SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max)
KBU1006 GeneSiC Semiconductor KBU1006 0,8205
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ECAD 3191 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, KBU Standard KBU scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) KBU1006GN EAR99 8541.10.0080 400 1,05 V a 10 A 10 µA a 600 V 10A Monofase 600 V
KBJ2508G GeneSiC Semiconductor KBJ2508G 0,8955
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ECAD 7457 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo -55°C ~ 125°C (TJ) Foro passante 4-SIP, KBJ KBJ2508 Standard KBJ scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) KBJ2508GGN EAR99 8541.10.0080 250 1,05 V a 12,5 A 10 µA a 800 V 25A Monofase 800 V
GBU8J GeneSiC Semiconductor GBU8J 1.5700
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ECAD 5 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, GBU GBU8 Standard GBU scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 500 1,1 V a 8 A 5 µA a 600 V 8A Monofase 600 V
DB151G GeneSiC Semiconductor DB151G 0,2325
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ECAD 1447 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-EDIP (0,321", 8,15 mm) DB151 Standard DB scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) DB151GGN EAR99 8541.10.0080 2.500 1,1 V a 1,5 A 5 µA a 50 V 1,5 A Monofase 50 V
MURTA500120 GeneSiC Semiconductor MURTA500120 174.1546
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ECAD 1351 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Tre Torri Standard Tre Torri scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 24 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 1200 V 250A 2,6 V a 250 A 25 µA a 1200 V -55°C ~ 150°C
KBP203 GeneSiC Semiconductor KBP203 0,3750
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ECAD 3839 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo -50°C ~ 150°C (TJ) Foro passante 4-SIP, KBP Standard KBP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) KBP203GN EAR99 8541.10.0080 2.000 1,1 V a 2 A 10 µA a 200 V 2A Monofase 200 V
G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N 56.2000
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ECAD 9403 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC G3R™ Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC G3R20 SiCFET (carburo di silicio) SOT-227 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1242-G3R20MT12N EAR99 8541.29.0095 10 CanaleN 1200 V 105A (Tc) 15 V 24 mOhm a 60 A, 15 V 2,69 V a 15 mA 219 nC a 15 V +20 V, -10 V 5873 pF a 800 V - 365 W(Tc)
S12GR GeneSiC Semiconductor S12GR 4.2345
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ECAD 5890 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero S12G Standard, polarità inversa DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) S12GRGN EAR99 8541.10.0080 250 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 400 V 1,1 V a 12 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 175°C 12A -
1N5827R GeneSiC Semiconductor 1N5827R 13.3005
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ECAD 3746 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AB, DO-5, Prigioniero 1N5827R Schottky, Polarità inversa DO-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1N5827RGN EAR99 8541.10.0080 250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 30 V 470 mV a 15 A 10 mA a 20 V -65°C ~ 150°C 15A -
KBJ2502G GeneSiC Semiconductor KBJ2502G 0,8955
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ECAD 5493 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo -55°C ~ 125°C (TJ) Foro passante 4-SIP, KBJ KBJ2502 Standard KBJ scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) KBJ2502GGN EAR99 8541.10.0080 250 1,05 V a 12,5 A 10 µA a 200 V 25A Monofase 200 V
GKN7112 GeneSiC Semiconductor GKN7112 13.8392
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ECAD 4005 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AB, DO-5, Prigioniero GKN71 Standard DO-5 - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 100 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1200 V 1,5 V a 60 A 10 mA a 1200 V -40°C~180°C 95A -
MBRT20060R GeneSiC Semiconductor MBRT20060R 102.9600
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ECAD 152 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Tre Torri MBRT20060 Schottky Tre Torri scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBRT20060RGN EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 60 V 100A 800 mV a 100 A 1 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
MSRT200120D GeneSiC Semiconductor MSRT200120D 110.1030
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ECAD 8351 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Tre Torri MSRT200 Standard Tre Torri scaricamento Conformità ROHS3 1242-MSRT200120D EAR99 8541.10.0080 40 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 1200 V 200A 1,1 V a 200 A 10 µA a 1600 V -55°C ~ 150°C
GD2X20MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X20MPS12D 15.2500
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ECAD 576 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC SiC Schottky MPS™ Tubo Attivo Foro passante TO-247-3 GD2X SiC (carburo di silicio) Schottky TO-247-3 scaricamento 1 (illimitato) 1242-GD2X20MPS12D EAR99 8541.10.0080 30 Nessun tempo di recupero > 500 mA (Io) 1 paio di catodo comune 1200 V 39 A (CC) 1,8 V a 20 A 0 ns 10 µA a 1200 V -55°C ~ 175°C
W08M GeneSiC Semiconductor W08M -
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ECAD 2194 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto -65°C ~ 125°C (TJ) Foro passante 4-Circolare, WOM Standard WOM scaricamento 1 (illimitato) W08MGN EAR99 8541.10.0080 1.000 1 V a 1 A 5 µA a 800 V 1,5 A Monofase 800 V
MSRTA500120A GeneSiC Semiconductor MSRTA500120A 101.4000
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ECAD 9443 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Tre Torri MSRTA500120 Standard Tre Torri scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 25 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 1 paio di catodo comune 1200 V 500 A (CC) 1,2 V a 500 A 25 µA a 600 V -55°C ~ 150°C
FR6B02 GeneSiC Semiconductor FR6B02 4.9020
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ECAD 2049 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero Standard DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) FR6B02GN EAR99 8541.10.0080 250 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 1,4 V a 6 A 200 n 25 µA a 50 V -65°C ~ 150°C 6A -
MBRH12060R GeneSiC Semiconductor MBRH12060R 60.0375
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ECAD 9077 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio D-67 MBRH12060 Schottky, Polarità inversa D-67 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBRH12060RGN EAR99 8541.10.0080 36 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 750 mV a 120 A 4 mA a 20 V 120A -
KBPC2510T GeneSiC Semiconductor KBPC2510T 2.2995
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ECAD 3881 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Terminale CQ 4 quadrati, KBPC-T KBPC2510 Standard KBPC-T scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 50 1,1 V a 12,5 A 10 µA a 1000 V 25A Monofase 1 kV
MBRTA50080 GeneSiC Semiconductor MBRTA50080 -
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ECAD 6541 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Tre Torri Schottky Tre Torri - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 18 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 80 V 250A 840 mV a 250 A 1 mA a 80 V -55°C ~ 150°C
FST120150 GeneSiC Semiconductor FST120150 70.4280
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ECAD 4347 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio TO-249AB Schottky TO-249AB scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 150 V 60A 880 mV a 60 A 1 mA a 150 V -55°C ~ 150°C
MBRTA80035L GeneSiC Semiconductor MBRTA80035L -
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ECAD 5521 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Tre Torri Schottky Tre Torri - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 18 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 35 V 400A 600 mV a 400 A 3 mA a 35 V -55°C ~ 150°C
MSRT200140AD GeneSiC Semiconductor MSRT200140AD 80.4872
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ECAD 1389 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Tre Torri MSRT200 Standard Tre Torri - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 25 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) Connessione in serie da 1 paio 1400 V 200A 1,1 V a 200 A 10 µA a 1400 V -55°C ~ 150°C
MBRF300100R GeneSiC Semiconductor MBRF300100R -
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ECAD 2688 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio TO-244AB MBRF3001 Schottky TO-244AB - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 100 V 150A 840 mV a 150 A 1 mA a 100 V -55°C ~ 150°C
1N1186A GeneSiC Semiconductor 1N1186A 10.3200
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ECAD 844 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AB, DO-5, Prigioniero 1N1186 Standard DO-5 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1242-1078 EAR99 8541.10.0080 100 - 200 V 1,1 V a 40 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 190°C 40A -
MBR50045CTR GeneSiC Semiconductor MBR50045CTR -
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ECAD 3546 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio Torre Gemella Schottky, Polarità inversa Torre Gemella scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MBR50045CTRGN EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 45 V 250A 750 mV a 250 A 1 mA a 20 V -55°C ~ 150°C
MUR40040CT GeneSiC Semiconductor MUR40040CT 132.0780
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ECAD 7020 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Montaggio su telaio Torre Gemella MUR40040 Standard Torre Gemella scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) MUR40040CTGN EAR99 8541.10.0080 40 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 400 V 200A 1,3 V a 125 A 150 n 25 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
S12DR GeneSiC Semiconductor S12DR 4.2345
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ECAD 6126 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Attivo Telaio, montaggio con perno DO-203AA, DO-4, Prigioniero S12D Standard, polarità inversa DO-4 scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) S12DRGN EAR99 8541.10.0080 250 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1,1 V a 12 A 10 µA a 50 V -65°C ~ 175°C 12A -
MURF40060R GeneSiC Semiconductor MURF40060R -
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ECAD 3976 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio TO-244AB Standard TO-244 - 1 (illimitato) EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di anodo comune 600 V 200A 1,7 V a 200 A 240 n 25 µA a 600 V -55°C ~ 150°C
MURF20060 GeneSiC Semiconductor MURF20060 -
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ECAD 9722 0.00000000 Semiconduttore GeneSiC - Massa Obsoleto Montaggio su telaio TO-244AB Standard TO-244AB - 1 (illimitato) MURF20060GN EAR99 8541.10.0080 25 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 600 V 100A 1,7 V a 100 A 75 ns 25 µA a 50 V -55°C ~ 150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock