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Transistor(860)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
BC847BS_R1_00001	0,2100	Richiesta di offerta	8	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		300 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												45 V	100mA	15nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	600mV a 5mA, 100mA	200 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BC807-25_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	23	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC807		330 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC807-25_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000												45 V	500 mA	100nA (ICBO)	PNP	700mV a 50mA, 500mA	160 a 100 mA, 1 V	100 MHz
PJP7NA60_T0_00001	0,6033	Richiesta di offerta	1972	Panjit International Inc.	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	PJP7	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJP7NA60_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	7A (Ta)	10 V	1,2 Ohm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	15,2 nC a 10 V	±30 V	723 pF a 25 V	-	145 W(Tc)
PJA3430_R1_00001	0,3500	Richiesta di offerta	59	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3430	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3430_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	20 V	2A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	150 mOhm a 2 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	1,8 nC a 4,5 V	±8 V	92 pF a 10 V	-	1,25 W(Ta)
BC847CPN-AU_R1_000A1	0,0405	Richiesta di offerta	9716	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		380 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	120.000												45 V	100mA	15nA (ICBO)	NPN, PNP Complementari	600mV a 5mA, 100mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PJD4NA60_R2_00001	0,8900	Richiesta di offerta	5438	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD4NA60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD4NA60_R2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	600 V	4A (Ta)	10 V	2,4 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	11,1 nC a 10 V	±30 V	450 pF a 25 V	-	-
PJQ4460AP_R2_00001	0,1406	Richiesta di offerta	8291	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4460	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4460AP_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	5.000	CanaleN	60 V	3,7 A (Ta), 11 A (Tc)	4,5 V, 10 V	72 mOhm a 6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	9,3 nC a 10 V	±20 V	509 pF a 15 V	-	2W (Ta), 20W (Tc)
PJU2NA60_T0_00001	-	Richiesta di offerta	4560	Panjit International Inc.	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	PJU2NA60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-251AA	-				3757-PJU2NA60_T0_00001	OBSOLETO		1	CanaleN	600 V	2A (Ta)	10 V	4,4 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	5,7 nC a 10 V	±30 V	257 pF a 25 V	-	34 W (Tc)
PJQ5427_R2_00001	1.3700	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5427	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canale P	30 V	19A (Ta), 100A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,3 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	68 nC a 4,5 V	±20 V	8593 pF a 15 V	-	2 W (Ta), 63 W (Tc)
PJD30N15_L2_00001	1.0700	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD30	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD30N15_L2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	150 V	3,5 A (Ta), 25 A (Tc)	6 V, 10 V	65 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	29,5 nC a 10 V	±25 V	1764 pF a 30 V	-	2 W (Ta), 102 W (Tc)
PJQ2407_R1_00001	0,5000	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	PJQ2407	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020B-6	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ2407_R1_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000	Canale P	30 V	8,4A(Ta)	4,5 V, 10 V	20 mOhm a 8,4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	11 nC a 4,5 V	±20 V	1169 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
MMDT2222ATB6_R1_00001	0,0513	Richiesta di offerta	7422	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	MMDT2222		200 mW	SOT-563	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	120.000												40 V	600mA	10nA	2 NPN (doppio)	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	300 MHz
PBHV9110DA-AU_R1_000A1	0,3500	Richiesta di offerta	1	Panjit International Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PBHV9110		1,25 W	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	3.000												100 V	1A	500nA (ICBO)	PNP	600 mV a 100 mA, 1 A	140 a 150 mA, 2 V	100 MHz
BC807-16W_R1_00001	0,1900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	BC807-16W	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC807		300 mW	SOT-323	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC807-16W_R1_00001CT	EAR99	8541.21.0095	3.000												45 V	500 mA	100nA (ICBO)	PNP	700mV a 50mA, 500mA	100 a 100 mA, 1 V	100 MHz
PJD60R390E_L2_00001	0,8803	Richiesta di offerta	1112	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	PJD60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJD60R390E_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	600 V	1,5 A (Ta), 11 A (Tc)	10 V	390 mOhm a 3,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	32 nC a 10 V	±20 V	531 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 124 W (Tc)
BC846BPN_R1_00001	0,2900	Richiesta di offerta	2	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC846		225 mW	SOT-363	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-BC846BPN_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3.000												65 V	100mA	15nA (ICBO)	NPN, PNP Complementari	600 mV a 5 mA, 100 mA / 650 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V / 220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PJA3470_R1_00001	0,1261	Richiesta di offerta	4654	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3470	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJA3470_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	100 V	1,3A(Ta)	4,5 V, 10 V	320 mOhm a 1,3 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	9,1 nC a 10 V	±20 V	508 pF a 30 V	-	1,2 W (Ta)
PJQ5476AL_R2_00001	0,9400	Richiesta di offerta	994	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5476	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	3757-PJQ5476AL_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	100 V	6,5 A (Ta), 42 A (Tc)	4,5 V, 10 V	25 Ohm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	31 nC a 10 V	±20 V	1519 pF a 30 V	-	2 W (Ta), 83 W (Tc)
PJQ4446P_R2_00001	0,6000	Richiesta di offerta	4	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ4446	MOSFET (ossido di metallo)		DFN3333-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ4446P_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	5.000	CanaleN	40 V	10,5 A(Ta), 48 A(Tc)	4,5 V, 10 V	9 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±20 V	1258 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 41,7 W (Tc)
PJQ5463A_R2_00001	0,2402	Richiesta di offerta	2134	Panjit International Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	PJQ5463	MOSFET (ossido di metallo)		DFN5060-8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	3757-PJQ5463A_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3.000	Canale P	60 V	4A (Ta), 15A (Tc)	10 V	68 mOhm a 7,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±20 V	879 pF a 30 V	-	2 W (Ta), 25 W (Tc)