemella scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1242-1069 EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 20 V 120 A (CC) 650 mV a 120 A 3 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
MBRF12060 GeneSiC Semiconductor MBRF12060 -
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 ECAD 7220 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 60 V 60A 750 mV a 60 A 1 mA a 60 V -55°C ~ 150°C
MBRH12035R GeneSiC Semiconductor MBRH12035R 60.0375
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 ECAD 2167 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio D-67 MBRH12035 Schottky, Polarità inversa D-67 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBRH12035RGN EAR99 8541.10.0080 36 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 35 V 650 mV a 120 A 4 mA a 20 V 120A -
MBRT50045 GeneSiC Semiconductor MBRT50045 -
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 ECAD 4725 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Tre Torri Schottky Tre Torri scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBRT50045GN EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 45 V 250A 750 mV a 250 A 1 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
GAP05SLT80-220 GeneSiC Semiconductor GAP05SLT80-220 -
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 ECAD 7699 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Tubo Obsoleto Foro passante Assiale SiC (carburo di silicio) Schottky - scaricamento 1 (illimitato) 1242-1257 EAR99 8541.10.0070 10 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 8000 V 4,6 V a 50 mA 0 ns 3,8 µA a 8000 V -55°C ~ 175°C 50mA 25 pF a 1 V, 1 MHz
1N3882 GeneSiC Semiconductor 1N3882 4.9020
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 ECAD 9735 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero 1N3882 Standard DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1N3882GN EAR99 8541.10.0080 250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 300 V 1,4 V a 6 A 200 n 15 µA a 50 V -65°C ~ 150°C 6A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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