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Prodotti a semiconduttore discreti(324)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)
GT105N10T	0,3820	Richiesta di offerta	20	Semiconduttore Goford	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100		CanaleN	100 V	55A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,5 mOhm a 35 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	54 nC a 10 V	±20 V		-	74 W(Tc)
G2K2P10S2E	0,7600	Richiesta di offerta	3	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	G2K2P	MOSFET (ossido di metallo)	3,1 W (TC)	8-SOP	-	Conforme alla direttiva RoHS	3 (168 ore)			EAR99	8541.29.0000	4.000	2 canali P (doppio)		100 V	3,5 A (TC)		200 mOhm a 3 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	23nC a 10V		1623 pF a 50 V	-
GC11N65D5	0,6760	Richiesta di offerta	10	Semiconduttore Goford	G	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (4,9x5,75)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99		5.000		CanaleN	650 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA		±30 V	901 pF a 50 V	-	78 W (Tc)
3400	0,3600	Richiesta di offerta	4	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	5,6 A		59 mOhm a 2,8 A, 2,5 V	1,4 V a 250 µA	9,5 nC a 4,5 V	±12V	820 pF a 15 V		1,4 W
03N06	0,4300	Richiesta di offerta	5	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	60 V	3A		100 mOhm a 2 A, 10 V	1,2 V a 250 µA	14,6 nC a 30 V	±20 V	510 pF a 30 V		1,7 W
G06N10	0,4600	Richiesta di offerta	7	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	100 V	6A		240 mOhm a 6 A, 10 V	3 V a 250 µA	6,2 nC a 10 V	±20 V	190 pF a 50 V		25 W
630AT	-	Richiesta di offerta	4712	Semiconduttore Goford	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100		CanaleN	200 V	9A (Tc)	4,5 V, 10 V	250 mOhm a 1 A, 10 V	2,2 V a 250 µA	11,8 nC a 10 V	±20 V	509 pF a 25 V	-	83 W (Tc)
G40P03D5	0,6400	Richiesta di offerta	4	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (5x6)	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	3 (168 ore)			EAR99	8541.29.0000	5.000		Canale P	30 V	35A (Tc)	4,5 V, 10 V	10 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±20 V	2716 pF a 15 V	-	48 W (Tc)
GT088N06T	0,9800	Richiesta di offerta	40	Semiconduttore Goford	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	60 V	60A (Tc)	4,5 V, 10 V	9 mOhm a 14 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1620 pF a 30 V	-	75 W (Tc)
G300P06T	-	Richiesta di offerta	9163	Semiconduttore Goford	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		Canale P	60 V	40A (Tc)	10 V	30 mOhm a 12 A, 10 V	3 V a 250 µA	49 nC a 10 V	±20 V	2736 pF a 30 V	-	50 W (Tc)
GT090N06D52	0,3830	Richiesta di offerta	10	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	GT090N06	MOSFET (ossido di metallo)	62 W (Tc)	8-DFN (4,9x5,75)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000	2 canali N (doppio)		60 V	40A (Tc)		14 mOhm a 14 A, 10 V	2,4 V a 250 µA	24nC a 10V		1620 pF a 30 V	-
GT060N04D52	0,4215	Richiesta di offerta	1255	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN		MOSFET (ossido di metallo)	20 W (Tc)	8-DFN (4,9x5,75)	-	Conforme alla direttiva RoHS		REACH Inalterato	3141-GT060N04D52TR	EAR99	8541.29.0000	5.000	2 canali N		40 V	62A(Tc)		6,5 mOhm a 30 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	44nC a 10 V		1276 pF a 20 V	Standard
GT55N06D5	0,8000	Richiesta di offerta	4	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (4,9x5,75)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN	60 V	53A (Ta)	4,5 V, 10 V	9 mOhm a 14 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	31 nC a 10 V	±20 V	1988 pF a 30 V	-	70 W (Ta)
G65P06D5	1.1300	Richiesta di offerta	3	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN		MOSFET (ossido di metallo)		8-DFN (4,9x5,75)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		Canale P	60 V	60A (Tc)	10 V	18 mOhm a 20 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	75 nC a 10 V	±20 V	5814 pF a 25 V	-	130 W(Tc)
GT250P10T	1.7500	Richiesta di offerta	2111	Semiconduttore Goford	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS		REACH Inalterato	3141-GT250P10T	EAR99	8541.29.0000	50		Canale P	100 V	56A(Tc)	10 V	30 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	73 nC a 10 V	±20 V	4059 pF a 50 V	-	173,6 W(Tc)
GT080N10T	-	Richiesta di offerta	9542	Semiconduttore Goford	GT	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99		50		CanaleN	100 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm a 50 A, 10 V	3 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±20 V	2257 pF a 50 V	-	100 W (Tc)
G02P06	0,4100	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	60 V	1,6 A		190 mOhm a 1 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	11,3 nC a 10 V	±20 V	573 pF a 30 V		1,5 W
G3401L	0,4500	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	4.2A		60 mOhm a 2 A, 10 V	1,3 V a 250 µA	8,5 nC a 4,5 V	±12V	880 pF a 15 V		1,2 W
GT025N06AM	1.7000	Richiesta di offerta	791	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	60 V	170A(Tc)	4,5 V, 10 V	2,5 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	70 nC a 10 V	±20 V	5119 pF a 30 V	-	215 W(Tc)
GT6K2P10KH	-	Richiesta di offerta	7588	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0000	2.500		Canale P	100 V	4,3 A(Tc)	10 V	670 mOhm a 1 A, 10 V	3 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±20 V	247 pF a 50 V	-	25 W (Tc)
GT100N12T	1.5500	Richiesta di offerta	198	Semiconduttore Goford	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	120 V	70A (Tc)	10 V	10 mOhm a 35 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±20 V	3050 pF a 60 V	-	120 W (Tc)
G300P06S	0,5900	Richiesta di offerta	3	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0000	4.000		Canale P	60 V	12A (Tc)	10 V	30 mOhm a 8 A, 10 V	3 V a 250 µA	49 nC a 10 V	±20 V	2719 pF a 30 V	-	3 W (Tc)
G030N06M	1.8900	Richiesta di offerta	800	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0000	800		CanaleN	60 V	223A(Tc)	4,5 V, 10 V	3 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	101 nC a 4,5 V	±20 V	12432 pF a 30 V	-	240 W(Tc)
GT060N04K	0,7900	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	3141-GT060N04KTR	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	40 V	54A(Tc)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm a 30 A, 10 V	2,3 V a 250 µA	19 nC a 10 V	±20 V	1279 pF a 20 V	-	44 W (Tc)
GC11N65M	1.7300	Richiesta di offerta	778	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	650 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	21 nC a 10 V	±30 V	768 pF a 50 V	-	78 W (Tc)
G2003A	0,0740	Richiesta di offerta	9	Semiconduttore Goford	G	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	190 V	3A (Ta)	4,5 V, 10 V	540 mOhm a 2 A, 10 V	3 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±20 V	580 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta)
G08N02H	0,1141	Richiesta di offerta	1671	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	-	Conforme alla direttiva RoHS		REACH Inalterato	3141-G08N02HTR	EAR99	8541.29.0000	2.500		CanaleN	20 V	12A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	11,3 mOhm a 1 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	12,5 nC a 4,5 V	±12V	1255 pF a 10 V	-	1,7 W (TC)
G75P04FI	1.2700	Richiesta di offerta	7687	Semiconduttore Goford	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	-	Conforme alla direttiva RoHS				EAR99	8541.29.0000	50		Canale P	40 V	60A (Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	106 nC a 10 V	±20 V	6275 pF a 20 V	-	89 W(Tc)
1216D2	0,1085	Richiesta di offerta	9958	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto		MOSFET (ossido di metallo)		6-DFN (2x2)	-	Conforme alla direttiva RoHS		REACH Inalterato	3141-1216D2TR	EAR99	8541.29.0000	3.000		Canale P	12 V	16A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	21 mOhm a 1 A, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	48 nC a 4,5 V	±8 V	2700 pF a 10 V	-	18 W (Tc)
G230P06S	0,8300	Richiesta di offerta	3	Semiconduttore Goford	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0000	4.000		Canale P	60 V	9A (Tc)	10 V	23 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	62 nC a 10 V	±20 V	4784 pF a 30 V	-	3 W (Tc)