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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Corrente: max | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | Resistenza @ Se, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N6096 | 14.0145 | ![]() | 4464 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | 1N6096 | Schottky | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1N6096GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 40 V | 580 mV a 25 A | 2 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | 25A | - | ||||||||||
![]() | MBRF60035R | - | ![]() | 1144 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 35 V | 300 A (CC) | 650 mV a 300 A | 10 mA a 20 V | -40°C ~ 175°C | |||||||||||||
![]() | MSRT200160AD | 80.4872 | ![]() | 2549 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRT200 | Standard | Tre Torri | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 1600 V | 200A | 1,1 V a 200 A | 10 µA a 1600 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | MURF30010R | - | ![]() | 3095 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Standard | TO-244 | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 100 V | 150A | 1 V a 150 A | 25 µA a 100 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
![]() | MBRT30060R | 107.3070 | ![]() | 1357 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MBRT30060 | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT30060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 60 V | 150A | 800 mV a 150 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | S320JR | 62.2080 | ![]() | 6119 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-205AB, DO-9, Prigioniero | S320 | Standard, polarità inversa | DO-205AB (DO-9) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | S320JRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 8 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 600 V | 1,2 V a 300 A | 10 µA a 600 V | -60°C ~ 180°C | 320A | - | ||||||||||
![]() | MSRT10080AD | 54.0272 | ![]() | 4048 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRT100 | Standard | Tre Torri | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 800 V | 100A | 1,1 V a 100 A | 10 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | FST10020 | 65.6445 | ![]() | 9552 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FST10020GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 20 V | 100A | 650 mV a 100 A | 2 mA a 20 V | ||||||||||||
| 1N8035-GA | - | ![]() | 8792 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Tubo | Obsoleto | Montaggio superficiale | TO-276AA | 1N8035 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-276 | - | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V a 15 A | 0 ns | 5 µA a 650 V | -55°C ~ 250°C | 14,6A | 1107pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | MBRF600150 | - | ![]() | 5956 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 300A | 880 mV a 300 A | 1 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
![]() | 1N3289A | 33.5805 | ![]() | 1299 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-205AA, DO-8, Prigioniero | 1N3289 | Standard | DO-205AA (DO-8) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1N3289AGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 200 V | 1,5 V a 100 A | 24 mA a 200 V | -40°C~200°C | 100A | - | ||||||||||
![]() | MBRT30040R | 111.0800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MBRT30040 | Schottky, Polarità inversa | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1074 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 40 V | 150A | 750 mV a 150 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | MBRTA50030R | - | ![]() | 3671 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 30 V | 250A | 700 mV a 250 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
![]() | MUR2X100A04 | 52.2000 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MUR2X100 | Standard | SOT-227 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1313 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 2 Indipendente | 400 V | 100A | 1,3 V a 100 A | 90 ns | 25 µA a 400 V | -55°C ~ 175°C | |||||||||
![]() | MUR10005CT | - | ![]() | 5416 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Torre Gemella | Standard | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MUR10005CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 50 V | 50A | 1,3 V a 50 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | FST6320M | - | ![]() | 1756 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D61-3M | Schottky | D61-3M | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 20 V | 30A | 700 mV a 30 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
![]() | MBR12040CT | 68.8455 | ![]() | 6776 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR12040 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1024 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 40 V | 120 A (CC) | 650 mV a 120 A | 3 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | FST16060 | 75.1110 | ![]() | 7797 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | TO-249AB | Schottky | TO-249AB | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FST16060GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 60 V | 160 A (CC) | 800 mV a 160 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | GC08MPS12-252 | 3.1200 | ![]() | 6092 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | SiC Schottky MPS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | GC08MPS12 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-252-2 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 10.000 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,8 V a 8 A | 0 ns | 7 µA a 1200 V | -55°C ~ 175°C | 40A | 545 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||
![]() | MBRT50030 | - | ![]() | 4648 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBRT50030GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 30 V | 250A | 750 mV a 250 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | FR70JR02 | 17.7855 | ![]() | 6539 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR70JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 1,4 V a 70 A | 250 n | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 70A | - | ||||||||||
![]() | GA01PNS80-220 | 349.8000 | ![]() | 6920 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Assiale | GA01PNS80 | - | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1259 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 2A | 4 pF a 1000 V, 1 MHz | PIN: singolo | 8000 V | - | |||||||||||||
![]() | MBR50030CTR | - | ![]() | 2432 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Torre Gemella | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBR50030CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 30 V | 250A | 750 mV a 250 A | 1 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | MBR300100CT | 94.5030 | ![]() | 1755 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR300100 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBR300100CTGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 100 V | 150A | 840 mV a 150 A | 8 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
![]() | FR12J05 | 6.7605 | ![]() | 1174 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Standard | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR12J05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 600 V | 800 mV a 12 A | 500 n | 25 µA a 100 V | -65°C ~ 150°C | 12A | - | ||||||||||
| 1N8024-GA | - | ![]() | 8416 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | TO-257-3 | 1N8024 | SiC (carburo di silicio) Schottky | TO-257 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,74 V a 750 mA | 0 ns | 10 µA a 1200 V | -55°C ~ 250°C | 750mA | 66 pF a 1 V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | MBRF120150 | - | ![]() | 1966 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 150 V | 60A | 880 mV a 60 A | 1 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||||
![]() | FR30BR02 | 10.5930 | ![]() | 4814 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR30BR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1 V a 30 A | 200 n | 25 µA a 50 V | -40°C ~ 125°C | 30A | - | ||||||||||
![]() | MSRT15080AD | 71.6012 | ![]() | 6900 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRT150 | Standard | Tre Torri | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 800 V | 150A | 1,1 V a 150 A | 10 µA a 800 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
![]() | MBR20045CTR | 90.1380 | ![]() | 1612 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MBR20045 | Schottky | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBR20045CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 45 V | 200 A (CC) | 650 mV a 100 A | 5 mA a 20 V |

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