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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Velocità | Configurazione del diodo | Tensione - CC inversa (Vr) (Max) | Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If | Tempo di recupero inverso (trr) | Corrente - Dispersione inversa @ Vr | Temperatura operativa - Giunzione | Corrente - Media rettificata (Io) | Capacità @ Vr, F | Tipo di diodo | Tensione - Picco inverso (max) | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|  | GBJ6D | 0,6645 |  | 1569 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBJ | GBJ6 | Standard | GBJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1242-GBJ6D | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,05 V a 3 A | 5 µA a 200 V | 6A | Monofase | 200 V | ||||||||||
|  | MBRT300200 | 107.3070 |  | 7152 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 150A | 920 mV a 150 A | 1 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
|  | FST8380SM | - |  | 6753 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | D61-3SM | Schottky | D61-3SM | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | FST8380SMGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 80 V | 80 A (CC) | 840 mV a 80 A | 1,5 mA a 20 V | ||||||||||
|  | MBRF50045 | - |  | 3009 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 45 V | 250A | 750 mV a 250 A | 1 mA a 45 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
|  | MBR35100 | 14.3280 |  | 8144 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AA, DO-4, Prigioniero | Schottky | DO-4 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBR35100GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 840 mV a 35 A | 1,5 mA a 20 V | -55°C ~ 150°C | 35A | - | |||||||||
|  | GBPC50005T | 4.0155 |  | 5604 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Terminale CQ | 4 quadrati, GBPC | GBPC50005 | Standard | GBPC | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,2 V a 25 A | 5 µA a 50 V | 50A | Monofase | 50 V | ||||||||||
|  | KBU1004 | 0,8205 |  | 9721 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBU | Standard | KBU | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | KBU1004GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1,05 V a 10 A | 10 µA a 400 V | 10A | Monofase | 400 V | ||||||||||
|  | M3P75A-100 | - |  | 8608 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo 5-SMD | Standard | 5-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 1,15 V a 75 A | 10 µA a 1000 V | 75A | Tre fasi | 1 kV | ||||||||||||
|  | MURTA60060R | 188.1435 |  | 1786 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MURTA60060 | Standard | Tre Torri | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MURTA60060RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 600 V | 300A | 1,7 V a 300 A | 280 n | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
|  | FR20G02 | 9.0510 |  | 6241 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR20G02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 400 V | 1 V a 20 A | 200 n | 25 µA a 50 V | -40°C ~ 125°C | 20A | - | ||||||||
|  | FR70KR05 | 17.7855 |  | 4229 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | FR70KR05GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 800 V | 1,4 V a 70 A | 500 n | 25 µA a 100 V | -40°C ~ 125°C | 70A | - | ||||||||
|  | MUR30040CTR | 118.4160 |  | 2621 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MUR30040 | Standard | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MUR30040CTRGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 400 V | 150A | 1,5 V a 100 A | 90 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
|  | 1N3211R | 7.0650 |  | 3529 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | 1N3211R | Standard, polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1N3211RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 300 V | 1,5 V a 15 A | 10 µA a 50 V | -65°C ~ 175°C | 15A | - | ||||||||
|  | MBR2X160A080 | 59.6700 |  | 1486 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | SOT-227-4, miniBLOC | MBR2X160 | Schottky | SOT-227 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 2 Indipendente | 80 V | 160A | 840 mV a 160 A | 1 mA a 80 V | -40°C ~ 150°C | |||||||||
|  | MBRH240150 | 76.4925 |  | 2030 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | D-67 | Schottky | D-67 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 150 V | 880 mV a 240 A | 1 mA a 150 V | -55°C ~ 150°C | 240A | - | ||||||||||
|  | MUR20010CTR | 101.6625 |  | 2964 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Torre Gemella | MUR20010 | Standard | Torre Gemella | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1033 | EAR99 | 8541.10.0080 | 40 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 100 V | 100A | 1,3 V a 100 A | 75 ns | 25 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | |||||||
|  | GKN130/16 | 35.3677 |  | 6548 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-205AA, DO-8, Prigioniero | GKN130 | Standard | DO-205AA (DO-8) | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | 1600 V | 1,5 V a 60 A | 22 mA a 1600 V | -40°C~180°C | 165A | - | |||||||||
|  | KBU8K | 0,7425 |  | 6174 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, KBU | KBU8 | Standard | KBU | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | KBU8KGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V a 8 A | 10 µA a 800 V | 8A | Monofase | 800 V | |||||||||
|  | GBJ20K | 0,9120 |  | 1418 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBJ | GBJ20 | Standard | GBJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1242-GBJ20K | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,05 V a 10 A | 5 µA a 800 V | 20A | Monofase | 800 V | ||||||||||
|  | MBR7530R | 21.9195 |  | 2270 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | MBR7530 | Schottky, Polarità inversa | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | MBR7530RGN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 30 V | 750 mV a 75 A | 1 mA a 30 V | -55°C ~ 150°C | 75A | - | ||||||||
|  | M3P75A-140 | - |  | 7969 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo 5-SMD | Standard | 5-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 24 | 1,15 V a 75 A | 10 µA a 1400 V | 75A | Tre fasi | 1,4 kV | ||||||||||||
|  | GBPC2506W | 4.2000 |  | 8886 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, GBPC-W | GBPC2506 | Standard | GBPC-W | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1291 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V a 12,5 A | 5 µA a 600 V | 25A | Monofase | 600 V | |||||||||
|  | MSRTA200120AD | 85.9072 |  | 9131 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRTA200 | Standard | Tre Torri | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 1200 V | 200A | 1,1 V a 200 A | 10 µA a 1200 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
|  | MSRTA300160AD | 159.9078 |  | 3791 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Montaggio su telaio | Tre Torri | MSRTA300 | Standard | Tre Torri | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) | Connessione in serie da 1 paio | 1600 V | 300A | 1,2 V a 300 A | 25 µA a 200 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
|  | SD51 | 19.1580 |  | 2759 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | SD51 | Schottky | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | SD51GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 45 V | 660 mV a 60 A | 5 mA a 45 V | -65°C ~ 150°C | 60A | - | ||||||||
|  | MBRTA500200 | - |  | 6348 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | Tre Torri | Schottky | Tre Torri | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 18 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di catodo comune | 200 V | 250A | 920 mV a 250 A | 4 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | |||||||||||
|  | MBRF300200R | - |  | 5409 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Obsoleto | Montaggio su telaio | TO-244AB | MBRF3002 | Schottky | TO-244AB | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 1 paio di anodo comune | 200 V | 150A | 920 mV a 150 A | 1 mA a 200 V | -55°C ~ 150°C | ||||||||||
| MUR5010 | 17.4870 |  | 9843 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | Telaio, montaggio con perno | DO-203AB, DO-5, Prigioniero | Standard | DO-5 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 1242-1015 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) | 100 V | 1 V a 50 A | 75 ns | 10 µA a 50 V | -55°C ~ 150°C | 50A | - | |||||||||
| BR84 | 0,8910 |  | 1683 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -65°C ~ 125°C (TJ) | Foro passante | 4 quadrati, BR-8 | Standard | BR-8 | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | BR84GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,1 V a 1 A | 10 µA a 400 V | 8A | Monofase | 400 V | |||||||||||
|  | GBJ15J | 0,7875 |  | 5273 | 0.00000000 | Semiconduttore GeneSiC | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | 4-SIP, GBJ | GBJ15 | Standard | GBJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1242-GBJ15J | EAR99 | 8541.10.0080 | 200 | 1,05 V a 7,5 A | 5 µA a 600 V | 15A | Monofase | 600 V | 

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