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Immagine	Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	ECAD	Quantità disponibile	Peso(Kg)	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
	S2M0080120D	14.9200	Richiesta di offerta		276	0.00000000	Soluzioni con diodi SMC	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	8541.29.0095	25	CanaleN	1200 V	41A(Tc)	20 V	100 mOhm a 20 A, 20 V	4 V a 10 mA	54 nC a 20 V	+25 V, -10 V	1324 pF a 1000 V	-	231 W(Tc)
	S2M0040120D	24.5300	Richiesta di offerta		247	0.00000000	Soluzioni con diodi SMC	-	Tubo	Attivo	-	Foro passante	TO-247-3		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	25	CanaleN	1200 V	-	-	-	-		-		-	-
	SSTX404S	0,2600	Richiesta di offerta		67	0.00000000	Soluzioni con diodi SMC	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SSTX404		350 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	8541.21.0095	3.000												40 V	600 mA	10nA (ICBO)	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 mV	-
	S2M0040120K	24.9100	Richiesta di offerta		128	0.00000000	Soluzioni con diodi SMC	-	Tubo	Attivo	-	Foro passante	TO-247-4		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-4	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.10.0080	30	CanaleN	1200 V	-	-	-	-		-		-	-
	S2M0025120D	44.4500	Richiesta di offerta		5528	0.00000000	Soluzioni con diodi SMC	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247 d.C	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	8541.29.0095	25	CanaleN	1200 V	63A(Tj)	20 V	34 mOhm a 50 A, 20 V	4 V a 15 mA	130 nC a 20 V	+25 V, -10 V	4402 pF a 1000 V	-	446 W(Tc)
	S2M0080120K	15.3500	Richiesta di offerta		260	0.00000000	Soluzioni con diodi SMC	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	1200 V	41A(Tc)	20 V	100 mOhm a 20 A, 20 V	4 V a 10 mA	54 nC a 20 V	+25 V, -10 V	1324 pF a 1000 V	-	231 W(Tc)
	SSTX304S	0,2600	Richiesta di offerta		2	0.00000000	Soluzioni con diodi SMC	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SSTX304		350 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	8541.21.0095	3.000												60 V	600 mA	10nA (ICBO)	PNP + diodo (isolato)	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 mV	-
	S2M0025120K	44.8100	Richiesta di offerta		5161	0.00000000	Soluzioni con diodi SMC	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	1200 V	63A(Tc)	20 V	34 mOhm a 50 A, 20 V	4 V a 15 mA	130 nC a 20 V	+25 V, -10 V	4402 pF a 1000 V	-	446 W(Tc)

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